[發明專利]Co基合金功能性構件及其制造工藝

無效

• 申請號: 200680038020.1
• 申請日: 2006-10-11
• 公開（公告）號: CN101287849A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 石田清仁;山內清;貝沼亮介;須藤祐司;大森俊洋
• 申請（專利權）人: 獨立行政法人科學技術振興機構
• 主分類號: C22C19/07
• 分類號: C22C19/07;C22F1/10;C22F1/00;C23F1/00;C25F3/02;C25F3/22
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 吳小瑛;劉春生

1.一種Co基合金功能性構件，其包括：

含有3～15wt％Al的Co-Al二元合金的基材；和

層狀結構，其占有率為30vol％或更多，其中f.c.c.結構的α相和β(B2)相以100μm或更小的層間距于層中重復排列，且通過選擇性除去α相或β(B2)相修飾所述基材表面，使其具有多孔表面層區域。

2.根據權利要求1所述的Co基合金功能性構件，其組成包含3～15wt％的Al和總量為0.001～60wt％的一種或多種選自如下元素的Co基合金基材：0.01～50wt％Ni、0.01～40wt％Fe、0.01～30wt％Mn、0.01～40wt％Cr、0.01～30wt％Mo、0.01～5wt％Si、0.01～30wt％W、0.01～10wt％Zr、0.01～15wt％Ta、0.01～10wt％Hf、0.01～20wt％Ga、0.01～20wt％V、0.01～12wt％Ti、0.01～20wt％Nb、0.001～3wt％C、0.01～20wt％Rh、0.01～20wt％Pd、0.01～20wt％Ir、0.01～20wt％Pt、0.01～10wt％Au、0.001～1wt％B和0.001～1wt％P，且余量為除不可避免的雜質之外的鈷。

3.根據權利要求1或2所述的Co基合金功能性構件，其中所述的多孔表面層區域具有低于基材表面500nm或更多的深度，且所述多孔表面層區域的面積是成孔前表面積的1.5倍以上。

4.一種用于制造Co基合金功能性構件的工藝，其包括以下步驟：

溶解權利要求1或2所述的具有所述組成的Co基合金；

在1500～600℃范圍內以500℃/min或更少的平均冷卻速度進行冷卻，以形成層狀結構，其中f.c.c.結構的α相和B2型β相、L1₂型γ’相、D0₁₉型析出物和/或M₂₃C₆型碳化物于層中重復排列，且占有率為30vol％或更多；

從Co基合金的表面層區域選擇性除去α相或B2型β相，或L1₂型γ’相、D0₁₉型析出物和/或M₂₃C₆型碳化物中的任何一種；以及

修飾低于基材表面500nm或更多的深度以形成多孔表面層區域，使所述多孔表面層區域的面積是成孔前表面積的1.5倍以上。

5.一種用于制造Co基合金功能性構件的工藝，其包括以下步驟：

在900～1400℃下，對具有權利要求1或2所述的具有所述組成的Co基合金進行固溶處理；

在500～900℃下進行時效處理使其形成層狀結構，其中f.c.c.結構的α相和B2型β相、L1₂型γ’相、D0₁₉型析出物和/或M₂₃C₆型碳化物于層中重復排列，且于整個金屬結構的占有率為30vol％或更多；

從Co基合金的表面層區域選擇性除去α相或B2型β相，或L1₂型γ’相、D0₁₉型析出物和/或M₂₃C₆型碳化物中的任何一種；以及

修飾低于基材表面500nm或更多的深度以形成多孔表面層區域，使所述多孔表面層區域的面積為成孔前表面積的1.5倍以上。

6.根據權利要求4或5所述的工藝，其中所述α相或B2型β相，或L1₂型γ’相、D0₁₉型析出物和/或M₂₃C₆型碳化物中的任何一種通過物理拋光、化學拋光或電化學拋光被選擇性除去。