[發明專利]信息存儲裝置

有效

• 申請號: 200680037796.1
• 申請日: 2006-09-25
• 公開（公告）號: CN101484940A
• 公開（公告）日: 2009-07-15
• 發明（設計）人: 楊繼輝;D·D·斯奈德;鄭仰澤
• 申請（專利權）人: 通用汽車環球科技運作公司
• 主分類號: G11B3/00
• 分類號: G11B3/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 蔣 駿;陳景峻

技術領域

本公開一般涉及信息存儲裝置，尤其涉及具有熱電模塊的信息存儲裝置。

背景技術

形狀記憶合金(SMA)已應用于各種用途，部分原因是因為它們能夠承受可 逆相變。已經表明，壓印的SMA薄膜的熱誘導馬氏體相變允許其在納米水平上 幾乎完全的壓痕恢復。如果將這樣的膜用作信息存儲介質，在膜上擦除和重寫 信息通常會涉及到SMA的快速加熱和冷卻，因此，壓痕的溫度將高于和低于 SMA的馬氏體相變溫度。但是，被動冷卻將不太可能獲得期望的溫度響應。此 外，這種冷卻不會允許局部清除存儲的信息。

同樣地，需要提供一種高密度信息存儲裝置，其具有較快的局部加熱和冷 卻能力。

發明內容

本發明通過提供一種具有較高存儲密度和較快速重寫能力的信息存儲裝 置，而基本上解決了上文所述的問題和域缺點。該信息存儲裝置包括襯底和置 于該襯底上的形狀記憶合金薄膜。該形狀記憶合金薄膜可以接收、供應和存儲 數字信息。在該襯底和該形狀記憶合金薄膜之間納米印刷有一個或多個熱電模 塊。該熱電模塊適于從形狀記憶合金薄膜上選擇性地擦除至少部分的數字信息。

附圖說明

通過參考以下詳細描述和附圖可以使本發明實施例的目的、特點以及優點 更加明顯，其中：

圖1是信息存儲裝置的實施例的分解半示意透視圖；

圖2是流程圖，描述了利用信息存儲裝置的實施例的方法的實施例。

具體實施方式

本發明的實施例將納米壓印、形狀記憶合金薄膜和熱電模塊有利地組合在 信息存儲裝置中。所相信的是，納米壓印、SMA薄膜和熱電模塊的組合允許高 密度存儲以及數據信息的快速擦除和重寫能力。

現在參考圖1，顯示了信息存儲裝置10的實施例。裝置10通常包括襯底 12、設置于襯底12上的形狀記憶合金(SMA)薄膜14以及襯底12與SMA薄膜 14之間納米印刷的一個或多個熱電模塊16。

可以理解的是，可以選擇能夠允許在其上納米印刷有熱電模塊的任何合適 的襯底12。在一個實施例中，襯底12是硅。

如所示，在襯底12上可以納米印刷一個或多個熱電模塊16?？梢岳斫獾? 是，任何合適的納米印刷工藝可以用來設置模塊16。這樣的工藝的一個非限制 性例子包括電子束光刻?？梢赃M一步理解的是，熱電模塊16可以以任意希望的 圖案和/或形狀而納米印刷在襯底12表面上。此外，熱電模塊16可以具有任何 合適的厚度。

在一個實施例中，將熱電模塊16設置為薄膜模塊。通常地，在襯底12上 設置薄膜熱電模塊16，通常，模塊16通常可以具有范圍為大約十分之一微米 到約10微米的厚度。

如下面將進一步詳細描述的，熱電模塊16適于要么局部地要么整體地，而 選擇性擦除存儲在SMA薄膜14中的數字信息。同樣地，熱電模塊16可以使電 引線18和20可操作連接到其上，使得電流可以供應至熱電模塊16。有利地， 電流有助于擦除存儲的信息。

在襯底12上設置形狀記憶合金薄膜14，使其基本上接觸襯底12和納米壓 印于襯底12上的任何熱電模塊16?？梢允褂萌魏魏线m的形狀記憶合金。在一 個實施例中，SMA薄膜14包含鋁基合金、鐵基合金、銅基合金、鎳基合金中 及其混合物的至少一種。

任何合適的沉積技術可以用來設置SMA薄膜14。這樣的沉積技術的非限 制性例子包括物理氣相沉積(物理氣相沉積的非限制性例子包括濺射、脈沖激光 沉積等等)、化學氣相沉積、電化學沉積、無電鍍沉積和/或它們的組合。

SMA薄膜14能夠接收、供應和/或存儲數字信息22。在一個實施例中，通 過納米壓印裝置24將數字信息22供應給SMA薄膜14?？梢岳斫獾氖?，納米 壓印裝置24也可以例如以映像模式用于從SMA薄膜14上的不同位置取回存儲 的數據。在一個非限制性例子中，SMA薄膜14具有范圍為大約700Gbit/in²到 大約900Gbit/in²的存儲密度。

現在參考圖2，描述了利用裝置10的方法的實施例。通常地，該方法包括 將信息22納米壓印SMA薄膜14中(如上文所描述的)，如參考數字26所示的， 并且使一些或全部信息22從SMA薄膜14中擦除，如參考數字28所示。該方 法可進一步包括將新信息重寫到SMA薄膜14中，如參考數字30所示。