[發明專利]信息存儲裝置有效
| 申請號: | 200680037796.1 | 申請日: | 2006-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN101484940A | 公開(公告)日: | 2009-07-15 |
| 發明(設計)人: | 楊繼輝;D·D·斯奈德;鄭仰澤 | 申請(專利權)人: | 通用汽車環球科技運作公司 |
| 主分類號: | G11B3/00 | 分類號: | G11B3/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 蔣 駿;陳景峻 |
| 地址: | 美國密*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 信息 存儲 裝置 | ||
1.一種信息存儲裝置,包括:
襯底;
設置于襯底上的形狀記憶合金薄膜,其中形狀記憶合金薄膜適于以下三種操 作中的至少一種操作:接收、供應和存儲數字信息;
納米印刷在襯底和形狀記憶合金薄膜之間的至少一個熱電模塊,該至少一個 熱電模塊適于從形狀記憶合金薄膜上選擇性地擦除至少部分的數字信息。
2.如權利要求1所述的裝置,其中形狀記憶合金薄膜通過納米壓印裝置來接 收數字信息。
3.如權利要求1所述的裝置,其中該至少一個熱電模塊是薄膜熱電模塊。
4.如權利要求1所述的裝置,其中該至少一個熱電模塊適于選擇地接收一個 極性的電流然后接收相反極性的電流。
5.如權利要求1所述的裝置,其中該形狀記憶合金薄膜包含鋁基合金、鐵基 合金、銅基合金、鎳基合金和它們的混合物中的至少一種。
6.如權利要求1所述的裝置,其中形狀記憶合金薄膜具有范圍為700Gbit/in2到900Gbit/in2的存儲密度。
7.一種從信息存儲裝置中擦除信息的方法,該信息存儲裝置具有在形狀記憶 合金薄膜中納米壓印的信息,該方法包括將極性電流供應給至少一個熱電模塊, 該至少一個熱電模塊納米印刷在襯底上并設置于襯底和形狀記憶合金薄膜之間, 其中該電流引起在與接收該電流的至少一個熱電模塊相鄰近的形狀記憶合金薄膜 的區域上信息的擦除。
8.如權利要求7所述的方法,其中該信息存儲裝置包括多個熱電模塊,并且 其中將該電流選擇性地供應給多個熱電模塊中的至少一些。
9.如權利要求8所述的方法,其中將該電流供應給多個熱電模塊中的每一個, 由此擦除存儲在形狀記憶合金薄膜中的所有信息。
10.如權利要求7所述的方法,其中當至少一個熱電模塊接收預定極性的電 流時,該形狀記憶合金薄膜被加熱。
11.如權利要求7所述的方法,其中在擦除后,該方法進一步包括通過將相 反極性的電流供應給該至少一個熱電模塊來將信息重寫到形狀記憶合金薄膜中, 然后用新信息來納米壓印形狀記憶合金薄膜。
12.如權利要求11所述的方法,其中當至少一個熱電模塊接收相反極性的電 流時,該形狀記憶合金薄膜被冷卻。
13.如權利要求7所述的方法,其中通過從可操作連接到至少一個熱電模塊 的電引線將電流傳送給該至少一個熱電模塊來完成供應該電流。
14.一種利用具有至少一個熱電模塊的信息存儲裝置的方法,該熱電模塊納 米印刷在襯底和形狀記憶合金薄膜之間,該方法包括:
將信息納米壓印到形狀記憶合金薄膜中;并且
通過將極性電流供應給至少一個熱電模塊來引起與該至少一個熱電模塊相鄰 近的形狀記憶合金薄膜的區域上至少部分信息的擦除。
15.如權利要求14所述的方法,進一步包括通過將相反極性電流供應給該至 少一個熱電模塊來將新信息重寫到形狀記憶合金薄膜中,然后用新信息來納米壓 印形狀記憶合金薄膜。
16.如權利要求15所述的方法,其中通過從可操作連接到至少一個熱電模塊 的電引線將電流傳送給該至少一個熱電模塊來完成供應該極性電流和供應該相反 極性的電流。
17.如權利要求15所述的方法,其中當該至少一個熱電模塊接收預定極性的 電流時,加熱與該至少一個熱電模塊相鄰近的形狀記憶合金薄膜的區域,并且, 當該至少一個熱電模塊接收相反極性的電流時,冷卻與該至少一個熱電模塊相鄰 近的形狀記憶合金薄膜的區域。
18.如權利要求15所述的方法,其中信息存儲裝置包括多個熱電模塊,并且 其中選擇性地將該極性電流和該相反極性的電流中的至少一個供應給熱電模塊中 的至少一些。
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