[發(fā)明專利]在應(yīng)變硅層中具有提高的結(jié)晶度的應(yīng)變絕緣體上硅（SSOI）結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680035335.0
• 申請日: 2006-08-01
• 公開（公告）號: CN101273449A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·R·西克瑞斯特;L·菲
• 申請（專利權(quán)）人: MEMC電子材料有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所
• 代理人: 馬江立;秘鳳華

1.一種用于制備應(yīng)變絕緣體上硅結(jié)構(gòu)的方法，該結(jié)構(gòu)包含操作晶片、應(yīng)變硅層和位于該操作晶片和應(yīng)變硅層之間的介電層，該方法包括在一定溫度下對該應(yīng)變絕緣體上硅結(jié)構(gòu)退火一段時(shí)間，以便應(yīng)變硅層的結(jié)晶度與操作晶片的結(jié)晶度相差小于大約10％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在施主晶片的表面上形成松弛含硅層；

在該松弛含硅層上形成應(yīng)變硅層；

在該操作晶片的表面上形成介電層；

將該施主晶片的應(yīng)變硅層鍵合到操作晶片的介電層以形成鍵合晶片，其中在該應(yīng)變硅層和介電層之間形成鍵合界面；

沿該松弛含硅層內(nèi)的分離平面分離該鍵合晶片，從而所述操作晶片上的應(yīng)變硅層在表面上具有殘余松弛含硅層；以及

蝕刻該殘余松弛含硅層以便從該應(yīng)變硅層基本除去所述殘余松弛含硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，所述應(yīng)變硅層的厚度為至少大約1nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，所述應(yīng)變硅層的厚度為大約10nm到大約80nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，所述松弛含硅層包含SiGe。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，在氮化和氧化氣氛中對所述應(yīng)變絕緣體上硅結(jié)構(gòu)退火。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，在至少大約800℃的溫度對所述絕緣體上硅結(jié)構(gòu)退火。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，在大約1000℃到大約1175℃的溫度對所述絕緣體上硅結(jié)構(gòu)退火。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，對所述絕緣體上硅結(jié)構(gòu)退火至少大約10分鐘。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，對所述絕緣體上硅結(jié)構(gòu)退火大約30分鐘到大約120分鐘。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，所述操作晶片的直徑為至少大約200mm。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，在所述退火之后，所述應(yīng)變硅層的結(jié)晶度與操作晶片的結(jié)晶度相差小于大約5％。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，在所述退火之后，所述應(yīng)變硅層的應(yīng)變水平為至少大約0.5％。

14.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，在所述退火之后，所述應(yīng)變硅層的應(yīng)變水平為至少大約1.0％。

15.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，在所述退火之后，所述硅層內(nèi)的應(yīng)變保持基本不變。

16.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其特征在于，在所述退火之后，所述應(yīng)變硅層在所述退火之后與在所述退火之前的最大吸收峰值相差小于1.5波數(shù)。

17.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其特征在于，在所述退火之后，所述應(yīng)變硅層在所述退火之后與在所述退火之前的最大吸收峰值相差小于0.5波數(shù)。

18.一種應(yīng)變絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，其中該結(jié)構(gòu)是根據(jù)權(quán)利要求1、2、16或17中任一項(xiàng)的方法形成的。

19.一種應(yīng)變絕緣體上硅結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包含操作晶片、應(yīng)變硅層和位于該操作晶片和應(yīng)變層之間的氧化物層，所述應(yīng)變層的結(jié)晶度與操作晶片的結(jié)晶度相差小于大約10％。

20.根據(jù)權(quán)利要求19的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述操作晶片的直徑為至少大約200mm。

21.根據(jù)權(quán)利要求19或20的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述應(yīng)變硅層的結(jié)晶度與操作晶片的結(jié)晶度相差小于大約5％。

22.根據(jù)權(quán)利要求19或20的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述應(yīng)變硅層的應(yīng)變水平為至少大約0.5％。

23.根據(jù)權(quán)利要求19或20的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述應(yīng)變硅層的應(yīng)變水平為至少大約1.0％。

24.根據(jù)權(quán)利要求19或20的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述應(yīng)變硅層的厚度為至少大約1nm。

25.根據(jù)權(quán)利要求19或20的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述應(yīng)變硅層的厚度為至少大約10nm到大約80nm。