[發明專利]濺射靶、透明導電膜和觸摸板用透明電極

有效

• 申請號: 200680035078.0
• 申請日: 2006-09-25
• 公開（公告）號: CN101273153A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發明（設計）人: 矢野公規;井上一吉;田中信夫;島根幸朗
• 申請（專利權）人: 出光興產株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C04B35/453;H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

技術領域

本發明涉及削減了銦的濺射靶、透明導電膜和觸摸板用透明電極。

背景技術

近年來，顯示裝置的發展迅猛，液晶顯示裝置(LCD)、電致發光(EL)顯示裝置、或場發射顯示裝置(FED)等作為個人電腦、文字處理設備等的辦公機器、工廠中的控制系統用的顯示裝置得到使用。這些顯示裝置均具有由透明導電性氧化物夾著顯示元件的夾層結構。

作為這樣的透明導電性氧化物，如非專利文獻1所公開，通過濺射法、離子鍍敷法或蒸鍍法成膜的銦錫氧化物(以下簡稱為ITO)或者銦鋅氧化物(以下簡稱為IZO)占據著主流。

ITO由氧化銦和氧化錫構成，透明性和導電性優異，另外可以用強酸進行蝕刻加工，還有與基板的密著性也優異。另外，IZO在ITO的特征之外，弱酸進行的蝕刻加工優異，可實現電極的高精細化。

然而，近年來由于面板顯示器(FPD)的急速普及，發生了在FPD中作為必須的透明電極的主要原料的銦的供給不穩定。另外，銦與鋅、錫比具有有害性，從該觀點出發也要求限制其使用量。另一方面，在ITO和IZO等的透明導電膜用靶中銦的含量高(80～90原子％)。為此，強烈要求減少ITO和IZO的靶中的銦量。

另一方面，還對如下方法進行了研究：作為由IZO構成的靶，含有由In₂O₃(ZnO)_m(m為2～20的整數。)表示的六方晶層狀化合物，并且將該六方晶層狀化合物的晶粒直徑定為5μm以下值，由此，防止球粒(ノジユ一ル)的發生抑制異常放電(專利文獻1，專利文獻2)。

專利文獻1：WO01/038599手冊

專利文獻2：特開平06-234565號公報

非專利文獻1：“透明導電膜的技術”((株)歐姆社出版，日本學術振興會，透明氧化物·光電子材料第166委員會編，1999)

發明內容

本發明的目的在于提供一種銦含量少，高密度并且低電阻的靶及利用該靶制作的透明導電膜和觸摸板用透明電極。

在IZO中將銦含量削減到35原子％以下，為了提高密度用高溫燒結時，所得到的靶的電阻變得極高。即，在IZO的靶中，難以同時提高相對密度和降低體電阻，并且很難減少銦含量。

發明者們銳意研究的結果發現，在銦含量在35原子％以下的IZO中，在為了提高密度而在高溫燒結時，電阻極高的ZnO數大的六方晶化合物(m為10以上的In₂O₃(ZnO)_m)產生。此外，發明者們還發現通過得到含有由In₂O₃(ZnO)_m(m為3～9的整數)表示的六方晶層狀化合物和由Zn₂SnO₄表示的尖晶石結構化合物的氧化物的燒結體，能夠制造即使銦含量在35％以下，也能夠提高靶的相對密度，體電阻低的靶。

根據本發明，提供了以下的濺射靶。

1、含有以銦、錫、鋅為主要成分，由In/(In+Sn+Zn)表示的原子比為0.10～0.35，由Sn/(In+Sn+Zn)表示的原子比為0.15～0.35，由Zn/(In+Sn+Zn)表示的原子比為0.50～0.70，由In₂O₃(ZnO)_m表示的六方晶層狀化合物及由Zn₂SnO₄表示的尖晶石結構化合物的氧化物的燒結體的濺射靶，其中，m為3～9的整數。

2、根據1所述的濺射靶，在X射線衍射中，所述六方晶層狀化合物的最大峰強度I(In₂O₃(ZnO)_m)、所述尖晶石結構化合物的最大峰強度I(Zn₂SnO₄)及由SnO₂表示的金紅石結構化合物的最大峰強度I(SnO₂)滿足下述關系：

(I(In₂O₃(ZnO)_m))/(I(Zn₂SnO₄))＜1

(I(SnO₂))/(I(In₂O₃(ZnO)_m))＜1

(I(SnO₂))/(I(Zn₂SnO₄))＜1。