[發明專利]濺射靶、透明導電膜和觸摸板用透明電極

有效

• 申請號: 200680035078.0
• 申請日: 2006-09-25
• 公開（公告）號: CN101273153A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發明（設計）人: 矢野公規;井上一吉;田中信夫;島根幸朗
• 申請（專利權）人: 出光興產株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C04B35/453;H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

1、一種濺射靶，其特征在于，以銦、錫、鋅為主成分，

由In/(In+Sn+Zn)表示的原子比為0.10～0.35，

由Sn/(In+Sn+Zn)表示的原子比為0.15～0.35，

由Zn/(In+Sn+Zn)表示的原子比為0.50～0.70，

并且，該濺射靶是含有由In₂O₃(ZnO)_m表示的六方晶層狀化合物及由Zn₂SnO₄表示的尖晶石結構化合物的氧化物的燒結體，其中，m為3～9的整數。

2、根據權利要求1所述的濺射靶，其特征在于，在X射線衍射中，所述六方晶層狀化合物的最大峰強度I(In₂O₃(ZnO)_m)、所述尖晶石結構化合物的最大峰強度I(Zn₂SnO₄)及由SnO₂表示的金紅石結構化合物的最大峰強度I(SnO₂)滿足下述關系：

(I(In₂O₃(ZnO)_m))/(I(Zn₂SnO₄))＜1

(I(SnO₂))/(I(In₂O₃(ZnO)_m))＜1

(I(SnO₂))/(I(Zn₂SnO₄))＜1。

3、根據權利要求1或2所述的濺射靶，其特征在于，在所述X射線衍射中，所述尖晶石結構化合物的峰值在狹窄角移動。

4、根據權利要求1～3中任一項所述的濺射靶，其特征在于，體電阻為0.5～300mΩcm。

5、根據權利要求1～4中任一項所述的濺射靶，其特征在于，相對密度為90％以上。

6、一種透明導電膜，其特征在于，利用權利要求1～5中任一項所述的濺射靶，通過濺射法成膜而成。

7、一種觸摸板用透明電極，其特征在于，使用權利要求6所述的透明導電膜。