[發(fā)明專利]使用基材背面壓力測量的基材定位確定

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680033662.2
• 申請日: 2006-08-08
• 公開（公告）號: CN101553596A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: W·B·邦;Y-K·V·王
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料股份有限公司
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;C23C16/52;C23C16/458
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司
• 代理人: 陸 嘉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于判定是否基材已經(jīng)適當?shù)乇欢ㄎ挥谝换闹谓Y(jié)構(gòu) (例如一真空夾持支撐結(jié)構(gòu))上的方法。

背景技術(shù)

在沉積薄膜于半導體基材(例如硅晶片)上的期間，若晶片沒有適當?shù)? 接合于支撐結(jié)構(gòu)(其是用來將晶片固持住)，沉積薄膜的期間所產(chǎn)生的應(yīng)力 會造成晶片彎曲。在薄膜沉積制程中，半導體晶片通常是被固持住在一真 空夾持/加熱器組件的表面上時而進行處理。將半導體晶片錯置 (misplacement)于例如真空夾持(chuck)/加熱器組件上會致使流動氣體在 晶片邊緣不均勻的漏氣。不均勻的漏氣會造成不均勻的膜層沉積，這會使 得晶片彎曲。晶片彎曲是得晶片邊緣無法接觸于加熱器，且晶片邊緣變得 比晶片中心更冷。這會導致增加的膜層沉積非均勻性。在一些情況中，彎 曲可能非常嚴重，以致于必須停止膜層沉積制程。半導體制造設(shè)備業(yè)者先 前有設(shè)想出一經(jīng)加熱的真空夾持件，以避免發(fā)生彎曲。然而，使用加熱器/ 真空夾持件需要將晶片適當?shù)囟ㄎ辉诩訜崞?真空夾持件的中心，否則經(jīng)加 熱的真空夾持件無法避免彎曲。并非總是能達到適當?shù)亩ㄎ唬@是因為晶 片典型地是被自動機械手臂所操控以置放晶片在加熱器/真空夾持件上。機 械手臂造成的晶片錯置是難以偵測出。

在公元1999年8月6日提出申請且在公元2001年2月23日公開而 標題為“Position-Sensing?Device”的日本專利申請案號P2001-50732中， 發(fā)明人描述了一種用以感測各種設(shè)備零件的位置的裝置，其中所述設(shè)備零 件需要被定位以進行產(chǎn)品制造、檢測等等。發(fā)明人聲稱通過提供一位置感 測裝置已經(jīng)解決了錯置物體的技術(shù)問題，其中該位置感測裝置能夠不受限 于產(chǎn)品形狀而可靠地感測一位置狀態(tài)且有效地避免錯置而不需要手動調(diào)整 嚴品。解決此問題的技術(shù)手段是在于，在感測是否一構(gòu)件被置放在一預定 位置的一位置感測裝置中(其中該預定位置相對應(yīng)于置放區(qū)塊，所置放構(gòu)件 被定位成與置放區(qū)塊有表面接觸)，一抽吸路徑中提供有一抽吸開口其能夠 被一抽吸設(shè)備施加抽吸，與一壓力感測器其用以感測該抽吸路徑中的壓力 降。

示范性實施例包括有一基材，一電子部件被安裝在基材上，前述置放 區(qū)塊包含多個突出部其在多個位置處支撐前述基材的底表面，并且前述抽 吸路徑中的抽吸開口形成在每一突出部的中心。其范例包括有做為被置放 構(gòu)件的矩形板狀基材，任何型式的電子部件(例如繼電器或電容)被適當?shù)? 裝設(shè)在基材的頂表面上。這即是所謂的卡邊緣型式連接器(card?edge?type connector)，其在基材的長側(cè)面兩者上嵌合于邊緣部。參閱圖1，基材形狀 凹部(矩形)形成在一基材定位塊的頂表面中，其中基材是被插入與移除開 該基材形狀凹部，該基材定位塊是用以限制自前面至后面且左邊至右邊的 移動。做為置放區(qū)塊而具有一平坦頂表面的突出部設(shè)置在該基材形狀凹部 的四個角落的每一者處，其中該突出部是突出于底表面上方。所述突出部 能使基材被置放且被固持在高于底表面一預定高度上方，其中該壓力感測 器對應(yīng)于構(gòu)件被設(shè)置而具有表面接觸的置放區(qū)塊。用以感測抽吸路徑中壓 力降的壓力感測器是繪示于圖2，標號為壓力感測器21。