[發明專利]使用基材背面壓力測量的基材定位確定

無效

• 申請號: 200680033662.2
• 申請日: 2006-08-08
• 公開（公告）號: CN101553596A
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發明（設計）人: W·B·邦;Y-K·V·王
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;C23C16/52;C23C16/458
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陸 嘉

1.一種判定是否一基材適當地被置放在一真空夾持件的表面上的方 法，該方法至少包含：

維持住基本上恒定的壓力于一制程腔室中，該真空夾持件的上表面暴 露于該制程腔室中的壓力；

建立一低壓于一局限空間中，其中該局限空間是溝通于該基材的底表 面；

將該局限空間隔離開一來源，其中該來源用以建立該低壓；

量測該局限空間中的壓力增加速率或達到該局限空間中一給定壓力所 需要時間；以及

將該壓力增加速率或該時間關聯于在該真空夾持件上該基材的滿足或 不滿足的置放的一指示物。

2.如權利要求1所述的方法，其中該壓力增加速率或一設定點壓力是 使用一壓力換能器而被量測，該壓力換能器是溝通于該局限空間的一部分。

3.如權利要求1所述的方法，其中一薄膜涂覆物正被施加在該制程腔 室中的一基材上，且在該真空夾持件上該基材的滿足或不滿足的置放的指 示物為累積在基材背側的涂覆量。

4.如權利要求3所述的方法，其中該基材是選自包含以下的群組：半 導體晶片、平面面板顯示器基材、與太陽能電池基材。

5.如權利要求4所述的方法，其中該基材為半導體晶片。

6.如權利要求1所述的方法，其中該制程腔室中的壓力是介于約200 托耳至約600托耳范圍內。

7.如權利要求6所述的方法，其中該基材的底表面下方的該局限空間 中的低壓是起初地介于約0.3托耳至約15托耳范圍內。

8.如權利要求7所述的方法，其中該局限空間中的壓力增加速率是低 于約60托耳/分鐘，其中該壓力增加速率是導因于該制程腔室中的壓力。

9.如權利要求8所述的方法，其中該壓力增加速率是介于約5托耳/ 分鐘至低于約60托耳/分鐘范圍內。

10.如權利要求1所述的方法，其中該指示物為所沉積薄膜厚度均勻 性、背側晶片涂覆物量、或其組合。

11.如權利要求10所述的方法，其中該指示物為薄膜均勻性，且其中 一可接受的壓力增加速率是關聯于一變化超過約2％的薄膜厚度均勻性。

12.一種用以判定是否一基材適當地被置放在一晶片夾持件的表面上 的設備，該設備至少包含：

a)制程腔室，其被密封隔離周圍環境，使得接觸于欲被處理基材的表 面的第一壓力能夠被控制；

b)至少一真空夾持件，其具有包括至少一開孔的表面，所述開孔是溝 通于至少一導管，一低于該第一壓力的第二壓力被建立于所述導管中；

c)至少一真空系統，其用以建立該第二壓力；

d)隔離裝置，其能夠隔離該導管，其中該導管是自該真空系統溝通于 該開孔，該真空系統用以建立該第二壓力；

e)壓力感測裝置，其量測該導管中的壓力；以及

f)指示物，其關聯于該導管中的壓力，該指示物是指示出是否該基材適 當地被置放在真空夾持件表面上。

13.如權利要求12所述的設備，其中該第一壓力低于大氣壓力。

14.如權利要求13所述的設備，其中該至少一真空系統亦用以建立該 制程腔室中的壓力，其中該制程腔室中的壓力低于大氣壓力，其中所述真 空系統用以建立低于大氣壓力的第二壓力于該導管中。

15.如權利要求14所述的設備，其中存在有一閥件系統，其適用以使 該導管中的該第二壓力低于該制程腔室中的該第一壓力。

16.如權利要求12所述的設備，其中該指示物是關聯于該導管中的一 壓力增加速率。

17.如權利要求12所述的設備，其中該指示物是關聯于需要達到一名 義上指定壓力的時間。

18.如權利要求16所述的設備，其中該指示物為膜層厚度均勻性。