[發明專利]大面積電子設備的圖案化化學電鍍金屬化制程

無效

• 申請號: 200680033024.0
• 申請日: 2006-09-07
• 公開（公告）號: CN101578141A
• 公開（公告）日: 2009-11-11
• 發明（設計）人: T·威德曼
• 申請（專利權）人: 應用材料股份有限公司
• 主分類號: B05D3/04
• 分類號: B05D3/04;B05D3/12;B05D5/00;B05D5/12
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陸 嘉

1.一種形成導電特征于基材表面上的方法，其至少包含：

沉積含有金屬氧化物前驅物的耦合劑于基材的表面上；以及

暴露該耦合劑與該基材的表面于含四氧化釕的氣體，以形成含釕層于該基材的表面上。

2.如權利要求1所述的方法，其更包含利用無電沉積制程沉積導電層于該含釕層上。

3.如權利要求1所述的方法，其中該耦合劑為氧化性催化前驅物，其包含選自釕、鋨、鈷、銠、銥、鎳、鈀、鉑、銅、金與銀所組成的群組的金屬。

4.如權利要求2所述的方法，其中該導電層是由導電物質所形成，該導電物質是選自銅、鈷、鎳、釕、鈀、鉑、銀與金所組成的群組。

5.如權利要求1所述的方法，其中該基材的表面是由一物質所形成，該物質是選自二氧化硅、玻璃、氮化硅、氮氧化物、摻碳氧化硅、非晶硅、摻雜非晶硅、氧化鋅、氧化銦錫、過渡金屬與聚合性物質所組成的群組。

6.如權利要求1所述的方法，其中上述沉積該耦合劑的步驟至少包含：

沉積該耦合劑至該基材的表面上的所欲區域；以及

于真空環境內，加熱該基材至低于約100℃的溫度。

7.一種形成導電特征于基材表面上的方法，其至少包含：

沉積含有機物質于基材的表面上；

暴露該有機物質與該基材的表面于含四氧化釕的氣體，其中該四氧化釕可氧化該有機物質以選擇性沉積含釕層于該基材的表面上；以及

利用無電沉積制程沉積導電層于該含釕層上。

8.如權利要求7所述的方法，其中該含有機物質為有機硅烷物質。

9.如權利要求7所述的方法，其中該導電層是由導電物質所形成，該導電物質是選自銅、鈷、鎳、釕、鈀、鉑、銀與金所組成的群組。

10.如權利要求7所述的方法，其中該基材的表面是由一物質所形成，該物質是選自二氧化硅、玻璃、氮化硅、氮氧化物、摻碳氧化硅、非晶硅、摻雜非晶硅、氧化鋅、氧化銦錫、過渡金屬與聚合性物質所組成的群組。

11.一種形成導電特征于基材表面上的方法，其至少包含：

沉積包含金屬氧化物前驅物的液態耦合劑于基材的表面上；

利用還原劑還原該金屬氧化物前驅物；以及

利用無電沉積制程沉積導電層于該含釕層上。

12.如權利要求11所述的方法，其中該液態耦合劑包含選自釕、鋨、鈷、銠、銥、鎳、鈀、鉑、銅、金與銀所組成的群組的高氧化態金屬。

13.如權利要求11所述的方法，其中該導電層是由導電物質所形成，該導電物質是選自銅、鈷、鎳、釕、鈀、鉑、銀、與金所組成的群組。

14.如權利要求1所述的方法，其中該基材的表面是由一物質所形成，該物質是選自二氧化硅、玻璃、氮化硅、氮氧化物、摻碳氧化硅、非晶硅、摻雜非晶硅、氧化鋅、氧化銦錫、過渡金屬與聚合性物質所組成的群組。

15.如權利要求11所述的方法，其中上述沉積該耦合劑的步驟至少包含：

沉積該耦合劑至該基材的表面上的所欲區域；以及

于真空環境內，加熱該基材至低于約100℃的溫度。

16.一種選擇性形成層于基材表面上的方法，其至少包含：

選擇性應用液態耦合劑至基材表面上的所欲區域；以及

利用含四氧化釕氣體于該所欲區域內形成含釕層。

17.如權利要求16所述的方法，其中該液態耦合劑包含金屬烷氧化物(metal?alkoxide)。

18.如權利要求16所述的方法，其中該金屬烷氧化物的金屬是選自鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉬、鎢、硅、鍺、錫、鉛、鋁、鎵與銦所組成的群組。

19.如權利要求16所述的方法，其中上述選擇性應用該液態耦合劑至少包含：

沉積該液態耦合劑至基材的表面的所欲區域；以及

于真空環境內，加熱該基材至低于約100℃的溫度。