[發(fā)明專利]大面積電子設(shè)備的圖案化化學(xué)電鍍金屬化制程

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680033024.0
• 申請日: 2006-09-07
• 公開（公告）號(hào): CN101578141A
• 公開（公告）日: 2009-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: T·威德曼
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料股份有限公司
• 主分類號(hào): B05D3/04
• 分類號(hào): B05D3/04;B05D3/12;B05D5/00;B05D5/12
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 陸 嘉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例大體上與在基材表面上沉積導(dǎo)電層之前沉積催化層的方法相關(guān)。

背景技術(shù)

使用傳統(tǒng)技術(shù)的平面顯示器裝置、太陽能蓄電池、與其他電子裝置的金屬化(如化學(xué)電鍍與電化學(xué)電鍍)具某些負(fù)面特質(zhì)，其通常包含對(duì)基材表面附著力不佳。因此形成內(nèi)連線層時(shí)，如通過傳統(tǒng)技術(shù)沉積于薄膜上的銅層，沉積層的內(nèi)或外應(yīng)力通常導(dǎo)致金屬層自基材表面脫裂。

傳統(tǒng)沉積技術(shù)如物理氣相沉積(PVD)與電化學(xué)金屬化制程無法于基材表面上選擇性形成金屬化特征。使用非選擇性沉積制程形成不連續(xù)特征，需微影圖案步驟與金屬蝕刻步驟以在基材表面上得所需導(dǎo)電性圖案，其通常花費(fèi)高昂、時(shí)間密集、及/或勞力密集。

于太陽能蓄電池、筆記型電腦、平面顯示器與結(jié)構(gòu)玻璃與其他類似應(yīng)用，可暴露于大氣中或其他侵蝕基部物質(zhì)或于基材表面上形成導(dǎo)電路徑(conductive?traces)的污染物。于若干應(yīng)用中，一般希望形成覆蓋涂層(blanket?coating)或分離導(dǎo)電區(qū)(discrete?conductive?regions)以讓施加電流通過或在不造成明顯影響下抵抗靜電。

因此，業(yè)界對(duì)直接沉積所需圖案的導(dǎo)電金屬層以形成內(nèi)連線特征或其他對(duì)基材表面附著力強(qiáng)的元件結(jié)構(gòu)的方法仍有需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明大體上提供于基材表面上形成導(dǎo)電特征的方法，包含于基材表面上沉積含有金屬氧化物前驅(qū)物的耦合劑；以及暴露耦合劑與基材表面于含四氧化釕氣體，以形成含釕層于基材表面上。

本發(fā)明實(shí)施例更提供于基材表面上形成導(dǎo)電特征的方法，其至少包含沉積含有機(jī)物質(zhì)于基材表面上；暴露有機(jī)物質(zhì)與基材表面于含四氧化釕氣體，其中四氧化釕氧化有機(jī)物質(zhì)以選擇性沉積含釕層于基材表面上；以及通過無電沉積制程沉積導(dǎo)電層于含釕層上。

本發(fā)明實(shí)施例更提供形成導(dǎo)電特征于基材表面上的方法，其至少包含沉積含金屬氧化物前驅(qū)物的液態(tài)耦合劑于基材表面上；通過還原劑還原金屬氧化物前驅(qū)物；以及通過無電沉積制程沉積導(dǎo)電層于含釕層上。

本發(fā)明實(shí)施例更提供選擇性于基材表面上形成層的方法，其至少包含選擇性應(yīng)用液態(tài)耦合劑至基材表面所欲區(qū)域；以及通過含四氧化釕氣體于所欲區(qū)域內(nèi)形成含釕層。

本發(fā)明實(shí)施例更提供于基材上形成層狀金屬氧化物涂層，包含通過分解四氧化釕形成含釕層涂層；以及通過分解蒸氣相含金屬前驅(qū)物所形成的金屬氧化物涂層。

本發(fā)明實(shí)施例更提供于基材上形成導(dǎo)電涂層，其至少包含通過傳送含四氧化釕氣體與含揮發(fā)性金屬氧化物之前驅(qū)物至基材表面，以沉積混合金屬氧化物涂層于基材表面上。

本發(fā)明實(shí)施例更提供于基材表面上形成導(dǎo)電特征的方法，其至少包含通過由沉積聚合性物質(zhì)于基材表面上，于兩分離元件間(形成于基材表面上)沉積介電層；暴露介電層于含四氧化釕氣體，其中四氧化釕氧化介電層表面以形成含釕層；以及通過無電沉積制程沉積導(dǎo)電層于含釕層上。

附圖說明

為使本發(fā)明上述特征的手法可被詳盡理解，簡明摘要本發(fā)明一特定實(shí)施例于上，其可參照實(shí)施例，其中一些則有附加圖示加以闡明。然而值得注意的是，附加圖示僅圖解本發(fā)明典型實(shí)施例但不限制其范圍，本發(fā)明亦承認(rèn)其他等效實(shí)施例

圖1是圖解具金屬化特征形成于其上的基材的等角視圖；

圖2是圖解根據(jù)文中所述實(shí)施例的另一制程程序；

圖3為基材表面的代表圖，是圖解于方法步驟100的不同時(shí)期中各式成份至基材表面的鍵結(jié)；

圖4是圖解根據(jù)文中所述實(shí)施例的另一制程程序；

圖5是圖解適用于施行文中所述實(shí)施例的制程腔室概要代表圖；

圖6是圖解根據(jù)文中所述實(shí)施例的另一制程程序；

圖7A是圖解根據(jù)文中所述實(shí)施例的另一制程程序；

圖7B是圖解根據(jù)文中所述實(shí)施例的另一制程程序；

圖7C是圖解適用于施行文中所述實(shí)施例的制程室代表圖；

圖8A-C是圖解通過文中所述制程形成的集成電路制造程序的概要代表圖；

圖9是圖解根據(jù)文中所述實(shí)施例的制程程序。

主要元件符號(hào)說明

5基材????????????10表面

12耦合劑模組?????13層

14導(dǎo)電層?????????20特征

100步驟??????????101步驟

110步驟??????????112步驟

113氟氯烷????????114步驟

132步驟??????????134步驟

136步驟??????????200結(jié)構(gòu)

210裝置??????????211電接觸