[發明專利]晶體管及其制造方法、以及具有該晶體管的半導體裝置

無效

• 申請號: 200680031829.1
• 申請日: 2006-08-30
• 公開（公告）號: CN101253609A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 山手信一
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 孫秀武;李平英

1.?晶體管的制造方法，其為具有包含半導體膜的活性層的晶體管 的制造方法，所述半導體膜含有有機半導體化合物，該方法包括：

將所述半導體膜拉伸的工序、和

在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜粘貼在形成所述活性 層的面上獲得所述活性層的工序。

2.?晶體管的制造方法，其為具有包含半導體膜的活性層的晶體管 的制造方法，所述半導體膜含有有機半導體化合物，該方法包括：

使所述半導體膜取向的工序、和

在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜粘貼在形成所述活性 層的面上獲得所述活性層的工序。

3.?晶體管的制造方法，其為具有包含半導體膜的活性層的晶體管 的制造方法，所述半導體膜含有有機半導體化合物，該方法包括：

將所述半導體膜拉伸而取向的工序、和

在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜粘貼在形成所述活性 層的面上獲得所述活性層的工序。

4.?權利要求1～3任一項所述的晶體管的制造方法，其中，在與所 述面之間存在施工液而將所述半導體膜與所述面粘貼。

5.?晶體管的制造方法，其為具有源極和漏極、成為它們之間的電 流通路且包含含有有機半導體化合物的半導體膜的活性層、控制通過 所述電流通路的電流的柵極、以及配置在所述活性層和所述柵極之間 的絕緣層的晶體管的制造方法，該方法包括：

將所述半導體膜拉伸的工序、和

在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜與所述絕緣層粘貼獲 得所述活性層的工序。

6.?晶體管的制造方法，其為具有源極和漏極、成為它們之間的電 流通路且包含含有有機半導體化合物的半導體膜的活性層、控制通過 所述電流通路的電流的柵極、以及配置在所述活性層和所述柵極之間 的絕緣層的晶體管的制造方法，該方法包括：

使所述半導體膜取向的工序、和

在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜與所述絕緣層粘貼獲 得所述活性層的工序。

7.?晶體管的制造方法，其為具有源極和漏極、成為它們之間的電 流通路且包含含有有機半導體化合物的半導體膜的活性層、控制通過 所述電流通路的電流的柵極、以及配置在所述活性層和所述柵極之間 的絕緣層的晶體管的制造方法，該方法包括：

使所述半導體膜拉伸而取向的工序、和

在進行加熱和/或加壓的同時將所述半導體膜與所述絕緣層粘貼獲 得所述活性層的工序。

8.?權利要求5～7任一項所述的晶體管的制造方法，其中，在與 所述絕緣層之間存在施工液而將所述半導體膜與該絕緣層粘貼。

9.?權利要求5～8任一項所述的晶體管的制造方法，其中，所述 晶體管在所述源極和/或所述漏極與所述活性層之間具有含有與所述有 機半導體化合物不同化合物的層。

10.?晶體管，其為具有包含半導體膜的活性層的晶體管，所述半導 體膜含有有機半導體化合物，

所述活性層含有拉伸的所述半導體膜，且在進行加熱和/或加壓的 同時將所述半導體膜粘貼在形成所述活性層的面上而形成。

11.?晶體管，其為具有包含半導體膜的活性層的晶體管，所述半導 體膜含有有機半導體化合物，

所述活性層含有取向的所述半導體膜，且在進行加熱和/或加壓的 同時將所述半導體膜粘貼在形成所述活性層的面上而形成。

12.?晶體管，其為具有包含半導體膜的活性層的晶體管，所述半導 體膜含有有機半導體化合物，

所述活性層含有取向拉伸的所述半導體膜，且在進行加熱和/或加 壓的同時將所述半導體膜粘貼在形成所述活性層的面上而形成。

13.?權利要求10～12任一項所述的晶體管，其中所述活性層如下 形成：在與所述面之間存在施工液的狀態下將所述半導體膜粘貼在該 面上而形成。