[發明專利]金屬膜及其制法、層疊型電子部件制法及層疊型電子部件

無效

• 申請號: 200680030947.0
• 申請日: 2006-08-21
• 公開（公告）號: CN101688321A
• 公開（公告）日: 2010-03-31
• 發明（設計）人: 山口勝義
• 申請（專利權）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: C25D7/00
• 分類號: C25D7/00;C22C19/03;C25D3/56;C25D5/00;H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李香蘭

技術領域

本發明涉及一種金屬膜及其制法、還有層疊型電子部件的制法及層疊型電子部件，特別是涉及以Ni為主成分的金屬膜及其制法、還有將該金屬膜作為導體層適用的層疊型電子部件的制法及層疊型電子部件。

背景技術

近年來，作為層疊型電子部件代表例的層疊陶瓷電容器，對于小型高容量化的要求，被謀求作為陶瓷層的電介質層的薄層化，同時謀求作為導體層的內部電極層的薄層化。例如，作為內部電極層的導體圖案，其形成方法除了利用像濺射和蒸鍍等這樣的物理性薄膜形成法、或像無電解鍍膜這樣的化學性薄膜形成法形成在薄膜上的方法(例如，專利文獻1)以外，作為適于批量生產的方法，還提出了利用使用了鎳等的電解液的電鍍法(例如，專利文獻2)形成的方法。

另外，近年來，本發明者們公開了在鍍Ni圖案中加入硫等添加物，能夠提高陶瓷層上的鍍膜的追隨性，提高兩層間的粘接力(例如，專利文獻3)。

專利文獻1：特開2000-243650號公報

專利文獻2：特開2002-329634號公報

專利文獻3：特開2003-309037號公報

根據上述方法，導體圖案的薄層化能夠容易進行。可是，這些薄膜中、特別是利用電鍍法獲得的鍍膜，在該鍍膜中含有硫等的情況下，燒成后的導體層中，偏析出熔點為640℃，幾乎不固溶于Ni的Ni₃S₂等金屬間化合物。

圖5是表示將現有金屬膜作為半導體使用的層疊型電子部件的內部結構的模式圖。該圖5表示相對于在長方體狀層疊型電子部件的對置位置具備的外部電極方向垂直切斷。若像這樣將偏析出Ni₃S₂等金屬間化合物的金屬膜作為導體圖案采用，則如圖5所示，在層疊陶瓷電容器內部形成的導體層55的端部收縮，在該端部和陶瓷層57之間容易形成空隙59，因此，存在的問題是由于該空隙而無法在耐熱沖擊試驗中獲得可靠性。

另外，在采用了上述導體圖案的層疊陶瓷電容器的制造中，當采用幾乎沒有溫度分布的實驗室級別的燒成爐時，即使是薄層化了的導體層也能夠如上所述防止導體層的中斷和結構缺陷等。可是，若采用像隧道型連續爐這樣的工業用大型生產用燒成爐，同時大量燒成，則由于這種連續爐與實驗爐相比爐內的溫度差大，從而在燒成溫度低的區域所燒成的試料，燒成后導體層端部的收縮降低，而在燒成溫度高的區域所燒成的試料燒成后導體層端部的收縮變大，同時，容易發生導體層的中斷和空隙等結構缺陷。從而，導體層的有效面積減少，其結果是存在導致批量生產的層疊陶瓷電容器的靜電容量下降這樣的問題。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種金屬膜及其制法、還有由這樣的金屬膜形成的層疊型電子部件及其制法，即使是在采用大型生產用燒成爐時也能夠抑制導體層端部的空隙的形成、且能夠抑制導體圖案的不連續部分的發生。

本發明者們，為了解決上述課題進行反復的銳意研究，結果發現由以下構成形成的解決方案，直至完成本發明。

即，本發明的金屬膜，是以Ni為主成分的金屬膜，該金屬膜含有Mn和從周期表3A～6A族元素組中選擇的元素，同時，與所述金屬膜中央部相比周邊部更高濃度地存在所述Mn和所述從周期表3A～6A族元素組中選擇的元素。另外，在上述金屬膜中，優選是其金屬膜周邊部的Mn和從周期表3A～6A族元素組中選擇的元素的總濃度與所述中央部上它們的總濃度相比在1.05～3倍的范圍。優選是所述金屬膜中Mn的含量為2×10^-1～5質量％。優選是所述金屬膜中從周期表3A～6A族元素組中選擇的元素的含量為1×10^-1～3×10^-1質量％。另外，所述金屬膜中從周期表3A～6A族元素組中選擇的元素優選是硫、硼及磷。

這種金屬膜的制法，具備以下工序：采用含有Mn和從周期表3A～6A族元素組中選擇的元素的鍍Ni液，在電流密度4.5～20A/dm²的條件下，在基體材料上與Ni一起析出Mn和從周期表3A～6A族元素組中選擇的元素的工序。上述金屬膜在上述鍍Ni液中含有的全部金屬成分中，優選是Mn的含量為2×10^-1～5質量％，從周期表3A～6A族元素組中選擇的元素的含量為1×10^-1～3×10^-1質量％。