[發明專利]用于俘獲基板的系統和方法

無效

• 申請號: 200680030803.5
• 申請日: 2006-07-31
• 公開（公告）號: CN101247900A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 丹尼爾·小耶爾法瑞;特洛伊·B·史考金斯
• 申請（專利權）人: 恩特格林斯公司
• 主分類號: B08B17/00
• 分類號: B08B17/00;H01L21/322;H01L21/00;C23C16/44;G01N33/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司
• 代理人: 許靜

1.一種從一用于電子處理一電子基板的環境中移除一分子物種的方法，其特征在于，包括：

提供一俘獲基板，其中該俘獲基板的表面積不同于該電子基板；

將該俘獲基板曝露于該環境中；

將該分子物種從該環境中輸送至該俘獲基板，以便從該環境中移除該分子物種。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電子基板為一硅晶圓。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述硅晶圓為一正在進行電子處理的未經處理單晶硅晶圓。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述俘獲基板的表面積大于該硅晶圓。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述俘獲基板的表面積至少約為該硅晶圓的表面積的10倍。

6.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述俘獲基板的表面積至少約為該硅晶圓的表面積的25倍。

7.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述俘獲基板的表面積至少約為該硅晶圓的表面積的100倍。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述俘獲基板包含硅。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述俘獲基板包含一低k介電質。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述俘獲基板包含銅，而曝露該俘獲基板則包含將該銅曝露于該環境之中。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述俘獲基板具有一仿真該電子基板表面特征的表面。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述環境是位于一輸送容器內。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述環境是位于一前開式聯合晶圓盒內。

14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述前開式聯合晶圓盒被配置成用以固持至少26片晶圓形狀的基板。

15.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述分子物種為一污染物。

16.如權利要求15所述的方法，其特征在于，所述輸送該分子物種會因而純化該污染物的環境。

17.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述環境包括一流動流體。

18.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述環境大體上是靜止的。

19.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：

確認輸送至該俘獲基板的分子物種的特征，從而偵測該分子物種。

20.如權利要求19所述的方法，其特征在于，確認該分子物種的特征包括從該俘獲基板中脫附該物種。

21.一種從一用于電子處理一電子基板的環境中移除與偵測一分子物種的方法，其特征在于，包括：

提供一俘獲基板，其中該俘獲基板的表面積不同于該電子基板；

將該俘獲基板曝露于該環境中；

將該分子物種從該環境中輸送至該俘獲基板；

確認輸送至該俘獲基板的分子物種的特征，以便偵測該分子物種。

22.如權利要求21所述的方法，其特征在于，所述確認該分子物種的特征包括從該俘獲基板中脫附該物種。

23.如權利要求21所述的方法，其特征在于，所述電子基板為一硅晶圓。

24.如權利要求23所述的方法，其特征在于，所述硅晶圓為一正在進行電子處理的未經處理單晶硅晶圓。

25.如權利要求23所述的方法，其特征在于，所述俘獲基板的表面積大于該硅晶圓。

26.如權利要求23所述的方法，其特征在于，所述俘獲基板的表面積至少約為該硅晶圓的表面積的10倍。

27.如權利要求23所述的方法，其特征在于，所述俘獲基板的表面積至少約為該硅晶圓的表面積的25倍。

28.如權利要求23所述的方法，其特征在于，所述俘獲基板的表面積至少約為該硅晶圓的表面積的100倍。