[發(fā)明專利]具有側(cè)柵控和頂柵控讀出晶體管的雙端口增益單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680030712.1
• 申請(qǐng)日: 2006-06-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101248529A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·曼德?tīng)柭?/a>;程慷果;R·迪瓦卡魯尼;C·拉登斯;王耕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所
• 代理人: 王茂華

1.?一種存儲(chǔ)器單元，包括：

第一晶體管，分別具有柵極、源極和漏極；

第二晶體管，分別具有第一柵極、第二柵極、源極和漏極；以及

電容器，具有第一端子，其中所述電容器的第一端子和所述第二晶體管的第二柵極包括單個(gè)實(shí)體。

2.?如權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器單元，其中所述第一晶體管耦合到存儲(chǔ)器陣列的寫入字線、第一節(jié)點(diǎn)和所述存儲(chǔ)器陣列的位線；所述第二晶體管耦合到讀出字線、所述第二節(jié)點(diǎn)、電壓源和所述位線；以及所述電容器連接到所述第一節(jié)點(diǎn)且進(jìn)一步包括連接到電壓源的第二端子。

3.?如權(quán)利要求2的存儲(chǔ)器單元，其中所述第二晶體管包含第一表面和第二表面，其中所述第二晶體管的第一表面為水平取向，且所述第二晶體管的第二表面為垂直取向。

4.?如權(quán)利要求2的存儲(chǔ)器單元，其中所述第一表面的近端在所述第二表面的近端附近，且所述第一表面的遠(yuǎn)端在所述第二表面的遠(yuǎn)端附近。

5.?如權(quán)利要求2的存儲(chǔ)器單元，其中所述第二晶體管的源極位于近端或遠(yuǎn)端中的一個(gè)上，且所述第二晶體管的漏極位于所述近端或所述遠(yuǎn)端中的另一個(gè)上。

6.?如權(quán)利要求2的存儲(chǔ)器單元，其中所述第二晶體管的第一柵極設(shè)置在所述第一表面上，且所述第二晶體管的第二柵極設(shè)置在所述第二表面上。

7.?如權(quán)利要求2的存儲(chǔ)器單元，其中所述單個(gè)實(shí)體是電容器電極。

8.?如權(quán)利要求1的存儲(chǔ)器單元，其中所述第一晶體管耦合到存儲(chǔ)器陣列的寫入字線、第一節(jié)點(diǎn)和所述存儲(chǔ)器陣列的寫入位線；所述第二晶體管耦合到讀出字線、所述第一節(jié)點(diǎn)、電壓源和讀出位線；以及所述電容器的第一端子連接到所述第一節(jié)點(diǎn)且所述電容器進(jìn)一步包括連接到電壓源的第二端子。

9.?如權(quán)利要求8的存儲(chǔ)器單元，其中所述第二晶體管包含第一表面和第二表面，其中所述第二晶體管的第一表面為水平取向，且所述第二晶體管的第二表面為垂直取向。

10.?如權(quán)利要求8的存儲(chǔ)器單元，其中所述第一表面的近端在所述第二表面的近端附近，且所述第一表面的遠(yuǎn)端在所述第二表面的遠(yuǎn)端附近。

11.?如權(quán)利要求8的存儲(chǔ)器單元，其中所述第二晶體管的源極位于近端或遠(yuǎn)端中的一個(gè)上，且所述第二晶體管的漏極位于所述近端或所述遠(yuǎn)端中的另一個(gè)上。

12.?如權(quán)利要求8的存儲(chǔ)器單元，其中所述第二晶體管的第一柵極設(shè)置在所述第一表面上，且所述第二晶體管的第二柵極設(shè)置在所述第二表面上。

13.?如權(quán)利要求8的存儲(chǔ)器單元，其中所述單個(gè)實(shí)體是電容器電極。

14.?一種用作存儲(chǔ)器單元的讀出元件的雙柵控晶體管，包括：

讀出字線柵極，位于存儲(chǔ)電容器的表面的頂部上，所述存儲(chǔ)電容器位于絕緣體上半導(dǎo)體襯底內(nèi)；以及

側(cè)柵極，位于所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底內(nèi)，所述側(cè)柵極包括所述存儲(chǔ)電容器的節(jié)點(diǎn)導(dǎo)體。

15.?如權(quán)利要求14的雙柵控晶體管，其中所述絕緣體上半導(dǎo)體襯底包括通過(guò)掩埋絕緣層隔開(kāi)的頂部SOI層和底部襯底層。

16.?如權(quán)利要求14的雙柵控晶體管，其中所述讀出字線柵極包括導(dǎo)體和作為柵極電介質(zhì)的轉(zhuǎn)移氧化物。

17.?如權(quán)利要求14的雙柵控晶體管，其中所述存儲(chǔ)電容器位于存儲(chǔ)溝槽中，利用電介質(zhì)材料對(duì)所述存儲(chǔ)溝槽加襯，所述電介質(zhì)材料是側(cè)柵極的柵極電介質(zhì)。

18.?如權(quán)利要求14的雙柵控晶體管，其中所述讀出字線柵極位于存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容器的上方，且絕緣層將所述讀出字線柵極和所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電容器隔開(kāi)。

19.?如權(quán)利要求14的雙柵控晶體管，其中氮化物層位于所述讀出字線柵極和所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)導(dǎo)體之間。