[發明專利]用于在MEMS裝置內形成層以實現錐形邊緣的方法

無效

• 申請號: 200680030211.3
• 申請日: 2006-08-17
• 公開（公告）號: CN101258101A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 桂成斌;笹川照夫;董明豪;王春明;斯蒂芬·澤
• 申請（專利權）人: 高通MEMS科技公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉國偉

相關申請案的交叉參考

本申請案根據35U.S.C.§119(e)主張2005年8月19日申請的第60/710,019號美國臨時申請案的優先權，所述臨時申請案全文以引用的方式并入本文中。

技術領域

無

背景技術

微機電系統(MEMS)包含微機械元件、激活器和電子元件。可使用沉積、蝕刻和/或其它蝕刻去除襯底和/或已沉積材料層的部分或者添加層以形成電裝置和機電裝置的微加工工藝來產生微機械元件。一種類型的MEMS裝置稱為干涉式調制器。如本文所使用，術語干涉式調制器或干涉式光調制器指的是一種使用光學干涉原理選擇性地吸收且/或反射光的裝置。在某些實施例中，干涉式調制器可包括一對導電板，其中之一或兩者可能整體或部分透明且/或具有反射性，且能夠在施加適當電信號時進行相對運動。在特定實施例中，一個板可包括沉積在襯底上的固定層，且另一個板可包括通過氣隙與固定層分離的金屬薄膜。如本文更詳細描述，一個板相對于另一個板的位置可改變入射在干涉式調制器上的光的光學干涉。這些裝置具有廣范圍的應用，且在此項技術中，利用且/或修改這些類型裝置的特性使得其特征可被發掘用于改進現有產品和創建尚未開發的新產品，將是有益的。

發明內容

在一個實施例中，提供一種制造MEMS裝置的方法，所述方法包含形成電極層；在所述電極層上形成掩模；使用所述掩模圖案化所述電極層以形成隔離電極部件；以及使所述電極部件成錐形以形成向外成錐形的邊緣部分，其中所述掩模的至少一部分在成錐形期間保持在適當位置。

在另一實施例中，提供一種制造MEMS裝置的方法，所述方法包含在襯底上形成犧牲層；圖案化所述犧牲層以形成孔；在所述圖案化犧牲層上形成支撐層；在所述支撐層上形成掩模；使用所述掩模圖案化所述支撐層以形成至少部分位于所述犧牲層中的所述孔內的至少一個支撐結構；以及使所述支撐結構成錐形以形成錐形邊緣，其中所述掩模的至少一部分在成錐形期間保持在適當位置。

在另一實施例中，提供一種制造MEMS裝置的方法，所述方法包含在襯底上形成電極層；在所述電極層上形成犧牲層；圖案化所述犧牲層以形成延伸穿過所述犧牲層的至少一個錐形孔；形成上覆在延伸穿過所述犧牲層的所述錐形孔上的包含孔的掩模層，所述掩模層包含在所述掩模層中的所述孔周圍延伸的懸置部分；在所述掩模層上沉積支撐層；經由剝離工藝去除所述掩模層，從而形成至少部分位于延伸穿過所述犧牲層的所述錐形孔內的支撐結構；以及在鄰近于所述支撐結構處形成可移動層。

在另一實施例中，提供一種制造MEMS裝置的方法，所述方法包含在襯底上形成電極層；在所述電極層上形成掩模，其中所述掩模包含圍繞所述掩模的外圍延伸的負角；在所述掩模上沉積犧牲材料層；經由剝離工藝去除所述掩模，從而形成包含錐形孔的犧牲層；形成至少部分位于所述錐形孔內的支撐結構；以及在鄰近于所述支撐結構處形成可移動層。

在另一實施例中，提供一種制造MEMS裝置的方法，所述方法包含在襯底上形成下部電極層；在所述電極層上形成犧牲層；形成上覆在所述犧牲層上的掩模層，所述掩模層包含孔，所述孔具有在所述孔的邊緣周圍延伸的懸置部分；在所述掩模層上沉積電極材料層；經由剝離工藝去除所述掩模層，從而形成具有向外成錐形的邊緣的至少一隔離電極部件。

附圖說明

圖1是描繪干涉式調制器顯示器的一個實施例的一部分的等角視圖，其中第一干涉式調制器的可移動反射層處于松弛位置，且第二干涉式調制器的可移動反射層處于激活位置。

圖2是說明并入有3×3干涉式調制器顯示器的電子裝置的一個實施例的系統方框圖。

圖3是圖1的干涉式調制器的一個示范性實施例的可移動鏡位置對所施加電壓的圖。

圖4是可用于驅動干涉式調制器顯示器的一組行和列電壓的說明。

圖5A說明圖2的3×3干涉式調制器顯示器中的顯示數據的一個示范性幀。

圖5B說明可用于對圖5A的幀進行寫入的行和列信號的一個示范性時序圖。

圖6A和6B是說明包括多個干涉式調制器的視覺顯示裝置的實施例的系統方框圖。

圖7A是圖1的裝置的橫截面。

圖7B是干涉式調制器的替代實施例的橫截面。

圖7C是干涉式調制器的另一替代實施例的橫截面。

圖7D是干涉式調制器的又一替代實施例的橫截面。

圖7E是干涉式調制器的額外替代實施例的橫截面。

圖8是其中個別元件包括支撐結構的干涉式調制器元件陣列的俯視平面圖。