[發明專利]用于在MEMS裝置內形成層以實現錐形邊緣的方法

無效

• 申請號: 200680030211.3
• 申請日: 2006-08-17
• 公開（公告）號: CN101258101A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 桂成斌;笹川照夫;董明豪;王春明;斯蒂芬·澤
• 申請（專利權）人: 高通MEMS科技公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉國偉

1.一種制造MEMS裝置的方法，其包括：

形成電極層；

在所述電極層上形成掩模；

使用所述掩模圖案化所述電極層以形成隔離電極部件；以及

使所述電極部件成錐形以形成向外成錐形的邊緣部分，其中所述掩模的至少一部分在所述成錐形期間保持在適當位置。

2.根據權利要求1所述的方法，其中圖案化所述電極層和使所述電極部件成錐形包括單一蝕刻工藝，且其中所述掩模在所述蝕刻工藝期間保持在適當位置。

3.根據權利要求1所述的方法，其額外包括在所述電極層上形成蝕刻前導層，其中所述蝕刻前導層形成在所述掩模與所述電極層之間。

4.根據權利要求3所述的方法，其中使所述電極部件成錐形包括使用以比所述電極部件大的速率蝕刻所述蝕刻前導層的蝕刻來蝕刻所述電極部件。

5.根據權利要求3所述的方法，其中使所述電極部件成錐形包括：

用不顯著蝕刻所述電極部件的第一蝕刻來蝕刻所述蝕刻前導層的一部分；以及

隨后蝕刻所述電極部件以形成所述向外成錐形的邊緣部分。

6.根據權利要求3所述的方法，其額外包括在沉積所述電極層之前形成犧牲層，其中所述電極層形成在所述犧牲層上。

7.根據權利要求6所述的方法，其中可通過蝕刻所述犧牲層的蝕刻來蝕刻所述蝕刻前導層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中使所述電極部件成錐形進一步包括：

通過在所述蝕刻前導層與所述電極部件之間不具有選擇性的第一蝕刻來蝕刻所述蝕刻前導層的一部分和所述電極部件，其中所述第一蝕刻不暴露所述第一犧牲層；以及

通過相對于所述蝕刻前導層具有選擇性的第二蝕刻來蝕刻所述電極部件的一部分，其中所述第二蝕刻暴露所述第一犧牲層的一部分。

9.根據權利要求8所述的方法，其進一步包括：

在執行所述第二蝕刻之后去除上覆在所述蝕刻前導層上的所述掩模；以及

經由第三蝕刻去除所述蝕刻前導層。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述第三蝕刻相對于所述電極層具有選擇性。

11.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述電極層包括形成在層的厚度上具有變化的特性的電極層。

12.根據權利要求11所述的方法，其中形成在層的厚度上具有變化的特性的所述電極層包括改變所述電極層的沉積期間的工藝條件。

13.根據權利要求11所述的方法，其中形成在層的厚度上具有變化的特性的所述電極層包括：

在所述第一犧牲層上沉積第一子層；以及

在所述第一子層上沉積至少一第二子層，其中所述第二子層可通過在所述成錐形過程中使用的蝕刻劑以比所述第一子層大的速率蝕刻。

14.根據權利要求1所述的方法，其中在所述電極層上形成掩模包括沉積與所述電極層具有較差粘附力的掩模。

15.根據權利要求1所述的方法，其中使所述電極部件成錐形包括：

蝕刻所述電極層的暴露部分；

去除所述掩模的一部分，從而暴露所述電極層的額外部分；以及

蝕刻所述電極層的所述暴露部分和通過去除所述掩模的一部分而暴露的所述額外部分。

16.根據權利要求15所述的方法，其中去除所述掩模的所述部分包括部分灰化所述掩模。

17.根據權利要求15所述的方法，其額外包括在所述電極層下方形成蝕刻停止層。

18.根據權利要求1所述的方法，其額外包括：

在襯底上形成下部電極層；

在所述下部電極層上形成第一犧牲層，其中所述隔離電極部件形成在所述第一犧牲層上。

19.根據權利要求18所述的方法，其額外包括：

在所述隔離電極部件上形成第二犧牲層；

圖案化所述第二犧牲層以暴露所述隔離電極部件的一部分；以及

在所述第二犧牲層和所述隔離電極部件的所述暴露部分上形成機械層。

20.根據權利要求18所述的方法，其額外包括去除所述第一犧牲層，從而形成位于所述下部電極層與所述隔離電極部件之間的氣隙。