[發(fā)明專利]激光加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680029600.4
• 申請日: 2006-08-04
• 公開（公告）號: CN101242927A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 坂本剛志;村松憲一
• 申請（專利權(quán)）人: 浜松光子學(xué)株式會社
• 主分類號: B23K26/40
• 分類號: B23K26/40;H01L21/301;B28D5/00;B23K101/40
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 劉春成

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及沿著硅晶片的切斷預(yù)定線在硅晶片的內(nèi)部形成將成為切斷起點(diǎn)的多列改質(zhì)區(qū)域的激光加工方法。

背景技術(shù)

作為現(xiàn)有技術(shù)中的該技術(shù)已知如下方法：通過對半導(dǎo)體基板照射激光，沿著半導(dǎo)體基板的切割道在半導(dǎo)體基板的內(nèi)部形成多列變質(zhì)部，沿著該其切割道切斷半導(dǎo)體基板(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2005-19667號公報

發(fā)明內(nèi)容

但是，在用上述方法來切斷半導(dǎo)體基板時，從其切斷面產(chǎn)生顆粒，從而有可能污染切斷所得到的半導(dǎo)體芯片。

因此，本發(fā)明是鑒于此完成的發(fā)明，其目的在于提供一利激光加工方法，該方法可以防止從切斷硅晶片所得到的芯片的切斷面產(chǎn)生顆粒。

本發(fā)明者們?yōu)榱诉_(dá)到上述目的進(jìn)行了反復(fù)的潛心研究，其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，從切斷硅晶片所得到的芯片的切斷面產(chǎn)生顆粒的起因在于，在硅晶片的特定區(qū)域形成的改質(zhì)區(qū)域中出現(xiàn)的扭梳紋(twist?hackle)。

即，利用聚光用透鏡使激光聚光在厚度t(500μm＜t)的硅晶片的內(nèi)部，而沿著硅晶片的切斷預(yù)定線在硅晶片的內(nèi)部形成多列改質(zhì)區(qū)域并進(jìn)行切斷時，至少在自硅晶片的激光入射面起的深度為350μm～500μm的區(qū)域，在切斷面出現(xiàn)明顯的扭梳紋。因此，扭梳紋間的微小部分會剝離，產(chǎn)生硅顆粒。

圖18是表示利用已知的激光加工方法，在厚度625μm的硅晶片的內(nèi)部，相對于一條切斷預(yù)定線形成十九列的改質(zhì)區(qū)域時的硅晶片的切斷面的照片的圖。各改質(zhì)區(qū)域7₁～7₁₉是，以硅晶片11的表面3作為激光入射面，在如下表1所示的條件下從背面21側(cè)依序形成的。另外，在如下表1中，“聚光點(diǎn)位置”是指從激光的聚光點(diǎn)的位置至表面3的距離(以下相同)。另外，“出口輸出”是指從聚光用透鏡射出的激光的輸出，“擴(kuò)展角”是指入射到聚光用透鏡的激光的擴(kuò)展角(以下相同)。

表1

聚光點(diǎn)位置(μm)出口輸出(W)擴(kuò)展角(°)改質(zhì)區(qū)域7₁?618?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₂?599?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₃?580?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₄?561?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₅?535?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₆?517?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₇?494?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₈?467?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₉?440?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₁₀?409?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₁₁?375?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₁₂?342?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₁₃?305?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₁₄?280?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₁₅?245?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₁₆?210?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₁₇?174?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₁₈?121?1.2?0.2改質(zhì)區(qū)域7₁₉?69?0.72?0.2