[發明專利]激光加工方法

有效

• 申請號: 200680029600.4
• 申請日: 2006-08-04
• 公開（公告）號: CN101242927A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 坂本剛志;村松憲一
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: B23K26/40
• 分類號: B23K26/40;H01L21/301;B28D5/00;B23K101/40
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉春成

1.一種激光加工方法，其特征在于：

通過利用聚光用透鏡使激光聚光在厚度為t(500μm＜t)的硅晶片的內部，沿著所述硅晶片的切斷預定線，在所述硅晶片的內部形成多列成為切斷的起點的改質區域，

該激光加工方法具備：

在自所述硅晶片的激光入射面起的深度為350μm～500μm的第1區域，沿著所述切斷預定線形成第1改質區域的工序；和

在自所述激光入射面起的深度為0μm～250μm的第2區域，沿著所述切斷預定線形成第2改質區域的工序，

形成所述第1改質區域時的激光的照射條件，以在所述第1區域的激光的球面象差被修正的方式，相對于形成所述第2改質區域時的激光的照射條件而發生變化。

2.一種激光加工方法，其特征在于：

通過利用聚光用透鏡使激光聚光在厚度為t(350μm＜t≤500μm)的硅晶片的內部，沿著所述硅晶片的切斷預定線，在所述硅晶片的內部形成多列成為切斷的起點的改質區域，

該激光加工方法具備：

在自所述硅晶片的激光入射面起的深度為350μm～tμm的第1區域，沿著所述切斷預定線形成第1改質區域的工序；和

在自所述激光入射面起的深度為0μm～250μm的第2區域，沿著所述切斷預定線形成第2改質區域的工序，

形成所述第1改質區域時的激光的照射條件，以在所述第1區域的激光的球面象差被修正的方式，相對于形成所述第2改質區域時的激光的照射條件而發生變化。

3.如權利要求1所記載的激光加工方法，其特征在于：

所述第1及所述第2改質區域是熔融處理區域。

4.如權利要求1所記載的激光加工方法，其特征在于：

在形成所述第1改質區域時入射到所述聚光用透鏡的激光的擴展角，大于在形成所述第2改質區域時入射到所述聚光用透鏡的激光的擴展角。

5.如權利要求1所記載的激光加工方法，其特征在于：

形成所述第1改質區域時的所述聚光用透鏡的出射NA，大于形成所述第2改質區域時的所述聚光用透鏡的出射NA。

6.如權利要求1所記載的激光加工方法，其特征在于：

在形成所述第1改質區域時，在所述聚光用透鏡與所述硅晶片之間配置球面象差修正部件。

7.如權利要求2所記載的激光加工方法，其特征在于：

所述第1及所述第2改質區域是熔融處理區域。

8.如權利要求2所記載的激光加工方法，其特征在于：

在形成所述第1改質區域時入射到所述聚光用透鏡的激光的擴展角，大于在形成所述第2改質區域時入射到所述聚光用透鏡的激光的擴展角。

9.如權利要求2所記載的激光加工方法，其特征在于：

形成所述第1改質區域時的所述聚光用透鏡的射出NA，大于形成所述第2改質區域時的所述聚光用透鏡的射出NA。

10.如權利要求2所記載的激光加工方法，其特征在于：

在形成所述第1改質區域時，在所述聚光用透鏡與所述硅晶片之間配置球面象差修正部件。