[發(fā)明專利]制造薄膜層的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680029522.8
• 申請(qǐng)日: 2006-08-02
• 公開（公告）號(hào): CN101287856A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邁克爾·A·哈斯;保羅·F·博德;埃里克·W·黑默施
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 3M創(chuàng)新有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/04
• 分類號(hào): C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 郇春艷;郭國(guó)清

領(lǐng)域

本發(fā)明涉及制造薄膜層的方法，該薄膜層可用于，例如，電子裝置中的層，并且另一方面，本發(fā)明涉及制造圖案化層的方法和制造圖案化層的沉積體系。

背景

許多在電子裝置中用作薄膜的有機(jī)材料不能用光刻法來做圖案化，因?yàn)檫@些材料不能與光阻式化學(xué)和工藝兼容。因此，這些材料通常通過汽相沉積進(jìn)行沉淀并使用為電子裝置制備圖案薄膜層的蔭罩技術(shù)制備圖案。

然而，通過汽相沉積在相對(duì)較大的面積上(也就是說，相當(dāng)于用于沉積的真空室的尺寸的面積)得到均勻的薄膜層可能是困難的。采用蔭罩來對(duì)相對(duì)較大的面積制圖案化可能同樣會(huì)存在問題。通常，將會(huì)沉淀的有機(jī)源材料是粉末。如圖1所示，源(通常是努森池)14用于保持有機(jī)源材料。源材料被加熱并被蒸發(fā)到基本向上指向的光束16。蔭罩10因此必須被定位在沉積基底12的下面，沉積基底12和蔭罩10一起懸浮在源14上。然而，當(dāng)使用相對(duì)較大的聚合物蔭罩時(shí)，該蔭罩可能因重力而下垂17，這能導(dǎo)致裝置層的制備圖案和/或?qū)R不精確。然而，不能利用向下指向的光束，因?yàn)榉勰?huì)從朝下的源中溢出。

發(fā)明概述

根據(jù)上面所述，我們認(rèn)識(shí)到需要一種在相對(duì)較大的面積上制造圖案有機(jī)薄膜層的方法。我們進(jìn)一步認(rèn)識(shí)到需要一種能在相對(duì)較大的面積上提供均勻薄膜的方法。

簡(jiǎn)要地說，一方面，本發(fā)明提供了一種制造圖案化層的方法。該方法包括指引一束蒸發(fā)材料朝向光通量反射器使該束蒸發(fā)材料撞擊反射器的撞擊表面并從反射器那里改變方向(通過蔭罩中的一個(gè)或多個(gè)小孔)，落在沉積基底上形圖案化材料層。在此所用的“沉積基底”是指實(shí)際的電子裝置基底(也就是說，該基底通常在生產(chǎn)、測(cè)試和/或使用期間支承整個(gè)裝置)和源材料將沉淀在上面的任何先前沉淀的層。

另一方面，本發(fā)明提供了一種制造薄膜層的方法，包括指引一束蒸發(fā)材料朝向反射器使該束蒸發(fā)材料撞擊反射器并改變方向落在沉積基底上形成薄膜層，其中該薄膜層的厚度在超過約1600cm²的區(qū)域內(nèi)以小于約8％的幅度變化。

在另一方面，本發(fā)明提供了一種制造薄膜層的方法，該方法包括(a)指引一束蒸發(fā)材料朝向反射器，(b)允許該蒸發(fā)材料濃縮在反射器上，并(c)加熱該反射器來再次蒸發(fā)材料并轉(zhuǎn)移蒸發(fā)材料到沉積基底上作為薄膜層。

在另一方面，本發(fā)明提供了一種含有光通量反射器和蔭罩的沉積體系。該蔭罩可以是聚合物蔭罩，并且可以被沉積基底支承(也就是說，落在沉積基底上面)。

本發(fā)明中的方法能提供薄膜層，包括能在較大面積上保持均勻的有機(jī)薄膜層。此外，如圖2所示，使用本發(fā)明的方法，從源24發(fā)出的基本指向上方26的光束能通過使用反射器30改變方向形成向下光束28。這樣形成了一種構(gòu)造，在此構(gòu)造中蔭罩20落在沉積基底22上，從而消除了制圖案化期間蔭罩的任何下垂。

因此，本發(fā)明的方法滿足了本領(lǐng)域?qū)で笤谙鄬?duì)較大面積上制造圖案有機(jī)薄膜層的方法的需要。本發(fā)明的方法同樣滿足了本領(lǐng)域?qū)で笤?!-- SIPO -->相對(duì)較大面積上能提供均勻的有機(jī)薄膜層的方法的需要。

附圖說明

圖1描述制造圖案化層的已知方法。

圖2描述本發(fā)明制造圖案化層的方法的一個(gè)實(shí)施例。

圖3為使用20×物鏡拍攝的顯微照片，顯示了使用本發(fā)明的方法制造的圖案化層的頂視圖。

圖4為使用100×物鏡拍攝的顯微照片，顯示了使用本發(fā)明的方法制造的圖案化層的頂視圖。

圖5(a)和(b)為原來的光束和重定向的第二光束的理論通量的圖示。

圖6描述非平面反射器。

圖7為重定向的第二光束的理論通量的圖示。

具體實(shí)施方式

薄膜的源材料通常使用努森池來進(jìn)行蒸汽沉淀，雖然任何適當(dāng)?shù)恼羝恋矸椒ǘ寄苡糜诒景l(fā)明的方法。當(dāng)使用努森池時(shí)，將要沉淀的材料進(jìn)行加熱，用來在等溫機(jī)罩(“池”)中提供適當(dāng)?shù)恼羝麎毫Α某啬┒艘粋€(gè)小孔中滲出的分子使蒸發(fā)材料產(chǎn)生分子光束。本發(fā)明中的方法利用一個(gè)光通量反射器(本文中簡(jiǎn)稱為“反射器”)來改變此分子光束的方向。

基本上，努森池使蒸發(fā)材料產(chǎn)生一個(gè)“主要”光束。可將此主要光束朝著反射器，以使光束撞擊此反射器的表面(“撞擊面”)。然后從此反射器將蒸發(fā)材料反射或改變方向至“次”光束，以沉淀到一個(gè)沉積基底中。當(dāng)此光束撞擊反射器表面時(shí)，主光束的蒸發(fā)分子基本上是無規(guī)則的，這樣從沉積基底的角度來看，反射器似乎是次光束蒸發(fā)材料的一個(gè)大朗伯曲線源。此外，可通過蔭罩引導(dǎo)次光束來形成所得材料層。