[發明專利]光記錄介質以及光記錄介質的信息再現方法

無效

• 申請號: 200680029340.0
• 申請日: 2006-08-08
• 公開（公告）號: CN101243505A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 菊川隆;福澤成敏;小林龍弘;富永淳二;中野隆志;島隆之;金朱鎬;黃仁吾
• 申請（專利權）人: TDK股份有限公司;三星電子株式會社
• 主分類號: G11B7/24
• 分類號: G11B7/24;G11B7/005
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 高龍鑫;馬少東

1.一種光記錄介質，其特征在于，具有基板，而且至少具有形成在該基板上的記錄層以及超分辨率層，上述超分辨率層由在以規定照射功率的DC光照射1～300秒鐘時產生空隙的材料構成。

2.一種光記錄介質，其特征在于，具有基板，而且至少具有形成在該基板上的記錄層以及超分辨率層，上述超分辨率層由具有通過1～300秒鐘的DC光照射能夠產生空隙的規定照射功率的材料構成。

3.根據權利要求1或2所記載的光記錄介質，其特征在于，上述超分辨率層由以下材料構成，該材料是指，在利用DC光照射形成有用于再現的再現光學系統的分辨極限以下大小的單一頻率的記錄標記的記錄層、且使其照射功率從比產生上述空隙的規定照射功率更小的功率變化到大的功率時，再現信號的載波噪聲比以分貝為單位而至少變為3倍的材料。

4.根據權利要求1或2所記載的光記錄介質，其特征在于，上述超分辨率層由以下材料構成，該材料是指，在利用DC光照射形成有用于再現的再現光學系統的分辨極限以下大小的單一頻率的記錄標記的記錄層、且使其照射功率改變時，在再現信號的載波噪聲比以分貝為單位而至少呈現3倍差別的照射功率之間，具有產生上述空隙的規定照射功率的材料。

5.根據權利要求1至4中任一項所記載的光記錄介質，其特征在于，上述超分辨率層由Sb、Bi、Te、Zn、Sn、Ge、Si中的任一種的化合物構成。

6.根據權利要求5所記載的光記錄介質，其特征在于，在上述材料中至少包含有Ag或In。

7.一種光記錄介質的信息再現方法，其特征在于，對于以下光記錄介質。即，對于具有基板，而且至少具有形成在該基板上的記錄層以及超分辨率層，上述超分辨率層由在以規定照射功率的再現光照射1～300秒鐘時產生空隙的材料構成，上述記錄層上形成有用于再現的再現光學系統的分辨極限以下大小的記錄標記的光記錄介質，利用照射功率比產生上述空隙的照射功率更大的再現光進行照射，從而再現上述記錄標記的信息。

8.一種光記錄介質的信息再現方法，其特征在于，對于以下光記錄介質，即，對于具有基板，而且至少具有形成在該基板上的記錄層以及超分辨率層，上述超分辨率層由具有通過1～300秒鐘的DC光照射能夠產生空隙的規定照射功率的材料構成，在上述記錄層上形成有用于再現的再現光學系統的分辨極限以下大小的記錄標記的光記錄介質，利用照射功率比產生上述空隙的照射功率更大的再現光進行照射，從而再現上述記錄標記的信息。

9.一種光記錄介質的信息再現方法，其特征在于，對于以下光記錄介質，即，對于具有基板，而且至少具有形成在該基板上的記錄層以及超分辨率層，上述超分辨率層由具有通過1～300秒鐘的DC光照射能夠產生空隙的規定照射功率的材料構成，在上述記錄層上形成有用于再現的再現光學系統的分辨極限以下大小的記錄標記的光記錄標記，將產生上述空隙的照射功率的DC光的照射功率作為再現功率。