[發明專利]具有接觸結構的發光二極管芯片

有效

• 申請號: 200680028603.6
• 申請日: 2006-06-02
• 公開（公告）號: CN101238591A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發明（設計）人: V·哈爾;B·哈恩;J·鮑爾;R·奧博施米德;A·韋馬;E·K·M·古恩瑟;F·埃伯哈德;M·里克特;J·斯特勞斯
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 盧江;劉春元

技術領域

本發明涉及一種根據權利要求1的前序部分的發光二極管芯片。

本專利申請要求德國專利申請102005025416.0的優先權，該德國專利申請的公開內容于此通過引用被納入。

背景技術

在借助接合線進行電接觸的發光二極管芯片中，通常芯片表面的比較小的中心區域配備有用于連接接合線的接觸面(接合墊)。因為發光二極管通常以位于接合線對面的芯片表面被安裝到載體上或者被安裝到LED殼體中，所以布置有接合墊的芯片表面是輻射出射面，即是這樣的芯片表面，來自發光二極管芯片的在發光二極管芯片的有源區中所產生的電磁輻射的至少大部分從該芯片表面耦合輸出。

在傳統的、具有小于300μm的邊長的發光二極管芯片中，可以用中心地布置在輻射耦合輸出面上的接合墊來實現發光二極管芯片中相對均勻的電流分布。但是，在大面積的例如具有長達1mm的邊長的發光二極管芯片的情況下，這種接觸可能不利地導致發光二極管芯片的不均勻的電流饋電(Bestromung)，這種電流饋電導致升高的正向電壓以及在有源區中導致低的量子效率。這種效應尤其在具有低的橫向導電性的半導體材料的情況下、例如在氮化物化合物半導體的情況下出現。在這種情況下，最大的電流密度出現在發光二極管芯片的中心區域中，并且從中心接合墊出發朝著側邊隨著與接合墊的距離增大而減小。這通常導致輻射出射面的不希望的不均勻的亮度。此外不利的是，在發光二極管芯片的出現最大電流密度的中心區域中發射的輻射至少部分地朝著不透明的接合墊發射，并且因此至少部分地被吸收。

由DE?199?47?030?A1已知，InGaAlP-LED的輻射耦合輸出面配備有接觸結構，該接觸結構包括中心接合墊和多個與該接合墊相連接的接觸條(Kontaktsteg)，以便實現更好的電流擴展。

發明內容

本發明所基于的任務是，說明一種具有布置在輻射出射面上的改進的接觸結構的發光二極管芯片，該接觸結構的特色尤其是在于在接合墊中減少的輻射吸收。

該任務通過根據權利要求1的前序部分的發光二極管芯片來解決。本發明的有利的擴展方案和改進方案是從屬權利要求的主題。

在一種根據本發明的具有輻射出射面和接觸結構的發光二極管芯片中，該接觸結構被布置在輻射出射面上并且包括接合墊和多個被設置用于電流擴展的接觸條，這些接觸條與接合墊導電連接，接合墊被布置在輻射出射面的邊緣區域中。

通過將接合墊布置在輻射出射面的邊緣區域中，通過輻射出射面的中心區域從發光二極管芯片中出射的輻射有利地不在接合墊中被吸收。因此，接合墊在輻射出射面的邊緣區域中的布置尤其應如下來理解：和與輻射出射面的中心的距離相比，接合墊的中心與發光二極管芯片的至少一個側邊的距離更小。有利地，與具有中心地布置在輻射出射面上的接合墊的發光二極管芯片不同，通過將接合墊布置在輻射出射面的邊緣區域中，不需要在輻射出射面上將接合線引導到接合墊。這對于以比較高的電流強度、例如超過300mA的電流強度工作的發光二極管芯片來說是特別有利的，因為在以這樣高的電流強度工作時，需要比較粗的接合線，在該接合線中在布置于輻射出射面之上的情況下會出現對所發射的輻射的不可忽略的吸收。通過在輻射出射面上布置多個與接合墊導電連接的接觸條，盡管在輻射出射面的邊緣區域中布置有接合墊，仍然可以實現在發光二極管芯片中的比較均勻的電流分布。

接合墊和發光二極管芯片的至少一個側邊之間的距離優選地小于30μm。特別地，接合墊也可以直接鄰接發光二極管芯片的側邊。

有利地，接合墊被布置在輻射出射面的角落上，使得接合墊與發光二極管芯片的第一側邊之間的距離以及接合墊與發光二極管芯片的第二側邊之間的距離分別小于30μm。特別地，接合墊可以鄰接發光二極管芯片的第一側邊和第二側邊。

在一種優選的變型方案中，至少一個接觸條沿著發光二極管芯片的側邊延伸，其中與側邊的距離小于15μm。特別地，接觸條可以鄰接側邊。在輻射出射面上具有發光轉換層的發光二極管芯片的情況下，與側邊的小的間距是有利的。因為轉換層的邊緣區域應保持未被覆蓋，以便例如在制造期間能夠識別芯片損壞，所以邊緣區域可以借助布置接觸條有利地被用于電流擴展。

接觸條有利地被布置在輻射出射面上，使得電流均勻地流過發光二極管芯片的有源層，使得發光二極管芯片的輻射出射面具有均勻的亮度。特別是規定，接觸條在輻射出射面上構成至少一個矩形或者至少一個方形的輪廓。