[發明專利]具有接觸結構的發光二極管芯片

有效

• 申請號: 200680028603.6
• 申請日: 2006-06-02
• 公開（公告）號: CN101238591A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發明（設計）人: V·哈爾;B·哈恩;J·鮑爾;R·奧博施米德;A·韋馬;E·K·M·古恩瑟;F·埃伯哈德;M·里克特;J·斯特勞斯
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 盧江;劉春元

1.一種發光二極管芯片，具有輻射出射面(1)和接觸結構(2，3，4)，該接觸結構被布置在所述輻射出射面(1)上并且包括接合墊(4)和多個被設置用于電流擴展的接觸條(2，3)，這些接觸條與所述接合墊(4)導電連接，

其特征在于，所述接合墊(4)被布置在所述輻射出射面(1)的邊緣區域中。

2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述接合墊(4)和所述發光二極管芯片的至少一個側邊(9)之間的距離d₁小于30μm。

3.根據權利要求2所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述接合墊(4)和所述發光二極管芯片的另一個側邊(10)之間的距離d₂小于30μm。

4.根據上述權利要求之一所述的發光二極管芯片，其特征在于，至少一個接觸條(2，3)沿著側邊(9，10)延伸，其中與所述側邊(9，10)的距離小于15μm。

5.根據權利要求4所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述接觸條(2，3)鄰接所述發光二極管芯片的側邊(9，10)。

6.根據上述權利要求之一所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述輻射出射面(1)上的接觸條(2，3)構成至少一個矩形或者方形(8a，8b，8c)的輪廓。

7.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述接觸條(2，3)構成多個矩形或者方形(8a，8b，8c)的輪廓。

8.根據權利要求7所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述多個矩形或者方形(8a，8b，8c)分別具有至少一個共同的側邊。

9.根據權利要求8所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述多個矩形或者方形(8a，8b，8c)分別具有兩個共同的側邊。

10.根據權利要求6至9之一所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述接合墊(4)被布置在所述至少一個矩形或者方形(8a，8b，8c)的角點上。

11.根據上述權利要求之一所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述接觸條(2，3)包圍所述輻射出射面(1)的至少一個部分區域(11)。

12.根據權利要求11所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述接觸條(2，3)包圍所述輻射出射面(1)的80％以上。

13.根據權利要求11或12所述的發光二極管芯片，其特征在于，在所述輻射出射面(1)的被所述接觸條(2，3)包圍的部分區域(11)上涂敷有發光轉換層(12)。

14.根據權利要求1至5之一所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述接觸結構(2，3，4)被構造為叉形。

15.根據權利要求14所述的發光二極管芯片，其特征在于，在所述輻射出射面(1)上在所述接觸條(2，3)之間涂敷有發光轉換層(12)。

16.根據上述權利要求之一所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述接觸條中的至少一個(3)具有可變的寬度。

17.根據權利要求16所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述寬度從所述接合墊(4)出發連續增大。

18.根據權利要求16所述的發光二極管芯片，其特征在于，具有可變的寬度的接觸條(3)包含多個具有不同寬度的部分區域(5，6，7)。

19.根據權利要求18所述的發光二極管芯片，其特征在于，與所述接合墊(4)的距離較大的部分區域(7)比與所述接合墊(4)的距離較小的部分區域(5，6)更寬。

20.根據權利要求18或19之一所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述接觸條(3)的部分區域(5，6，7)的寬度與在所述發光二極管芯片工作時通過相應的部分區域(5，6，7)出現的電流強度匹配。

21.根據上述權利要求之一所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述接觸條(2，3)的寬度在10μm和40μm之間，其中該范圍包括10μm和40μm在內。

22.根據上述權利要求之一所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述發光二極管芯片是薄膜發光二極管芯片。