[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680028484.4 | 申請(qǐng)日： | 2006-07-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101238641A | 公開（公告）日： | 2008-08-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 炭田昌哉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H03K17/687 | 分類號(hào)： | H03K17/687;H01L21/822;H01L27/04;H03K19/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 陸弋;王誠(chéng)華 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 集成電路 | ||
1、一種半導(dǎo)體集成電路，包括：
至少包括用于供給襯底電壓的MOS元件的襯底電壓控制電路，用于控制所述半導(dǎo)體集成電路的襯底電壓的供給；
漏極電流設(shè)定器，用于通過(guò)控制所述用于供給襯底電壓的MOS元件的襯底電壓，來(lái)調(diào)節(jié)所述用于供給襯底電壓的MOS元件的漏極電流；
包括特性檢測(cè)元件的MOS元件特性檢測(cè)電路，用于檢測(cè)所述用于供給襯底電壓的MOS元件的特性；和
漏極電流校正器，用于通過(guò)根據(jù)所述MOS元件特性檢測(cè)電路所檢測(cè)的所述用于供給襯底電壓的MOS元件的特性，控制所述用于供給襯底電壓的MOS元件的襯底電壓，來(lái)校正所述用于供給襯底電壓的MOS元件的漏極電流。
2、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述特性檢測(cè)元件為電容元件。
3、如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述電容元件為結(jié)電容。
4、如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述電容元件為配線電容。
5、如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路，進(jìn)一步包括存儲(chǔ)器，其中
所述配線電容為所述存儲(chǔ)器的空比特線。
6、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述特性檢測(cè)元件為柵極電容。
7、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述特性檢測(cè)元件為配線電阻。
8、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述特性檢測(cè)元件由配線電容和電阻構(gòu)成。
9、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，進(jìn)一步包括復(fù)制所述半導(dǎo)體集成電路的至少一部分的復(fù)制模塊，其中
所述特性檢測(cè)元件被提供在所述復(fù)制模塊中。
10、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述特性檢測(cè)元件為所述半導(dǎo)體集成電路的功能元件。
11、如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，進(jìn)一步包括存儲(chǔ)器，其中
所述功能元件為所述存儲(chǔ)器的比特線。
12、如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述功能元件為時(shí)鐘配線。
13、如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述功能元件為時(shí)鐘緩沖器。
14、如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述功能元件為濾波器的電容單元。
15、如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述功能元件為VCO電路。
16、如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述功能元件為濾波器的電阻。
17、如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述功能元件為總線的配線。
18、如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體集成電路，其中所述功能元件為總線的驅(qū)動(dòng)器。
19、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中
所述漏極電流校正器包括電流源、電壓比較器和緩沖器，
所述電流源連接至所述用于供給襯底電壓的MOS元件的漏極，
所述用于供給襯底電壓的MOS元件的柵極被設(shè)置到任意電壓，
所述用于供給襯底電壓的MOS元件與所述電流源之間的信號(hào)線的電壓以及一基準(zhǔn)電壓被輸入到所述電壓比較器，
所述電壓比較器的比較結(jié)果被輸入到所述緩沖器，以及
所述緩沖器的輸出連接至所述用于供給襯底電壓的MOS元件的襯底電勢(shì)。
20、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其中
所述漏極電流校正器包括電流源、電流比較器和緩沖器，
所述用于供給襯底電壓的MOS元件的柵極被設(shè)置到任意電壓，
所述用于供給襯底電壓的MOS元件的漏極電流以及一基準(zhǔn)電流被輸入到所述電壓比較器，
所述電壓比較器的比較結(jié)果被輸入到所述緩沖器，以及
所述緩沖器的輸出連接至所述用于供給襯底電壓的MOS元件的襯底電勢(shì)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社，未經(jīng)松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680028484.4/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
