[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680028373.3
• 申請(qǐng)日: 2006-07-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101233604A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 約翰內(nèi)斯·J·T·M·東科爾斯;韋伯·D·范諾爾特;弗朗索瓦·納耶
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: NXP股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/331
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/331;H01L29/10;H01L29/732;H01L29/737
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳源;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體器件(10)，其具有襯底(12)和硅半導(dǎo)體主體(11)，該半導(dǎo)體器件包括雙極晶體管，該雙極晶體管具有分別是第一導(dǎo)電類(lèi)型的發(fā)射極區(qū)域(1)、與第一導(dǎo)電類(lèi)型相反的第二導(dǎo)電類(lèi)型的基極區(qū)域(2)和所述第一導(dǎo)電類(lèi)型的集電極區(qū)域(3)，包括集電極區(qū)域或發(fā)射極區(qū)域的第一半導(dǎo)體區(qū)域(3)被形成在半導(dǎo)體主體(11)中，在該半導(dǎo)體主體的頂部出現(xiàn)的是包括基極區(qū)域(2)的第二半導(dǎo)體區(qū)域(2)，在該第二半導(dǎo)體區(qū)域頂部出現(xiàn)的是包括所述的集電極區(qū)域和發(fā)射極區(qū)域中另外一個(gè)的第三半導(dǎo)體區(qū)域(1)，所述半導(dǎo)體主體(11)在第一和第二半導(dǎo)體區(qū)域(3，2)之間的過(guò)渡位置處被提供了壓縮層，該壓縮層是通過(guò)掩埋在半導(dǎo)體主體(11)中的電絕緣區(qū)域(26，27)形成的，該半導(dǎo)體器件的特征是：在掩埋的電絕緣區(qū)域上形成的半導(dǎo)體主體(11)的部分是單晶體。

2.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件(10)，其特征是：第二半導(dǎo)體區(qū)域(2)被提供了至少一個(gè)位于掩埋的電絕緣區(qū)域(26，27)上的電連接部分(200)。

3.按照權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件(10)，其特征是：具有層狀結(jié)構(gòu)的第二半導(dǎo)體區(qū)域(2)在臺(tái)面型的第三半導(dǎo)體區(qū)域(1)兩側(cè)上的厚度比在第三半導(dǎo)體區(qū)域(1)下面的厚度大。

4.按照權(quán)利要求1、2或3任一所述的半導(dǎo)體器件(10)，其特征是：半導(dǎo)體主體(11)包括另外的埋置的或掩埋的電絕緣區(qū)域(16，17)，從投影圖上看，所述電絕緣區(qū)域(16，17)以比掩埋的電絕緣區(qū)域(26，27)大的距離與第三半導(dǎo)體區(qū)域(1)隔離開(kāi)。

5.按照權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件(10)，其特征是：所述另外的埋置的或掩埋的電絕緣區(qū)域(16，17)具有比掩埋的電絕緣區(qū)域(26，27)大的厚度。

6.按照前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件(10)，其特征是：半導(dǎo)體主體(11)包括在壓縮層位置處的SiGe混合晶體。

7.按照權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件(10)，其特征是：所述壓縮層位于第二半導(dǎo)體區(qū)域(2)中。

8.按照前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件(10)，其特征是：第一半導(dǎo)體區(qū)域(3)包括集電極區(qū)域(3)，而第三半導(dǎo)體區(qū)域(1)包括發(fā)射極區(qū)域(1)。

9.按照權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件(10)，其特征是：基極區(qū)域(2)，優(yōu)選地還有集電極區(qū)域(3)，在發(fā)射極區(qū)域(1)的任一側(cè)被提供了雙電連接部分。

10.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該半導(dǎo)體器件帶有襯底(12)和硅半導(dǎo)體主體(11)，該半導(dǎo)體器件被提供了雙極晶體管，該雙極晶體管具有分別是第一導(dǎo)電類(lèi)型的發(fā)射極區(qū)域(1)、與第一導(dǎo)電類(lèi)型相反的第二導(dǎo)電類(lèi)型的基極區(qū)域(2)和所述第一導(dǎo)電類(lèi)型的集電極區(qū)域(3)，其中，包括集電極區(qū)域(2)或發(fā)射極區(qū)域的第一半導(dǎo)體區(qū)域(3)被形成在半導(dǎo)體主體(11)中，在該半導(dǎo)體主體的頂部形成的是包括基極區(qū)域的第二半導(dǎo)體區(qū)域(2)，在該第二半導(dǎo)體區(qū)域頂部形成的是包括所述的集電極區(qū)域和發(fā)射極區(qū)域中另外一個(gè)的第三半導(dǎo)體區(qū)域(1)，其中，所述半導(dǎo)體主體(11)在第一和第二半導(dǎo)體區(qū)域(3，2)之間的過(guò)渡位置處被提供了壓縮層，該壓縮層是通過(guò)形成在半導(dǎo)體主體(11)中掩埋的電絕緣區(qū)域(26，27)形成的，該半導(dǎo)體器件的制造方法的特征是：在掩埋的電絕緣區(qū)域(26，27)上存在的半導(dǎo)體主體(11)的部分是以單晶體的方式形成的。

11.按照權(quán)利要求10所述的方法，其特征是：在形成掩埋的電絕緣區(qū)域(26，27)的位置形成硅和鍺混合晶體的區(qū)域，通過(guò)選擇性刻蝕可以去除掉該區(qū)域，在此之后，用電絕緣材料填充所形成的腔(26A，27A)。

12.按照權(quán)利要求11所述的方法，其特征是：處在掩埋的電絕緣區(qū)域(26，27)之上的半導(dǎo)體主體(11)的部分是通過(guò)外延生長(zhǎng)在形成硅和鍺混合晶體以使其去除的區(qū)域的頂部形成的。

13.按照權(quán)利要求10、11或12所述的方法，其特征是：第二半導(dǎo)體區(qū)域(2)被提供了至少一個(gè)電連接部分(200)，該電連接部分被形成在掩埋的電絕緣區(qū)域(26，27)上。