[發(fā)明專利]平面背柵極CMOS中的高性能電容器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680026427.2
• 申請(qǐng)日: 2006-06-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101258592A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·布賴恩特;E·J·諾瓦克;R·Q·威廉姆斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司
• 主分類號(hào): H01L21/84
• 分類號(hào): H01L21/84;H01L27/108
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所
• 代理人: 于靜;楊曉光

1.一種制造雙柵極CMOS結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟：

在絕緣層中形成掩埋的第一板；

在所述絕緣層之上形成電對(duì)應(yīng)所述第一板的第二板；以及

在所述第一板與所述第二板之間提供隔離結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述隔離結(jié)構(gòu)在所述第一板之上形成第一介質(zhì)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括摻雜所述隔離結(jié)構(gòu)以在所述第一板與所述第二板之間形成擴(kuò)散區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述隔離結(jié)構(gòu)厚度為約50至400。

5.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述第一板和所述第二板中的任何一個(gè)的高度為約1000至2000

6.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述隔離結(jié)構(gòu)包括介質(zhì)層和硅島，以及所述絕緣層在所述第一板與所述硅島之間形成背板絕緣結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中在所述硅島上熱生長(zhǎng)所述介質(zhì)層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中所述介質(zhì)層和所述背板絕緣結(jié)構(gòu)每一個(gè)的厚度為約10到100

9.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，還包括：

形成第一端子，所述第一端子被連接至所述第一板和所述硅島的相對(duì)的側(cè)部，其中使用在所述硅島上形成的擴(kuò)散區(qū)域?qū)⑺龅谝欢俗舆B接至所述硅島的相對(duì)的側(cè)部；以及

形成連接至所述第二板的第二端子。

10.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，還包括：

形成第一端子，所述第一端子被連接至在擴(kuò)散區(qū)域處的所述硅島的相對(duì)的側(cè)部；以及

形成連接至所述第一板和所述第二板的第二端子。

11.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，還包括：

形成連接至所述硅島的第一端子；

形成連接至所述第一板的第二端子；和

形成連接至所述第二板的第三端子；以及

將比所述第二端子或所述第三端子高的電勢(shì)提供到所述第一端子。

12.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中由在所述第一板與所述第二板之間的被完全蝕刻掉的硅層形成所述隔離結(jié)構(gòu)，以便直接在所述絕緣層上形成所述第二板，以及還包括：

形成連接至所述第一板的第一端子；以及

形成連接至所述第二板的第二端子。

13.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括當(dāng)所述板之間的所述硅體完全耗盡時(shí)直接在所述第一板與所述第二板之間提供電容。

14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括：

當(dāng)相對(duì)于所述擴(kuò)散區(qū)域中的一個(gè)擴(kuò)散區(qū)域的短路在所述隔離結(jié)構(gòu)上形成的擴(kuò)散區(qū)域的線路的電勢(shì)使溝道反型時(shí)，在所述絕緣層的頂部之下形成反型層；以及

當(dāng)所述線路的所述電勢(shì)相對(duì)于所述一個(gè)擴(kuò)散區(qū)域?yàn)楦邥r(shí)，在所述絕緣層的所述頂部之下形成堆積層。

15.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括：

在所述絕緣層中形成至少另一板；

對(duì)應(yīng)于所述絕緣層中的所述另一板在所述絕緣層之上形成至少另一板；以及

在所述絕緣層中的所述至少另一板與在所述絕緣層之上的所述至少另一板之間提供隔離島和介質(zhì)結(jié)構(gòu)。

16.一種制造雙柵極CMOS結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟：

在絕緣層中形成至少一個(gè)背板；

在所述絕緣層之上形成對(duì)應(yīng)所述至少一個(gè)背板的至少一個(gè)前板；以及

在所述至少一個(gè)背板與所述前板之間提供介質(zhì)結(jié)構(gòu)。

17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)為背柵極介質(zhì)層和前柵極介質(zhì)層，所述前柵極介質(zhì)被形成在基于硅的島與所述至少一個(gè)前板之間。

18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，還包括摻雜在所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)中形成的隔離島以形成擴(kuò)散區(qū)域。

19.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，還包括：

在所述至少一個(gè)背板與所述前板之間的所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)中形成硅層；

蝕刻部分所述硅層以形成對(duì)應(yīng)于所述至少一個(gè)背板和所述至少一個(gè)前板的隔離的島；以及

摻雜部分所述隔離的島以形成擴(kuò)散區(qū)域，

其中所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)為在所述背板與所述隔離的島之間設(shè)置的背柵極介質(zhì)層，和在所述隔離的島與所述前板之間形成的前柵極介質(zhì)。