[發明專利]In·Sm氧化物系濺射靶

無效

• 申請號: 200680025850.0
• 申請日: 2006-06-21
• 公開（公告）號: CN101223296A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發明（設計）人: 井上一吉;田中信夫;笘井重和;松原雅人;海上曉;矢野公規
• 申請（專利權）人: 出光興產株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C04B35/00;C04B35/50
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 朱丹

技術領域

本發明涉及一種濺射靶及其制造方法。

背景技術

近年來，顯示裝置的發展異常顯著，液晶顯示裝置或EL顯示裝置等各種顯示裝置被活躍地導入到個人電腦或文字處理機等OA儀器。這些顯示裝置均具有用透明導電膜夾持顯示元件的夾層結構。

作為透明導電膜，目前，ITO(銦錫氧化物)膜占據主流位置。這是因為，ITO膜除了高透明性、低電阻性以外，蝕刻性、向基板的附著性等也良好。通常利用濺射法制作該ITO膜。

但是，ITO膜的耐濕性較低，具有由濕氣引起電阻值增大的難點。進而，在利用濺射法制作ITO膜時使用的ITO靶容易因還原而黑化，所以其特性的經時變化成為問題。

作為比ITO膜耐濕性出色同時具有與ITO膜同等的導電性及光透過率的透明導電膜以及為了得到其而優選的濺射靶，提出了由氧化銦和氧化鋅構成的靶或透明導電膜(專利文獻1、2)。

但是，由這些氧化銦和氧化鋅構成的透明導電膜在弱酸中的蝕刻性非常快，即使金屬薄膜的蝕刻液也可以被蝕刻。因而，蝕刻透明導電膜上的金屬薄膜的情況下，有時被同時蝕刻，在選擇性地只蝕刻透明導電膜上的金屬薄膜的情況下，不適合。

另外，含有氧化銦和鑭系元素的透明導電膜被報道可以用作有機EL用電極或半透過·半反射LCD用電極。

但是，鑭系元素的氧化物沒有導電性，在將這些氧化物與氧化銦混合制作靶的情況下，只能得到導電性低的靶，可能會在濺射中發生異常放電或者靶表面黑化，從而濺射速度降低等不良情形。

專利文獻1：特開平6-234565號公報

專利文獻2：特開平7-235219號公報

專利文獻3：特開2004-68054號公報

專利文獻4：特開2004-119272號公報

專利文獻5：特開2004-139780號公報

專利文獻6：特開2004-146136號公報

專利文獻7：特開2004-158315號公報

專利文獻8：特開2004-240091號公報

專利文獻9：特開2004-294630號公報

專利文獻10：特開2004-333882號公報

發明內容

本發明的目的在于提供一種靶的導電性高且沒有異常放電或靶的表面黑化的濺射靶。

利用本發明，可以提供以下濺射靶(以下有時簡稱為靶)等。

1.一種濺射靶，其特征在于，

由以In和Sm為主要成分的氧化物的燒結體構成。

2.根據1所述的濺射靶，其特征在于，

所述氧化物由InSmO₃和氧化銦構成。

3.根據1或2所述的濺射靶，其特征在于，

所述燒結體中的In與Sm的原子比[Sm/(In+Sm)]為0.001～0.8。

4.根據1～3中任意一項所述的濺射靶，其特征在于，

以相對全部陽離子元素的總量為20原子％以下，在所述燒結體中摻雜具有正四價以上的化合價的元素的至少一種。

5.根據4所述的濺射靶，其特征在于，

所述具有正四價以上的化合價的元素為從Sn、Ge、Ti、Zr、Hf、Nb以及Ce構成的組中選擇的一種以上的元素。

6.根據4或5所述的濺射靶，其特征在于，

由含有InSmO₃及/或Sn₂Sm₂O₇的氧化物的燒結體構成。

7.一種濺射靶的制造方法，其是1～3中的任意一種所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，

包括：

混合銦化合物和釤化合物而得到混合物的工序，

使所述混合物成形而得到模制品的工序，

燒結所述模制品而得到燒結體的工序。

8.一種濺射靶的制造方法，其是4～6中的任意一種所述的濺射靶的制造方法，其特征在于，

包括：

向銦化合物和釤化合物中加入并混合具有正四價以上的化合價的元素的至少一種而得到混合物的工序，

使所述混合物成形而得到模制品的工序，

燒結所述模制品而得到燒結體的工序。

利用本發明，可以提供一種不僅含有作為鑭系元素的釤(Sm)而且靶的導電性高且沒有異常放電或靶的表面黑化的濺射靶。

附圖說明

圖1是表示在實施例1中得到的靶I的X射線衍射的圖。

圖2是表示在實施例2中得到的靶I的X射線衍射的圖。

圖3是表示在實施例3中得到的靶II的X射線衍射的圖。