[發明專利]In·Sm氧化物系濺射靶無效
| 申請號: | 200680025850.0 | 申請日: | 2006-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN101223296A | 公開(公告)日: | 2008-07-16 |
| 發明(設計)人: | 井上一吉;田中信夫;笘井重和;松原雅人;海上曉;矢野公規 | 申請(專利權)人: | 出光興產株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C04B35/00;C04B35/50 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 朱丹 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | in sm 氧化物 濺射 | ||
1.一種濺射靶,其特征在于,
由以In和Sm為主要成分的氧化物的燒結體構成。
2.根據權利要求1所述的濺射靶,其特征在于,
所述氧化物由InSmO3和氧化銦構成。
3.根據權利要求1或2所述的濺射靶,其特征在于,
所述燒結體中的In與Sm的原子比[Sm/(In+Sm)]為0.001~0.8。
4.根據權利要求1~3中任意一項所述的濺射靶,其特征在于,
以相對全部陽離子元素的總量為20原子%以下,在所述燒結體中摻雜具有正四價以上的化合價的元素的至少一種。
5.根據權利要求4所述的濺射靶,其特征在于,
所述具有正四價以上的化合價的元素為從Sn、Ge、Ti、Zr、Hf、Nb以及Ce構成的組中選擇的一種以上的元素。
6.根據權利要求4或5所述的濺射靶,其特征在于,
由含有InSmO3及/或Sn2Sm2O7的氧化物的燒結體構成。
7.一種濺射靶的制造方法,該濺射靶是權利要求1~3中任意一項所述的濺射靶,所述制造方法的特征在于,包括:
混合銦化合物和釤化合物而得到混合物的工序,
使所述混合物成形而得到模制品的工序,
燒結所述模制品而得到燒結體的工序。
8.一種濺射靶的制造方法,該濺射靶是權利要求4~6中任意一項所述的濺射靶,所述制造方法的特征在于,包括:
向銦化合物和釤化合物中加入并混合具有正四價以上的化合價的元素的至少一種而得到混合物的工序,
使所述混合物成形而得到模制品的工序,
燒結所述模制品而得到燒結體的工序。
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