[發(fā)明專利]用于主動(dòng)探測(cè)核材料的微型中子發(fā)生器無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680023709.7 | 申請(qǐng)日: | 2006-06-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101512329A | 公開(公告)日: | 2009-08-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱唯幹;劉家瑞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 休斯頓大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N23/05 | 分類號(hào): | G01N23/05 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 秦 晨 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 主動(dòng) 探測(cè) 材料 微型 中子 發(fā)生器 | ||
本申請(qǐng)要求2005年6月29日提交的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)No. 60/695,368的優(yōu)先權(quán),該臨時(shí)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容以引用方式并入本 文中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于主動(dòng)探測(cè)高濃縮鈾(“HEU”)的微型中子發(fā) 生器和可移動(dòng)探測(cè)系統(tǒng)的一起使用。
發(fā)明內(nèi)容
國家安全中的最大挑戰(zhàn)問題之一是對(duì)大規(guī)模殺傷武器和其他禁 運(yùn)品的探測(cè)技術(shù)。本發(fā)明是關(guān)于有望探測(cè)核材料尤其如HEU和武器 級(jí)钚(“WGPu”)之類的可用于武器的材料的技術(shù)。
為了用可移動(dòng)的探測(cè)系統(tǒng)主動(dòng)探測(cè)HEU,小尺寸、重量輕的中 子發(fā)生器和探測(cè)器是必要的。
該微型中子發(fā)生器用于使用可移動(dòng)的探測(cè)系統(tǒng)的主動(dòng)探測(cè) HEU。它是易于操作和維護(hù)的小型的、重量輕的低功耗中子發(fā)生器。 該探測(cè)器是基于簡(jiǎn)化的離子源和離子輸送系統(tǒng)。
在一個(gè)方面,本發(fā)明提供一種中子發(fā)生器,該中子發(fā)生器包括: 氘氣填充室;高壓電源;場(chǎng)電離離子源;碳納米管、納米棒或多針尖 (multi-pin)鎢陽極中的至少一種;和陰極。
在本發(fā)明的另一方面中,提供一種中子發(fā)生器,該中子發(fā)生器包 括氘氣填充室、125-150kV的高壓電源、包括鎢針尖的電離源、陽極 和裝載有氚的厚氚靶,其中,該發(fā)生器的重量小于10千克。
在本發(fā)明的另一方面,提供一種探測(cè)與靶相關(guān)的高濃縮鈾的方 法,該方法包括:通過高壓電場(chǎng)對(duì)氘進(jìn)行場(chǎng)電離;提供離子流;使所 述離子加速來擊中所述靶,以發(fā)生氘-氚反應(yīng);以及收集和分析數(shù)據(jù)。
在本發(fā)明的另一方面,提供一種探測(cè)與靶相關(guān)的高濃縮鈾的方 法,該方法包括:使用碳納米管、納米棒或多針尖鎢陽極中的至少一 種產(chǎn)生高壓電場(chǎng);使用場(chǎng)電離源,提供離子流;加速所述離子流,使 得所述離子流擊中所述靶,以產(chǎn)生氘-氚中子,其中,所述離子流被加 速到高達(dá)125-150kV;以及收集和分析數(shù)據(jù)。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的小型中子發(fā)生器的示意圖。
具體實(shí)施方式
在本發(fā)明中開發(fā)了一種中子產(chǎn)率為109個(gè)/秒的微型中子發(fā)生器。 該中子發(fā)生器的離子源是場(chǎng)電離離子源。在氘氣填充室中使用碳納米 管(“CNT”)或納米棒(“NR”)或多針尖鎢陽極,以便產(chǎn)生高 達(dá)毫安(mili-Amp)或毫安以上的離子束。將載氚的鈦(“T-Ti”) 厚靶定位在所述室的另一端上,作為陰極。在陽極和陰極之間施加高 壓(“HV”)電源。如本文所用的“高壓”是指125-150kV。本發(fā) 明只需要僅僅12V或24V的DC電源。單一一個(gè)HV電源是用于中子 發(fā)生器的唯一電源。氘(“D”)離子被加速到120-150kV并轟擊T 靶。核反應(yīng)產(chǎn)生快中子(約14MeV)。毫安級(jí)別的氘離子束可以產(chǎn) 生高達(dá)109個(gè)/秒的中子產(chǎn)率。
本發(fā)明的中子發(fā)生器使用場(chǎng)電離替代熱陰極或冷陰極離子源中 的電子電離或RF源中的射頻(“RF”)電離。在一個(gè)實(shí)施例中,使 用CNT或其他納米棒來產(chǎn)生氘的場(chǎng)電離所需的高電場(chǎng)。在另一個(gè)實(shí) 施例中,使用鎢多針尖來產(chǎn)生氘的氣相場(chǎng)電離所需的高電場(chǎng)。根據(jù)本 發(fā)明,使用CNT、NR或多針尖鎢陽極中的至少一種。所述各個(gè)鎢針 尖具有約80微米的柄直徑,約100納米(“nm”)的針尖半徑。用 鎢針尖的這種場(chǎng)電離用作用于質(zhì)譜儀和臺(tái)式聚變裝置的nA級(jí)別的離 子源。在本發(fā)明的離子源設(shè)計(jì)中,CNT、NR或多針尖場(chǎng)電離用于毫 安級(jí)別的離子流,并且然后被加速于高達(dá)125-150kV,以在T靶上發(fā) 生氘-氚(“D-T”)聚變反應(yīng)。109個(gè)/秒的中子產(chǎn)率是在常規(guī)商業(yè)中 子管的級(jí)別上。
單一一個(gè)HV電源用于離子產(chǎn)生和加速。在加速過程中,我們沒 有使用任何聚焦和離子束傳輸系統(tǒng)。在敞口的幾何結(jié)構(gòu)中,允許離子 束擊中T靶。該簡(jiǎn)單的加速器具備兩個(gè)優(yōu)點(diǎn):避免用于離子束光學(xué)的 附加的電源;以及減少在T靶上的離子束功率密度。因此,釋放了離 子束加熱,并且,提高了中子發(fā)生器的壽命。由于在T靶上的低功率 密度,該壽命比商業(yè)中子管的壽命長(zhǎng)很多。
在本發(fā)明的一些實(shí)施例中,該發(fā)生器包括遙控器。在特定的實(shí)施 例中,該遙控器與探測(cè)系統(tǒng)集成在一起,用于數(shù)據(jù)收集和分布。
該微型中子發(fā)生器在尺寸上是小的,但是可以發(fā)送與109個(gè)/秒的 商業(yè)中子管可比的中子產(chǎn)率。該發(fā)生器尺寸小、重量輕、功耗經(jīng)濟(jì)、 操作和維護(hù)簡(jiǎn)單、且成本低。在一個(gè)實(shí)施例中,該微型中子發(fā)生器有 公文包大,重量小于10千克(“kg”),電池電源為12或24伏特。 這樣使得該裝置易于攜帶。
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