[發(fā)明專利]用于主動探測核材料的微型中子發(fā)生器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680023709.7
• 申請日: 2006-06-29
• 公開（公告）號: CN101512329A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱唯幹;劉家瑞
• 申請（專利權(quán)）人: 休斯頓大學(xué)
• 主分類號: G01N23/05
• 分類號: G01N23/05
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 秦 晨

1、一種中子發(fā)生器，包括：

氘氣填充室；

高壓電源；

場電離離子源；

CNT、NR或多針尖鎢陽極中的至少一種；和

陰極。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)生器，其中，所述高壓電源適合在 所述陽極和所述陰極之間供電。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)生器，其中，所述陰極是T-Ti厚靶。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)生器，其中，所述場電離源包括適 合產(chǎn)生高電場的CNT、NR或鎢多針尖中的至少一種。

5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)生器，其中，所述鎢針尖具有約80 微米的柄直徑，約100納米的針尖半徑。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)生器，其中，所述電離源是RF電 離源。

7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)生器，還包括遙控器。

8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)生器，其中，所述遙控器與探測系 統(tǒng)一起集成，用于數(shù)據(jù)收集和分析。

9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)生器，其中，所述發(fā)生器的重量小 于10kg。

10、一種中子發(fā)生器，包括：

氘氣填充室；

125-150kV的高壓電源；

包括鎢針尖的電離源；

陽極；和

載有氚的鈦厚靶，

其中，該發(fā)生器的重量小于10kg。

11、一種用于探測與靶相關(guān)的高濃縮鈾的方法，該方法包括：

通過高壓電場產(chǎn)生氘的場電離；

提供離子流；

使所述離子加速以擊中所述靶，以發(fā)生氘-氚反應(yīng)；

收集數(shù)據(jù)；以及

分析數(shù)據(jù)。

12、根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述離子束被加速至 高達(dá)125-150kV。

13、根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述離子束被加速至 高達(dá)125-150kV。

14、根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，使用高壓電源產(chǎn)生所 述高壓電場。

15、根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，使用CNT、NR或鎢 針尖中的至少一種產(chǎn)生所述高壓電場。

16、根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，使用場電離提供所述 離子流。

17、根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，中子產(chǎn)率高達(dá)10⁹個/ 秒。

18、一種用于探測與靶相關(guān)的高濃縮鈾的方法，該方法包括：

使用CNT、NR或鎢多針尖中的至少一種產(chǎn)生高壓電場；

使用場電離源，提供離子流；

加速所述離子流，使得所述離子流擊中所述靶，以產(chǎn)生氘-氚中 子，其中，所述離子流被加速至高達(dá)125-150kV；

收集數(shù)據(jù)；以及

分析數(shù)據(jù)。