[發(fā)明專利]多層片狀電容器及其制造方法和制造設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680022470.1
• 申請(qǐng)日: 2006-06-21
• 公開（公告）號(hào): CN101203924A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 河再鎬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 世向產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01G4/228
• 分類號(hào): H01G4/228
• 代理公司: 北京潤平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 周建秋;王鳳桐

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種制造電容器的設(shè)備，更具體地，涉及通過真空汽相沉積制造多層片狀電容器的方法和設(shè)備。

背景技術(shù)

通常，在便攜電子設(shè)備中，例如個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、液晶顯示器(LCD)、等離子顯示板(PDP)、手機(jī)、MP3播放器、存儲(chǔ)器、數(shù)碼相機(jī)、便攜攝像機(jī)、多媒體播放器或類似的電子設(shè)備，其中的電路元件隨著便攜電子裝置小型化和多功能化的發(fā)展趨勢(shì)而逐漸減小。最近，有關(guān)其小型化的研究一直在持續(xù)進(jìn)行。

電路元件中的電容器難以小型化和做薄，但最近研究和開發(fā)了一種多層片狀電容器，這是一種隨著體積的明顯減小能夠保持所需電容和擊穿電壓的電容器。

在下面的例子中將描述用傳統(tǒng)方法制造多層片狀電容器的基本過程。

多層片狀電容器的制造包括以下過程：重量％或摩爾％的主元件粉末與介電層和內(nèi)電極層的粘結(jié)劑的混合過程，用于均勻分布和最小化的研磨過程，按照?qǐng)D案執(zhí)行介電層的干燥過程或印刷過程，在形成介電層之后執(zhí)行的粘結(jié)劑干燥過程，按照所述圖案執(zhí)行導(dǎo)電層的噴霧干燥過程或噴霧印刷過程，在形成內(nèi)電極之后執(zhí)行的粘結(jié)劑干燥過程，重復(fù)所述印刷過程和所述干燥過程以達(dá)到預(yù)定電容的過程，在達(dá)到所需電容之后執(zhí)行的提高脫粘結(jié)劑(debinder)、介電層和導(dǎo)電層的顆粒密度的燒結(jié)過程，加工端子的鍍過程，通過鍍?nèi)芤航n執(zhí)行的端子處理過程，作為后處理的焊接過程，以及可靠性測(cè)試過程。

同時(shí)，多層片狀電容器可以通過光刻法制造。使用光刻法制造多層片狀電容器的方法是一種利用光刻法形成介電層和內(nèi)電極圖案的方法，并且無論何時(shí)形成各個(gè)層，都通過重復(fù)涂覆光致抗蝕劑、曝光、清潔、蝕刻和清除光致抗蝕劑等過程來完成多層片狀電容器。

傳統(tǒng)方法制造的多層片狀電容器的截面表示在圖1中。

如圖1所示，傳統(tǒng)多層片狀電容器1包括交替形成的內(nèi)電極層3，4和介電層2，以及形成在電容器的橫向側(cè)面的側(cè)電極5，6。側(cè)電極5，6必須電連接到內(nèi)電極層3，4。

根據(jù)傳統(tǒng)方法，由于內(nèi)電極層3，4和側(cè)電極5，6之間的連接是復(fù)雜的和困難的，因此由連接電阻造成的缺陷的百分比在多層片狀電容器中增大，當(dāng)連接電阻低時(shí)該多層片狀電容器的高頻特性增強(qiáng)。此外，由于層中細(xì)小氣泡在燒結(jié)過程中膨脹引起分層，因此缺陷百分比較高。

此外，在傳統(tǒng)制造工藝中，由于介電層和電極層的主元件粉末必須是納米顆粒，因此為了減小多層片狀電容器，必須增大制造成本，系統(tǒng)的能力由于復(fù)雜的制造工藝而降低，需要較寬的安裝空間，并且安裝成本增大。

另一方面，正在研究通過薄膜真空汽相沉積制造多層片狀電容器的方法。

但是，由于薄膜真空汽相沉積需要至少兩個(gè)縫隙圖案以實(shí)現(xiàn)多層片狀電容器的疊層結(jié)構(gòu)，因此無論何時(shí)形成各個(gè)層都必須更換具有縫隙圖案的陰罩以適合每個(gè)層。為此，必須重復(fù)進(jìn)行需要相當(dāng)長時(shí)間的抽真空過程和真空釋放過程，但是由于每次都造成雜質(zhì)的引入和混合，因此缺陷產(chǎn)品的百分比增大，生產(chǎn)率降低。

發(fā)明內(nèi)容

因此，考慮到上述和/或其它問題提出本發(fā)明，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種制造多層片狀電容器的設(shè)備和方法，以通過真空汽相沉積生產(chǎn)商用質(zhì)量的多層片狀電容器并減小缺陷百分比，并且提供一種通過該設(shè)備和方法制造的多層片狀電容器。

本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種在僅僅需要一次產(chǎn)生的真空氣氛中一次(at?once)制造分別具有下電極層、介電層、內(nèi)電極層和上電極層的多層片狀電容器的設(shè)備和方法，以及通過該設(shè)備和方法制造的多層片狀電容器。

本發(fā)明的再一個(gè)目的是提供一種制造多層片狀電容器的設(shè)備和方法，而不需要進(jìn)行為更換陰罩所需的釋放真空和再次抽真空的過程，并且提供一種通過該設(shè)備和方法制造的多層片狀電容器。

本發(fā)明的又一個(gè)目的是提供一種利用單個(gè)陰罩通過真空汽相沉積制造多層片狀電容器的設(shè)備和方法。

本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種通過調(diào)節(jié)陰罩的兩個(gè)縫隙圖案利用真空汽相沉積制造多層片狀電容器的設(shè)備和方法。

根據(jù)本發(fā)明，上述和其它目的可以通過提供一種利用真空沉積制造多層片狀電容器的方法而實(shí)現(xiàn)，所述方法包括：通過設(shè)置單掩模組與沉積源之間的沉積角并通過控制掩模組在X、Y、Z軸(X軸是寬度方向，Y軸是縱向，Z軸是高度方向)的位置來進(jìn)行真空沉積，以在一次產(chǎn)生的真空狀態(tài)下，一次形成下端子層、介電層、內(nèi)電極層和上端子層，其中所述單掩模組包括具有多個(gè)縫隙的陰罩。