[發明專利]多層片狀電容器及其制造方法和制造設備

有效

• 申請號: 200680022470.1
• 申請日: 2006-06-21
• 公開（公告）號: CN101203924A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 河再鎬
• 申請（專利權）人: 世向產業株式會社
• 主分類號: H01G4/228
• 分類號: H01G4/228
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司
• 代理人: 周建秋;王鳳桐

1.一種通過以多層片狀形式沉積介電層和導電層來制造多層片狀電容器的方法，其中所述導電層的寬度比介電層的寬度窄，所述方法包括：

定位介電層沉積源垂直于具有多個縫隙的單陰罩，并定位導電層沉積源傾斜于所述單陰罩；以及

通過蒸發來自各個沉積源的蒸發粒子，使該蒸發粒子穿過縫隙并沉積在襯底上，從而形成介電層和導電層。

2.根據權利要求1所述的制造多層片狀電容器的方法，其中用于傾斜地定位導電層沉積源的沉積角的范圍是沿垂直于陰罩的方向從5度到45度。

3.根據權利要求1所述的制造多層片狀電容器的方法，還包括移動掩模組，其中根據在沉積導電層和介電層的過程中導電層和介電層的層增高速率，沿高度方向安裝陰罩。

4.根據權利要求1所述的制造多層片狀電容器的方法，還包括每隔預定的時間周期，反復控制在導電層和介電層的沉積過程中陰罩與襯底分離，以及根據沉積層的增高速率精確調節向上分離的陰罩的位置。

5.根據權利要求1所述的制造多層片狀電容器的方法，還包括控制掩模組沿高度方向移動以便在形成沉積層之后防止形成在襯底上的沉積層被陰罩損壞，以及控制掩模組與襯底分離，并沿定義為寬度方向和縱向的水平方向定位。

6.根據權利要求1所述的制造多層片狀電容器的方法，其中陰罩的縫隙的寬度方向截面是平行四邊形，而陰罩的縫隙的縱向截面是梯形。

7.根據權利要求1所述的制造多層片狀電容器的方法，其中陰罩的縫隙的截面是平行四邊形、帶臺階的平行四邊形、梯形和帶臺階的梯形之一。

8.一種通過根據權利要求1所述的制造多層片狀電容器的方法制造的多層片狀電容器。

9.一種通過以多層片狀形式沉積介電層和導電層來制造多層片狀電容器的方法，其中所述導電層的寬度比介電層的寬度窄，所述方法包括：

調節和設置裝在掩模組上自轉和公轉并具有多個縫隙的單陰罩之間的距離；

定位介電層沉積源垂直于所述單陰罩，并定位導電層沉積源傾斜于所述單陰罩；以及

在控制掩模組沿X軸、Y軸和Z軸(X軸是寬度方向，Y軸是縱向，Z軸是高度方向)移動的同時，通過真空沉積形成介電層和導電層。

10.根據權利要求9所述的制造多層片狀電容器的方法，還包括在進行所述設置之前在襯底上形成可熱分解的釋放層。

11.根據權利要求9所述的制造多層片狀電容器的方法，還包括控制掩模組沿高度方向移動以便在形成沉積層之后防止形成在襯底上的沉積層被陰罩損壞，以及控制掩模組與襯底分離，并沿定義為寬度方向和縱向的水平方向定位。

12.一種通過以多層片狀形式沉積介電層和導電層來制造多層片狀電容器的方法，其中所述導電層的寬度比介電層的寬度窄，所述方法包括：

通過移動上掩模組和下掩模組形成用于形成所需沉積層的縫隙圖案，其中所述上掩模組和下掩模組分別包括具有多個縫隙的陰罩且彼此面對；以及

通過蒸發來自各個沉積源的蒸發粒子，使該蒸發粒子穿過縫隙圖案并沉積在襯底上，從而形成介電層和導電層。

13.根據權利要求12所述的制造多層片狀電容器的方法，還包括移動掩模組，其中根據在沉積導電層和介電層的過程中導電層和介電層的層增高速率，沿高度方向安裝陰罩。

14.根據權利要求12所述的制造多層片狀電容器的方法，還包括每隔預定的時間周期，反復控制在導電層和介電層的沉積過程中陰罩與襯底分離，以及根據沉積層的增高速率精確調節向上分離的陰罩的位置。

15.根據權利要求12所述的制造多層片狀電容器的方法，還包括控制掩模組沿高度方向移動以便在形成沉積層之后防止形成在襯底上的沉積層被陰罩損壞，以及控制掩模組與襯底分離，并沿定義為寬度方向和縱向的水平方向定位。

16.一種通過根據權利要求12所述的制造多層片狀電容器的方法制造的多層片狀電容器。