[發明專利]用可棄式間隔物提高的源極與漏極工藝有效
| 申請號： | 200680020111.2 | 申請日： | 2006-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN101194350A | 公開（公告）日： | 2008-06-04 |
| 發明（設計）人： | J·范米爾;H·鐘 | 申請（專利權）人： | 先進微裝置公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用可棄式 間隔 提高 工藝 | ||
1.一種形成提高的源極與漏極區域的方法，包括下列步驟：
在襯底(10，30)上形成柵極電極(14，34)；
在該柵極電極(14，34)的各個側壁上形成雙可棄式間隔物(20，24，40，46)；
在該襯底(10，30)上形成提高的源極/漏極區域(26，48)；以及去除雙可棄式間隔物(20，24，40，46)。
2.如權利要求1所述的方法，還包括：在形成雙可棄式間隔物(20，24，40，46)之前，在該柵極電極(14)上形成覆蓋物(16，36)。
3.如權利要求2所述的方法，其中，形成雙可棄式間隔物(20，24，40，46)的步驟包括在該柵極電極(14)上形成第一氮化物間隔物(20，40)。
4.如權利要求3所述的方法，其中，形成該雙可棄式間隔物(20，24，40，46)的步驟包括在第一氮化物間隔物(20，40)上形成氧化物襯墊(22，42)。
5.如權利要求4所述的方法，其中，形成雙可棄式間隔物(20，24，40，46)的步驟包括在該氧化物襯墊(22)上形成第二氮化物間隔物(24，46)。
6.如權利要求5所述的方法，還包括：在形成第一氮化物間隔物(40)之前，在該覆蓋物(36)上形成硬掩模(38)。
7.如權利要求6所述的方法，其中，形成第一氮化物間隔物(40)的該步驟包括形成氮化物層(40)，該氮化物層直接接觸該柵極電極(34)的側壁并且覆蓋該硬掩模(38)及該覆蓋物(36)。
8.如權利要求5所述的方法，還包括：形成直接接觸該柵極電極(14)的側壁的氧化物層(18)；以及在該氧化物層(18)上形成該等第一氮化物間隔物(20)。
9.如權利要求8所述的方法，其中，去除雙可棄式間隔物(20，24)的步驟包括進行一系列的氮化物及氧化物蝕刻，以去除第一及第二氮化物間隔物(20，24)、該氧化物層(18)、該氧化物襯墊(22)、以及該覆蓋物(16)。
10.如權利要求7所述的方法，其中，去除雙可棄式間隔物(40，46)的步驟包括進行一系列的氮化物及氧化物蝕刻，以去除第一及第二氮化物間隔物(40，46)、該氧化物襯墊(42)、該硬掩模(38)、以及該覆蓋物(36)。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于先進微裝置公司，未經先進微裝置公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680020111.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
