[發明專利]半導體器件及其制造方法以及天線的制造方法有效
| 申請號: | 200680019382.6 | 申請日: | 2006-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN101189625A | 公開(公告)日: | 2008-05-28 |
| 發明(設計)人: | 青木智幸;后藤裕吾 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | G06K19/077 | 分類號: | G06K19/077;B41F15/44;B41M1/12;G06K19/07;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/52;H01L27/04;H01 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 張雪梅;劉宗杰 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 及其 制造 方法 以及 天線 | ||
技術領域
本發明涉及一種半導體器件,它裝配有用作天線的導電膜并能夠無接觸地發射和接收數據,本發明還涉及這種半導體器件的制造方法。
背景技術
近年來,個體識別技術已經獲得很多的關注。例如,存在一種用于制造、管理等的技術,其中諸如對象歷史的信息通過為個體對象給定ID(個體識別號)來闡明。最重要的,可以非接觸式地發射和接收數據的半導體器件的發展得到了進步。作為這種半導體器件,RFID(射頻識別)(也稱為ID標簽、IC標簽、IC芯片、RF(射頻)標簽、無線標簽、電子標簽或無線芯片)等開始被引入到公司、市場等。
已投入實際應用的諸如RFID之類的很多半導體器件包括具有包括晶體管等的電路的元件組(也被稱為IC(集成電路)芯片)以及用作天線的導電膜。這些半導體器件可以經由天線通過電磁波在讀取器/寫入器之間實施數據交換。
一般而言,在上述半導體器件中,用作天線的導電膜使用諸如繞線方法、嵌入方法、印刷方法、蝕刻方法、電鍍方法等之類的方法形成。在這些方法中,使用絲網印刷方法在制造成本和產量方面是尤其有優勢的,因為工藝步驟的數目和必要的器件的數目小且制造方法相對簡單。
如圖14A和14B所示,絲網印刷方法是通過使用絲網印刷板810在印刷對象的表面上形成所需圖案的方法,其中所述絲網印刷板具有金屬網(網狀物)804和用于框架801的內部的掩模的乳劑803以及通過選擇性地去除乳劑803而提供的開口部分802,以通過涂刷器805、輥子等在印刷對象(這里,元件組102)上擠出漿狀物806。
以這種方式,絲網印刷方法廣泛地用于包括在晶體管等中的導電膜、像素電極等,當然,也包括用作天線的導電膜的形成步驟(例如,專利文獻1:日本待審專利:No.H9-1970)。
發明內容
然而,隨著半導體器件的尺寸的不斷減小,必須提供精細的用作天線的半導體膜、包括在晶體管中的導電膜等,且當通過絲網印刷方法形成精細形成的導電膜時,需要考慮諸如在導電膜中發生短路或斷裂的問題。可以考慮多種導致該問題的原因,作為一個實例,下面考慮了一種原因。這里注意,作為特定實例,將參考圖14A~14C描述當形成用作天線的線圈形式的導電膜時的問題點的一個實例。
一般地,當如圖14B所示使用絲網印刷方法提供導電膜時,通過涂刷器805從乳劑803中提供的開口部分802擠出的漿狀物806在元件組102上形成所需圖案的導電膜。此時,當涂刷器805沿著特定方向(這里,從B到A的方向)移動時,漿狀物806由涂刷器805從開口部分802中擠出,且隨著漿狀物806的移動,上升部分807(此后稱為抬高部分807)在漿狀物806的峰處形成。
因為這一原因,在漿狀物806被首先擠出的開口部分802(這里,圖14B的最右邊的開口部分(A和B之間的B側))中,因為抬高部分807,漿狀物806被過量地擠出;因此,形成了比開口部分形狀寬的導電膜103a。以這種方式,當形成比開口部分形狀的寬度寬的導電膜時,由于該導電膜與相鄰導電膜103b接觸,導致發生諸如短路之類的問題。另一方面,在加寬開口部分之間的距離提供導電膜以防止導電膜103彼此接觸的情況下,變得難以那樣制備精細圖案。而且,在使得開口部分的寬度變窄擠出漿狀物的情況下,形成的導電膜的寬度變窄,諸如斷裂等導致的斷連和通信范圍減小的問題發生。
由于上述情況,考慮具有使用諸如絲網印刷方法之類的印刷方法形成的精細形式的天線的半導體器件,本發明的一個目的是提供一種抑制了產量減少的半導體器件的制造方法以及這種半導體器件。
本發明執行下面的方法以獲得上述目的。
本發明的半導體器件的制造方法的一個特征在于包括以下步驟:在基板上形成具有晶體管的元件組,通過從絲網印刷板的第一開口部分擠出包括導電顆粒的漿狀物在所述元件組上形成第一導電膜,然后通過從絲網印刷板的第二開口部分擠出包括導電顆粒的漿狀物繼續形成第二導電膜,使得形成的第一導電膜與晶體管電絕緣,并且使得形成的第二導電膜與晶體管電連接。換句話說,第一導電膜是浮置狀態,且能夠用作偽圖案(dummy?pattern),并與元件組形成電容。
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