[發明專利]相同/對稱金屬屏蔽有效
| 申請號: | 200680019261.1 | 申請日: | 2006-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN101189723A | 公開(公告)日: | 2008-05-28 |
| 發明(設計)人: | R·D·麥格拉思;R·M·圭達什;T·J·肯尼 | 申請(專利權)人: | 伊斯曼柯達公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正;張志醒 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 相同 對稱 金屬 屏蔽 | ||
技術領域
本發明大體上涉及圖像傳感器領域,更具體地,涉及一種圖像傳感器,在所述圖像傳感器中,光屏蔽的未對準不改變孔的大小。
背景技術
參考圖1,示出了具有光電二極管20、電路30以及隔離40和互連層50的現有技術的像素10。需要互連層來連接光電二極管20和電路30以及將像素10連接到像素陣列70中。孔(由層50a、50b以及沒有被層50b覆蓋的光電二極管20的邊界限定)通過光電二極管20和互連層50的對準來設定。光電二極管20相對于互連層50的未對準會導致孔改變大小,這影響了像素性能。
參考圖2,示出了由諸如第一像素10a和第二像素10b的多個像素10組成的現有技術的像素超晶格(supercell)80,其中每個像素10包括光電二極管20。像素超晶格80內的像素10共享著電路30和隔離40以及互連層50。假定由于部件的共享而使第一像素的布局會不同于第二像素的布局,光電二極管20相對于互連層50的未對準會導致孔(由層50a、50b和沒有被層50覆蓋的光電二極管20的邊界限定)在第一像素10a和第二像素10b之間的大小改變不相同,這影響了像素性能。這將自然地擴展到包括兩個以上像素10的像素超晶格80。
參考圖3,示出了現有技術的基本像素10,其中通過在第三互連層50c上建立孔90來消除孔90的變化。這個層50c是諸如第一互連層50a或第二互連層50b的任何其他互連層的最頂層,這是因為它必須在兩個方向上無縫隙地進行連接。它還產生了最小尺寸的孔90,這是由于它必須產生比以別的方式產生的孔更小的孔90,因為它必須是控制孔。
因此,就存在著在整個制造設計容限內匹配光響應的需求。
發明內容
本發明旨在克服上述問題中的一個或多個。總體上,根據本發明的一個方面,本發明在于一種圖像傳感器,包括具有多個像素的單位晶格(unit?cell)的圖像傳感器;所述單位晶格包括:(a)多個光電探測器,具有兩個或更多子集,其中每個子集都具有不同于另一個子集的物理形狀;(b)遮光層,產生與每個光電探測器相關聯的孔;其中遮光層被定位成使得遮光層相對于光電探測器的任何物理平移在光電探測器的光響應中都產生基本上相等的變化。
參考附圖,通過閱讀以下優選實施例的詳細描述以及隨附權利要求將會更清楚地理解和認識本發明的這些以及其他方面、目的、特征和優勢。
本發明的有益效果
本發明的優勢在于:不會因遮光層的未對準而改變孔大小。
附圖說明
圖1是現有技術圖像傳感器的頂視圖;
圖2是另一個現有技術圖像傳感器的頂視圖;
圖3是又一個現有技術圖像傳感器的頂視圖;
圖4是本發明的圖像傳感器的頂視圖;
圖5是本發明的圖像傳感器的可替換的實施例的頂視圖;
圖6是本發明的圖像傳感器的第二可替換的實施例的頂視圖;
圖7是本發明的圖像傳感器的第三可替換的實施例的頂視圖;
圖8是本發明的圖像傳感器的第四可替換的實施例的頂視圖;
圖9是本發明的圖像傳感器的第五可替換的實施例的頂視圖;
圖10是用于說明本發明的圖像傳感器的典型商業實施例的數字照相機。
具體實施方式
參考圖4,示出了本發明的圖像傳感器110的兩個光電二極管100。每個光電二極管100響應于光而聚集電荷。光電二極管100被構形為相同或基本相同。存在第一互連層120a和第二互連層120b,兩者組合形成光屏蔽。具有指導意義的是,注意到優選地第一互連層120a和第二互連層120b的用處不僅僅在于光屏蔽。例如,它們可以用互連,以提供偏置或控制時鐘;提供從像素130讀取信號的裝置;或提供像素130或像素超晶格(被定義為其中具有不相同的形狀的元件但是在圖像傳感器110上具有重復圖案的兩個或更多像素)內的局部互連,其中像素超晶格未在圖4中示出,而在圖5、7和9中示出。第一互連層120a在一個方向限定孔,第二互連層120b被定位成使得它在與第一互連層正交的方向上限定孔。在這個實施例中,孔的大小并不隨第一互連層120a和第二互連層120b相對于彼此或相對于其他層(包括限定光電二極管100的任何層)的對準而改變。換句話說,遮光層被定位成使得遮光層相對于光電二極管100的任何物理平移在光電二極管100的光響應中都產生基本上相等的變化。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





