[發明專利]相同/對稱金屬屏蔽有效
| 申請號: | 200680019261.1 | 申請日: | 2006-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN101189723A | 公開(公告)日: | 2008-05-28 |
| 發明(設計)人: | R·D·麥格拉思;R·M·圭達什;T·J·肯尼 | 申請(專利權)人: | 伊斯曼柯達公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正;張志醒 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 相同 對稱 金屬 屏蔽 | ||
1.一種圖像傳感器,包括:
具有多個像素的單位晶格;所述單位晶格包括:
(a)多個光電探測器,具有兩個或更多子集,其中每個子集具有不同于另一個子集的物理形狀;以及
(b)遮光層,產生與每個光電探測器相關聯的孔;其中遮光層被定位成使得遮光層相對于光電探測器的任何物理平移在光電探測器的光響應中都產生基本上相等的變化。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中每個子集都具有物理形狀,所述物理形狀是另一個子集的鏡像。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中遮光層由多晶硅或互連金屬組成。
4.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述遮光層中的一個或多個的特定物理區域被單獨地布置以結合其他遮光層來產生孔。
5.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中遮光層中的一個或多個被單獨地布置以產生孔。
6.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中子集均包括相等數量的光電探測器。
7.一種圖像傳感器,包括:
具有多個像素的單位晶格;所述單位晶格包括:
(a)所述像素的兩個或更多子集,其中每個子集都具有光電探測器和不同于另一個子集的互連圖案;以及
(b)遮光層,產生與每個光電探測器相關聯的孔;其中遮光層被定位成使得遮光層相對于光電探測器的任何物理平移在光電探測器的光響應中都產生基本上相等的變化。
8.根據權利要求7所述的圖像傳感器,其中每個子集都具有物理形狀,所述物理形狀是另一個子集的鏡像。
9.根據權利要求7所述的圖像傳感器,其中遮光層由多晶硅或互連金屬組成。
10.根據權利要求7所述的圖像傳感器,其中遮光層中的一個或多個的特定物理區域被單獨地布置以結合其他遮光層來產生孔。
11.根據權利要求7所述的圖像傳感器,其中遮光層被單獨地布置以產生孔。
12.根據權利要求7所述的圖像傳感器,其中子集均包括相等數量的光電探測器。
13.一種照相機,包括:
圖像傳感器,所述圖像傳感器包括:
具有多個像素的單位晶格;所述單位晶格包括:
(a)多個光電探測器,具有兩個或更多子集,其中每個子集都具有不同于另一個子集的物理形狀;以及
(b)遮光層,產生與每個光電探測器相關聯的孔;其中遮光層被定位成使得遮光層相對于光電探測器的任何物理平移在光電探測器的光響應中都產生基本上相等的變化。
14.根據權利要求13所述的照相機,其中每個子集都具有物理形狀,所述物理形狀是另一個子集的鏡像。
15.根據權利要求13所述的照相機,其中遮光層由多晶硅或互連金屬組成。
16.根據權利要求13所述的照相機,其中遮光層中的一個或多個的特定物理區域被單獨地布置以結合其他遮光層來產生孔。
17.根據權利要求13所述的照相機,其中遮光層中的一個或多個被單獨布置以產生孔。
18.根據權利要求13所述的照相機,其中子集均包括相等數量的光電探測器。
19.一種照相機,包括:
圖像傳感器,所述圖像傳感器包括:
具有多個像素的單位晶格;所述單位晶格包括:
(a)所述像素的兩個或更多子集,其中每個子集都具有光電探測器和不同于另一個子集的互連圖案;以及
(b)遮光層,產生與每個光電探測器相關聯的孔;其中遮光層被定位成使得遮光層相對于光電探測器的任何物理平移在光電探測器的光響應中都產生基本上相等的變化。
20.根據權利要求19所述的照相機,其中每個子集都具有物理形狀,所述物理形狀是另一個子集的鏡像。
21.根據權利要求19所述的照相機,其中遮光層由多晶硅或互連金屬組成。
22.根據權利要求19所述的照相機,其中遮光層中的一個或多個的特定物理區域被單獨地布置以結合其他遮光層來產生孔。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于伊斯曼柯達公司,未經伊斯曼柯達公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680019261.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種純吸式掃路車吸塵口
- 下一篇:可逆的熱致變色組合物
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





