[發明專利]制造覆晶于半導體組件封裝的晶圓級無凸塊式方法有效
| 申請號： | 200680018779.3 | 申請日： | 2006-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN101563756A | 公開（公告）日： | 2009-10-21 |
| 發明（設計）人： | 孫明;龔德梅 | 申請（專利權）人： | 萬國半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司 | 代理人： | 白璧華 |
| 地址： | 百慕大*** | 國省代碼： | 百慕大群島;BM |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 半導體 組件 封裝 晶圓級無凸塊式 方法 | ||
1.一種制造覆晶于半導體組件封裝的晶圓級無凸塊式方法，其特征在于，該方法包括下列步驟：
涂布一防焊漆于一半導體晶粒的硅芯片的前側表面上；
利用涂布該防焊漆以形成若干柵極接觸窗與若干源極接觸窗；
依據若干目標凹渦區域以將一導線架進行圖案化；
于該些目標凹渦區域上形成若干凹渦，且該目標凹渦區域相對應于若干該柵極接觸窗與若干該源極接觸窗；
將一導電環氧樹脂印刷于該導線架上的該凹渦中；
將該導線架與該半導體晶粒的硅芯片一同進行固化；及
切割該半導體晶粒的硅芯片以形成半導體組件封裝。
2.如權利要求1所述的制造覆晶于半導體組件封裝的晶圓級無凸塊式方法，其特征在于，在該半導體晶粒的硅芯片的后側表面上涂布并固化一保護性環氧樹脂。
3.如權利要求1所述的制造覆晶于半導體組件封裝的晶圓級無凸塊式方法，其特征在于，涂布該防焊漆的步驟包括進行曝光該防焊漆。
4.如權利要求1所述的制造覆晶于半導體組件封裝的晶圓級無凸塊式方法，其特征在于，涂布該防焊漆的步驟包括進行剝離該防焊漆。
5.如權利要求1所述的制造覆晶于半導體組件封裝的晶圓級無凸塊式方法，其特征在于，在該些目標凹渦區域上形成若干凹渦，且該目標凹渦區域相對于若干該柵極接觸窗與若干該源極接觸窗的步驟之中，包括在該導線架上模印該凹渦的步驟。
6.如權利要求1所述的制造覆晶于半導體組件封裝的晶圓級無凸塊式方法，其特征在于，該些目標凹渦區域上形成若干凹渦，且該目標凹渦區域相對于若干該柵極接觸窗與若干該源極接觸窗的步驟之中，包括在該導線架上壓印該凹渦的步驟。
7.一種半導體組件封裝，其特征在于，其由如權利要求1所述的制造覆晶于半導體組件封裝的晶圓級無凸塊式方法所制成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
