[發明專利]導電性鈣鋁石型化合物的制造方法

有效

• 申請號: 200680018456.4
• 申請日: 2006-05-30
• 公開（公告）號: CN101184696A
• 公開（公告）日: 2008-05-21
• 發明（設計）人: 細野秀雄;林克郎;金圣雄;平野正浩;鳴島曉;伊藤節郎
• 申請（專利權）人: 旭硝子株式會社;國立大學法人東京工業大學
• 主分類號: C01F7/16
• 分類號: C01F7/16;H01B1/08
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 沙永生

1.導電性鈣鋁石型化合物的制造方法，它是包括將前體熱處理的工序的導電性鈣鋁石型化合物的制造方法，其特征在于，

所述前體為玻璃質或結晶質，含有Ca和Al，換算成氧化物的CaO∶Al₂O₃的摩爾比為12.6∶6.4～11.7∶7.3，且CaO與Al₂O₃的合計為50摩爾％以上，

所述熱處理為將所述前體保持在熱處理溫度T為600～1415℃、且氧分壓P₀₂以Pa為單位在

P₀₂≤10⁵×exp[{7.9×10⁴/(T+273)}+14.4]

所示范圍的惰性氣體或真空氣氛中的熱處理。

2.如權利要求1所述的導電性鈣鋁石型化合物的制造方法，其特征在于，所述結晶質的前體為具有12CaO·7Al₂O₃這一組成、具有三維連接的由空隙構成的結晶結構的鈣鋁石型化合物，或者鈣鋁石型化合物的Ca和Al的一部分被其它元素取代的同型化合物。

3.如權利要求1或2所述的導電性鈣鋁石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前體含有的Ca的一部分或全部被相同原子數的Sr取代。

4.如權利要求1或2所述的導電性鈣鋁石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前體含有的Al的一部分被相同原子數的Si或Ge取代。

5.如權利要求1～4中任一項所述的導電性鈣鋁石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前體含有：換算成氧化物合計為0～17摩爾％的選自Si、Ge和B的至少1種；換算成氧化物的合計為0～5摩爾％的選自Li、Na和K的至少1種；換算成氧化物的合計為0～10摩爾％的選自Mg和Ba的至少1種；換算成氧化物的合計為0～8摩爾％的選自(選自Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、D?y、Ho、Er、Tm和Yb的至少1種稀土類元素)和(選自Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni和Cu的至少1種過渡金屬元素或典型金屬元素)的至少1種。

6.如權利要求1、3、4或5所述的導電性鈣鋁石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前體為玻璃質，在所述熱處理工序之前包括加熱至950～1415℃的工序，或者所述熱處理工序的熱處理溫度T為950～1415℃。

7.如權利要求1、3、4或5所述的導電性鈣鋁石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前體為除鈣鋁石型化合物之外的具有結晶結構的結晶質，在所述熱處理工序之前包括加熱至1000～1415℃的工序，或者所述熱處理工序的熱處理溫度T為1000～1415℃。

8.如權利要求1～7中任一項所述的導電性鈣鋁石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前體為粉末、將粉末沖壓成形后的沖壓成型體、或者將粉末的沖壓成型體燒結后得到的燒結體。

9.如權利要求1～7中任一項所述的導電性鈣鋁石型化合物的制造方法，其特征在于，所述前體為板狀。

10.如權利要求1～7中任一項所述的導電性鈣鋁石型化合物的制造方法，其特征在于，將所述前體與選自碳、Al和Ti的任一種還原劑在容器中于密閉的氣氛下進行熱處理。

11.由權利要求1～10中任一項所述的方法制得的導電性鈣鋁石型化合物，其特征在于，導電率超過100S/cm。