[發明專利]薄膜電容器的制造方法無效
| 申請號： | 200680016375.0 | 申請日： | 2006-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN101176171A | 公開（公告）日： | 2008-05-07 |
| 發明（設計）人： | 南川忠洋;前田昌禎 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H01G4/33 | 分類號： | H01G4/33;H01G13/00;H01G4/12 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 李香蘭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 電容器 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種薄膜電容器的制造方法，是在電介質層的兩個主面上形成了導體層的薄膜電容器的制造方法，其特征是，
包括：
分別制作含有電介質陶瓷粉末的電介質生片、含有金屬粉末的導體生片、含有氧化物無機材料粉末的燒成輔助用生片的生片制作工序；
在上述電介質生片的兩個主面分別配置上述導體生片而形成電容器部，并且以將上述電容器部用上述燒成輔助用生片保持的方式配置上述燒成輔助用生片而形成疊層體的疊層體形成工序；
將上述疊層體燒成的燒成工序，
在上述燒成工序的燒成處理中，降低上述導體生片與上述燒成輔助用生片的界面的粘接強度，并且將燒成氣氛的氧分壓至少改變1次以上，將作為上述電容器部的燒結體的薄膜電容器與作為上述燒成輔助用生片的燒結體的燒成輔助構件分離。
2.根據權利要求1所述的薄膜電容器的制造方法，其特征是，上述金屬粉末是Ni及以Ni為主成分的合金當中的某種。
3.根據權利要求2所述的薄膜電容器的制造方法，其特征是，將上述燒成輔助用生片制成框狀，以與上述導體生片的外周接觸的方式，或以與上述外周靠近的方式配置該燒成輔助用生片。
4.根據權利要求1至3中任意一項所述的薄膜電容器的制造方法，
其特征是，上述氧化物無機材料粉末為Al2O3粉末。
5.根據權利要求1至4中任意一項所述的薄膜電容器的制造方法，
其特征是，上述電介質層的厚度與上述導體層的厚度的總和在100μm以下。
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