[發(fā)明專利]薄膜電容器的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680016375.0
• 申請日: 2006-04-24
• 公開（公告）號: CN101176171A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 南川忠洋;前田昌禎
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01G4/33
• 分類號: H01G4/33;H01G13/00;H01G4/12
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 李香蘭

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種電子電路中所用的薄膜電容器的制造方法。

背景技術(shù)

一直以來，此種薄膜電容器是通過在Si基板上依次形成下部導(dǎo)體、電介質(zhì)薄膜、上部導(dǎo)體而形成的。在利用該方法制作薄膜電容器的情況下，無法將薄膜電容器的厚度設(shè)為對容量沒有貢獻(xiàn)的Si基板的厚度以下，所以，為了促進(jìn)小型化及薄型化，需要實現(xiàn)不需要基板的構(gòu)造或制造方法。

例如，專利文獻(xiàn)1中，提出過具備金屬箔體、形成于金屬箔體上的無機(jī)電介質(zhì)薄膜、形成于上述無機(jī)電介質(zhì)薄膜上的金屬體的薄膜電容器。

專利文獻(xiàn)1中，可以在金屬箔體上使用RF磁控管濺射法或真空蒸鍍法等真空程序依次形成電介質(zhì)薄膜及金屬體，所以就不需要設(shè)置Si基板等成膜用的基板，從而可以實現(xiàn)薄膜電容器的小型化及薄型化。

另外，雖然不是有關(guān)薄膜電容器的技術(shù)，但是在專利文獻(xiàn)2中，提出過如下的陶瓷多層基板的制造方法，即，在由形成了導(dǎo)體圖案的多片生片構(gòu)成的壓接體的兩面，壓接燒結(jié)溫度高于該生片的偽生片而進(jìn)行燒成，將附著于燒結(jié)體的兩面的偽生片除去。

該專利文獻(xiàn)2中，作為燒結(jié)溫度高于生片的偽生片例示了氧化鋁生片。

專利文獻(xiàn)1：特開平8-78283號公報

專利文獻(xiàn)2：特開平9-249460號公報

但是，專利文獻(xiàn)1中記載有，從實現(xiàn)制造程序的簡便化的觀點考慮，作為電介質(zhì)薄膜或金屬體的成膜方法，最好以真空程序進(jìn)行。

但是，該真空程序由于程序成本高，而且金屬箔體的材料成本也高，因此有可能導(dǎo)致制造成本的升高。

為了降低制造成本，可以考慮通過在成為電介質(zhì)層的電介質(zhì)生片的兩個主面上，壓接成為導(dǎo)體層的導(dǎo)體生片而進(jìn)行燒成，來制造薄膜電容器的方法。

但是，由于用電介質(zhì)生片和導(dǎo)體生片形成的電容器部是厚度通常在100μm以下的薄膜，因此有可能因在燒成中產(chǎn)生的熱收縮，產(chǎn)生翹曲或起伏。

作為防止該翹曲或起伏的方法，可以考慮像上述專利文獻(xiàn)2中記載的那樣的將氧化鋁生片作為偽生片壓接在疊層體的兩面的方法。該情況下，由于偽生片中所含的氧化鋁在燒成中會固著在導(dǎo)體生片上，因此在燒成后需要進(jìn)行研磨處理等來除去氧化鋁。

但是，由于薄膜電容器的厚度在100μm以下，因此有可能因研磨處理等而損傷電介質(zhì)層，使得導(dǎo)體層之間發(fā)生電短路。而且，電介質(zhì)層的厚度越薄，則由研磨處理引起的電介質(zhì)層的損傷就越明顯，由此就會對薄膜電容器的薄型化或大容量化造成很大的妨礙。

另一方面，為了防止氧化鋁向?qū)w生片上的固著，可以考慮增大氧化鋁的粒徑，然而該情況下，就會產(chǎn)生導(dǎo)體生片的主面的表面粗糙度有可能變大的新的問題。

為此，將專利文獻(xiàn)2中記載的陶瓷多層基板的制造方法簡單地應(yīng)用于薄膜電容器中，將很難獲得成本低且不會對電介質(zhì)層造成不良影響的薄膜電容器。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于此種情況而完成的，其目的在于，提供可以高效率地制造成本低且不會對電介質(zhì)層造成不良影響的薄膜電容器的薄膜電容器的制造方法。

為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的薄膜電容器的制造方法是具有電介質(zhì)層、分別形成于該電介質(zhì)層的兩個主面上的導(dǎo)體層的薄膜電容器的制造方法，其特征是，包括：分別制作含有電介質(zhì)陶瓷粉末的電介質(zhì)生片、含有金屬粉末的導(dǎo)體生片、含有氧化物無機(jī)材料粉末的燒成輔助用生片的生片制作工序；在上述電介質(zhì)生片的兩個主面分別配置上述導(dǎo)體生片而形成電容器部，并且以將上述電容器部用上述燒成輔助用生片保持的方式配置上述燒成輔助用生片而形成疊層體的疊層體形成工序；將上述疊層體燒成的燒成工序，在上述燒成工序的燒成處理中，降低上述導(dǎo)體生片與上述燒成輔助用生片的界面的粘接強(qiáng)度，并且將燒成氣氛的氧分壓至少改變1次以上，將作為上述電容器部的燒結(jié)體的薄膜電容器與作為上述燒成輔助用生片的燒結(jié)體的燒成輔助構(gòu)件分離。

而且，所謂「將上述薄膜電容器與上述燒成輔助用構(gòu)件分離」除了包括將薄膜電容器的導(dǎo)體層與燒成輔助用構(gòu)件完全分離的情況以外，還包括僅用夾具等輕輕地觸碰就可以極為容易地分離那樣的以非常弱的結(jié)合力接觸的情況，即，包括可以評價為實質(zhì)上分離的情況。

另外，所謂「將氧分壓至少改變1次以上」包括以作為內(nèi)部電極的主成分的金屬的氧化還原反應(yīng)的平衡氧分壓為基準(zhǔn)，在還原氣氛內(nèi)或中性氣氛內(nèi)產(chǎn)生氧分壓的輕微的變化的情況，然而最好像從還原氣氛變?yōu)橹行臍夥眨驈闹行臍夥兆優(yōu)檫€原氣氛那樣，使氧分壓明顯地變化。

另外，本發(fā)明的薄膜電容器的制造方法的特征是，上述金屬粉末是Ni及以Ni為主成分的合金當(dāng)中的某種。