[發(fā)明專利]曝光裝置、曝光方法及元件制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680015882.2 | 申請日: | 2006-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN101171668A | 公開(公告)日: | 2008-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 長坂博之 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 任默聞 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 曝光 裝置 方法 元件 制造 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)于通過液體使基板曝光的曝光裝置、曝光方法以及元件制造方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體元件或液晶顯示元件等微元件的工藝之一的光刻工藝中,使用將形成于掩膜上的圖案投影曝光至感旋光性基板上的曝光裝置。此曝光裝置,具有支撐掩膜且可移動的掩膜載臺與支撐基板且可移動的基板載臺,一邊使掩膜載臺與基板載臺逐次移動一邊通過投影光學(xué)系統(tǒng)將掩膜的圖案投影曝光至基板。在微元件的制造中,為進(jìn)行元件的高密度化,要求基板上所形成的圖案的微細(xì)化。為滿足此要求,對曝光裝置進(jìn)一步期望具有更高分辨率。作為實(shí)現(xiàn)該高分辨率的一手段,提出了一種如下述專利文獻(xiàn)1所揭示的以液體充滿曝光用光的光路空間,通過該液體使基板曝光的液浸曝光裝置。
專利文獻(xiàn)1:國際公開第99/49504號小冊子。
對一曝光裝置而言,為達(dá)成元件生產(chǎn)性提升等目的,要求基板(基板載臺)的移動速度能高速化。然而,以高速移動基板(基板載臺)時,欲將曝光用光的光路空間以液體充滿成所期望狀態(tài)有可能變得困難,而產(chǎn)生通過液體的曝光精度及測量精度劣化的可能性。例如,隨著基板(基板載臺)移動的高速化,產(chǎn)生無法以液體充分充滿曝光用光的光路空間、或于液體中產(chǎn)生氣泡等不良情形時,曝光用光將無法良好的到達(dá)基板上,而產(chǎn)生基板上未形成圖案、或基板上形成的圖案產(chǎn)生缺陷的情形。此外,隨著基板(基板載臺)移動的高速化,也有可能產(chǎn)生充滿在光路空間的液體漏出的情形。一旦液體漏出時,即會產(chǎn)生周邊構(gòu)件、機(jī)器的腐蝕、故障等情形。又,當(dāng)漏出的液體、未完全回收的液體等例如成為液滴而殘留在基板上時,也有可能因該殘留液體(液滴)汽化而在基板形成液滴的附著痕跡(所謂的水印)。又,也有可能因漏出液體的汽化熱使基板、基板載臺等產(chǎn)生熱變形,或使曝光裝置所處的環(huán)境(溫度、潔凈度等)產(chǎn)生變動,而導(dǎo)致包含基板上的圖案重疊精度等曝光裝置精度的惡化,或?qū)е率褂酶缮嫫鞯雀鞣N測量的精度惡化。再者,當(dāng)將殘留液體的基板從基板載臺搬出時,也可能有液體附著于保持該基板的搬送系統(tǒng),而使得災(zāi)情擴(kuò)大。此外,隨著基板(基板載臺)移動的高速化,也有可能產(chǎn)生被液體充滿的液浸區(qū)域變大的情形,導(dǎo)致曝光裝置全體變大。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有鑒于上述情形而為,其目的在提供能以液體將曝光用光的光路空間充滿成所期望狀態(tài)的曝光裝置、曝光方法、以及使用這些曝光裝置、曝光方法的元件制造方法。
為解決上述課題,本發(fā)明采用對應(yīng)各圖所示實(shí)施方式的以下構(gòu)成。但賦予各要件后括號內(nèi)的符號僅例示該要件,并無限定各要件的意圖。
本發(fā)明第1方式所提供的曝光裝置EX,其對基板P上照射曝光用光EL來使基板P曝光,其具備:液體供應(yīng)裝置11,其為了將該曝光用光EL的光路空間K1以液體LQ加以充滿而供應(yīng)液體LQ;第1面75,以和配置在曝光用光EL可照射位置的物體P表面相對向,且圍著該曝光用光EL的光路空間K1的方式設(shè)置,能將液體供應(yīng)裝置11供應(yīng)的液體LQ保持在與物體P之間;以及第2面76,其和物體P表面相對向,且相對該曝光用光EL的光路空間K1配置在第1面75的外側(cè);第2面76,其被設(shè)置成物體P表面與該第2面76之間存在的液體LQ的膜不與第2面76接觸。
根據(jù)本發(fā)明的第1方式,即使在使基板往既定方向移動同時進(jìn)行曝光時,也能以液體將曝光用光的光路空間充滿成所期望的狀態(tài)。
本發(fā)明第2方式所提供的曝光裝置EX,是通過液體LQ對基板P照射曝光用光EL以使該基板P曝光,該曝光裝置EX其包含:保持構(gòu)件70,與配置在該曝光用光EL可照射位置的物體P的表面相對向,且能將該液體LQ保持在與該物體P之間;回收部22,其回收保持在該物體P與構(gòu)件70之間的液體LQ;空間形成區(qū)域72,76,其形成于該構(gòu)件,以和該物體表面相對向的方式位于該光路K1與該回收部22之間,且在該物體P上的液體LQ與該構(gòu)件70之間形成空間SP。
根據(jù)本發(fā)明的第2方式,能在抑制液體的漏出及液浸區(qū)域變大的同時,將該曝光用光的光路的既定部分以液體加以充滿。
本發(fā)明第3方式所提供的曝光方法,通過液體LQ對基板P照射曝光用光EL以使該基板P曝光,該曝光方法包含:將該液體LQ供應(yīng)至與該基板對向配置的構(gòu)件70、和該基板P之間的步驟;一邊在該基板P上的液體LQ與該構(gòu)件70之間形成空間SP、一邊回收液體LQ的步驟;以及通過液體LQ對該基板P照射曝光用光以使該基板曝光的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的第3方式,能在抑制液體的漏出及液浸區(qū)域變大的同時,在將曝光用光的光路的既定部分以液體加以充滿的狀態(tài)下使基板曝光。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會社尼康,未經(jīng)株式會社尼康許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680015882.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





