[發(fā)明專利]曝光裝置、基板處理方法、以及器件制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200680014495.7 | 申請(qǐng)日: | 2006-06-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101167162A | 公開(公告)日: | 2008-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 藤原朋春;中野勝志 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社尼康 |
| 主分類號(hào): | H01L21/027 | 分類號(hào): | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 王永剛 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 曝光 裝置 處理 方法 以及 器件 制造 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及將曝光用光照射于基板上以使基板曝光的曝光裝置、基板處理方法、以及器件制造方法。
背景技術(shù)
在光刻工序中所使用的曝光裝置中,已有提出一種如下述專利文獻(xiàn)所揭示的液浸曝光裝置,在基板上形成液體的液浸區(qū)域,并經(jīng)由該液體使基板曝光。
【專利文獻(xiàn)1】國(guó)際公開第99/49504號(hào)小冊(cè)子
欲在基板上良好地形成液體的液浸區(qū)域,須使基板的與液體接觸的液體接觸面成為所希望的狀態(tài)。例如,形成于基板上的感光材等膜未以所希望的狀態(tài)形成時(shí),無(wú)法良好地形成液浸區(qū)域,而產(chǎn)生從基板上流出液體、或無(wú)法使所希望的圖案像曝光于基板上等不良情形,導(dǎo)致器件生產(chǎn)性降低。
又,未以所希望的狀態(tài)在基板上形成膜時(shí),例如該膜的一部分有可能從基板剝離。當(dāng)膜的一部分剝離時(shí),該剝離的膜的一部分有可能成為異物,附著于基板上或混入液體中。在存在異物的狀態(tài)下對(duì)基板進(jìn)行曝光時(shí),有可能產(chǎn)生形成于基板上的圖案產(chǎn)生缺陷等不良情形,導(dǎo)致器件生產(chǎn)性降低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情形而完成的,其目的在于提供能使基板良好地曝光、抑制器件生產(chǎn)性降低的曝光裝置、基板處理方法、以及器件制造方法。
為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明采用了對(duì)應(yīng)實(shí)施形態(tài)所示的各圖的以下構(gòu)成。不過(guò),付加于各要素的包含括號(hào)的符號(hào)僅為該要素的例示,而并非限定各要素。
依據(jù)本發(fā)明的第1態(tài)樣,提供一種曝光裝置(EX),對(duì)形成有薄膜(Rg,Tc)的基板(P)照射曝光用光(EL)來(lái)使該基板曝光,其特征在于,具備:用以檢測(cè)基板(P)上的薄膜(Rg,Tc)形成狀態(tài)的檢測(cè)裝置(60)。
根據(jù)本發(fā)明的第1態(tài)樣,由于設(shè)置用以檢測(cè)基板上薄膜的形成狀態(tài)的檢測(cè)裝置,因此可采取使用該檢測(cè)裝置的檢測(cè)結(jié)果來(lái)抑制器件生產(chǎn)性降低的處置。
依據(jù)本發(fā)明的第2態(tài)樣,提供一種曝光裝置(EX),經(jīng)由液體(LQ)對(duì)基板(P)照射曝光用光(EL)來(lái)使基板(P)曝光,其特征在于,具備:檢測(cè)裝置(40,60’),檢測(cè)基板(P)邊緣的狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的第2態(tài)樣,由于設(shè)置用以檢測(cè)基板邊緣的狀態(tài)的檢測(cè)裝置,因此可采取使用該檢測(cè)裝置的檢測(cè)結(jié)果來(lái)抑制器件生產(chǎn)性降低的處置。
依據(jù)本發(fā)明的第3態(tài)樣,提供一種曝光裝置(EX),經(jīng)由液體(LQ)對(duì)形成有薄膜(Rg,Tc)的基板(P)照射曝光用光(EL)來(lái)使該基板曝光,其特征在于,具備:配置于曝光用光(EL)的光路的光學(xué)系統(tǒng)(IL);以及用以檢測(cè)被提供該液體(EL)的基板(P)的薄膜(Rg,Tc)缺陷的檢測(cè)裝置(40,60’)。
根據(jù)本發(fā)明的第3態(tài)樣,由于設(shè)置用以檢測(cè)被提供液體(LQ)的基板(P)的薄膜(Rg,Tc)缺陷的檢測(cè)裝置,因此可采取使用該檢測(cè)裝置的檢測(cè)結(jié)果來(lái)抑制器件生產(chǎn)性降低及曝光裝置故障的處置。
依據(jù)本發(fā)明的第4態(tài)樣,提供一種使用上述態(tài)樣的曝光裝置(EX)的器件制造方法。根據(jù)本發(fā)明的第4態(tài)樣,能以良好生產(chǎn)性制造器件。
依據(jù)本發(fā)明的第5態(tài)樣,提供一種基板處理方法,對(duì)形成有膜(Rg,Tc)的基板(P)進(jìn)行曝光處理,其特征在于,包含:將基板(P)保持于基板保持構(gòu)件(4)的步驟;經(jīng)由液體(LQ)對(duì)保持于基板保持構(gòu)件(4)的基板(P)照射曝光用光(EL),以對(duì)基板(P)進(jìn)行曝光處理的步驟;在對(duì)基板(P)照射曝光用光(EL)前,檢測(cè)出基板(P)的膜(Rg,Tc)狀態(tài)的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的第5態(tài)樣,可采取檢測(cè)出基板的膜狀態(tài)的結(jié)果來(lái)抑制器件生產(chǎn)性的降低的處置。
依據(jù)本發(fā)明的第6態(tài)樣,提供一種基板處理方法,經(jīng)由液體進(jìn)行曝光,其特征在于,包含:在該基板上形成薄膜的步驟(SA0);檢查該薄膜缺陷的步驟(SA2,SB2,SC3);將液體供應(yīng)至該薄膜上的步驟(SB4,SC8);經(jīng)由該供應(yīng)的液體對(duì)基板照射該曝光用光的步驟(SA5,SB5,SC9)。
根據(jù)本發(fā)明的第6態(tài)樣,由于在經(jīng)由液體對(duì)基板(P)進(jìn)行曝光前,預(yù)先檢測(cè)出形成于基板的薄膜(Rg,Tc)缺陷,因此可抑制器件生產(chǎn)性降低,防范曝光裝置的故障于未然。
依據(jù)本發(fā)明的第7態(tài)樣,提供一種器件制造方法,其特征在于,包含:使用上述態(tài)樣的基板處理方法來(lái)對(duì)基板進(jìn)行曝光處理的步驟、使已曝光的基板顯影的步驟、對(duì)已顯影的基板進(jìn)行加工的步驟。依據(jù)本發(fā)明的第7態(tài)樣,能以良好生產(chǎn)性制造器件。
根據(jù)本發(fā)明,可良好地使基板曝光,抑制器件生產(chǎn)性的降低,防止曝光裝置的故障于未然。
附圖說(shuō)明
圖1是顯示第1實(shí)施形態(tài)的曝光裝置的概略構(gòu)成圖。
圖2是顯示曝光裝置本體的概略構(gòu)成圖。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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