[發明專利]制造雙極晶體管的方法

無效

• 申請號: 200680014320.6
• 申請日: 2006-04-24
• 公開（公告）號: CN101238558A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發明（設計）人: 約翰內斯·J·T·M·東科爾斯;埃爾文·海曾;韋伯·D·范諾爾特
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/735;H01L29/732;H01L21/762;H01L27/06
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳源;張天舒

技術領域

本發明涉及一種制造雙極晶體管的方法。

背景技術

在WO?03/100845中公開了一種雙極晶體管的制造方法，其中，為基片提供兩個淺阱隔離區域以及覆蓋基片的絕緣層，在這兩個淺阱隔離區域之間具有n型外延集電極區域。包括導電層的層結構形成于絕緣層上，然后，穿過該導電層蝕刻出窗口或阱。在這個阱中，制造了SiGe異質結雙極晶體管。這個方法的缺點在于：需要額外層以及獨立掩膜步驟來形成用于在其中制造了雙極晶體管的阱。

發明內容

本發明的目的在于：提供一種帶有最小數目的附加制造步驟的在阱中制造雙極晶體管的方法。根據本發明，通過提供如權利要求1所述的方法來實現這個目標。

本發明提供了一種制造雙極晶體管的方法，該方法應用標準淺阱隔離制造方法來同時在第一阱中形成雙極晶體管以及在第二阱中形成淺阱隔離區域。為此，第一絕緣層被提供在覆蓋在一個基片區域上的另外基片區域上。每個都具有底部的第一阱和第二阱同時形成于第一絕緣層和另外基片區域中。然后，第二阱填充有第二絕緣層。第一晶體管區域形成于位于第一阱底部的另外基片區域的一部分上，第二晶體管區域形成于第一晶體管區域的一部分上。然后，第三晶體管區域形成于第二晶體管區域的一部分上。然后，通過對暴露表面進行平坦化，將雙極晶體管形成于第一阱中并且同時將淺阱隔離區域形成于第二阱中，其中所述平坦化之后暴露了第一絕緣層。該制造方法有利地使用通過標準淺阱隔離制造方法制造的阱，來同時在第一阱中形成雙極晶體管以及在第二阱中形成淺阱隔離區域，從而節省了僅為雙極晶體管形成單獨阱的制造步驟。

在第一實施例中，縱向雙極晶體管形成于第一阱中，其中，第一晶體管區域包括集電極區域，第二晶體管區域包括第一基極區域，并且第三晶體管區域包括發射極區域。

在第二實施例中，橫向雙極晶體管形成于第一阱中，其中，第一晶體管區域包括第一基極區域，第二晶體管區域包括第二基極區域，與第一阱相鄰的另外基片區域的一部分包括另外發射極區域，并且與第一阱相鄰并且與另外發射極區域相對的另外基片區域的另一部分包括另外集電極區域。另外集電極區域和另外發射極區域位于第一阱的相對側上。

在第三實施例中，縱向雙極晶體管形成于第一阱中，同時橫向雙極晶體管形成于第三阱中。

附圖說明

將對照附圖來進一步說明和描述本發明的這些和其它方面，這些附圖為：

圖1到圖7示出了根據本發明的縱向雙極晶體管的制造的各個階段的截面視圖；以及

圖8到圖13示出了根據本發明的橫向雙極晶體管的制造的各個階段的截面視圖。

這些附圖沒有按照比例進行繪制。通常，在這些附圖中，相同部件由相同參考標號表示。

具體實施方式

如圖1所示，制造方法從標準淺阱隔離(STI)制造方法的第一制造步驟的結果開始。提供了絕緣體上硅基片，該絕緣體上硅基片包括基片絕緣區域1和覆蓋在基片絕緣區域1上的基片區域3。或者，可以應用沒有基片絕緣區域1的標準半導體基片。基片絕緣區域1可以包括二氧化硅，基片區域3可以包括諸如例如n型硅的半導體材料。第一阱5和第二阱7提供在基片區域3中，由此，第一阱5的底部和第二阱7的底部均使基片區域3暴露。此外，第一阱5和第二阱7的底部和側壁覆蓋有第一絕緣襯墊層11，并且與第一阱5和第二阱7相鄰的基片區域3覆蓋有其上形成有第一絕緣層13的第一絕緣襯墊層11。第一絕緣襯墊層11可以包括二氧化硅，第一絕緣層13可以包括氮化硅。標準CMOS和其它半導體器件可以在稍后階段形成于與第一阱5和第二阱7相鄰的基片區域3中。