[發明專利]制造雙極晶體管的方法

無效

• 申請號: 200680014320.6
• 申請日: 2006-04-24
• 公開（公告）號: CN101238558A
• 公開（公告）日: 2008-08-06
• 發明（設計）人: 約翰內斯·J·T·M·東科爾斯;埃爾文·海曾;韋伯·D·范諾爾特
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/735;H01L29/732;H01L21/762;H01L27/06
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳源;張天舒

1.一種用于制造雙極晶體管的方法，所述方法包括如下步驟：

在覆蓋在基片區域(1，10)上的另外基片區域(3，30)上提供第一絕緣層(13，130)；

在所述第一絕緣層(13，130)中和所述另外基片區域(3，30)中形成第一阱(5，50)和第二阱(7，70)，其中每個阱具有底部；

形成第二絕緣層(17，170)，從而覆蓋所述第一絕緣層(13，130)并且填充所述第一阱(5，50)和所述第二阱(7，70)；

從所述第一阱(5，50)去除所述第二絕緣層(17，170)；

在位于所述第一阱(5，50)的底部的所述另外基片區域(3，30)的一部分上形成第一晶體管區域(19，41)；

在所述第一晶體管區域(19，41)的一部分上形成第二晶體管區域(21，41)；

在所述第二晶體管區域(21，41)的一部分上形成第三晶體管區域(25，250)；以及

將所述暴露表面進行平坦化處理，從而暴露所述第一絕緣層(13，130)并且在所述第二阱(7，70)中形成淺阱隔離區域(27，270)。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述雙極晶體管包括縱向雙極晶體管(29)，其中，所述第一晶體管區域(19)包括集電極區域，所述第二晶體管區域(21)包括基極區域，所述第三晶體管區域(25)包括發射極區域。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述雙極晶體管包括橫向雙極晶體管(49)，其中，所述第一晶體管區域(41)包括基極區域，所述第二晶體管區域(41)包括另外基極區域，與所述第一阱(50)相鄰的基片區域(3)包括另外發射極區域(45)和另外集電極區域(43)，其中，所述另外發射極區域(45)和所述另外集電極區域(43)位于所述第一阱(50)的相對側上。

4.如權利要求2和3所述的方法，其中，所述縱向雙極晶體管(29)形成于所述第一阱(5)中，所述橫向雙極晶體管(49)同時形成于第三阱中，所述方法還包括在形成所述第一晶體管區域(19，41)之前形成掩膜層的步驟。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述基片區域(1，10)包括絕緣材料。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述第二晶體管區域(21，210)包括SiGe:C。