[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片的制造方法和半導(dǎo)體芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680012436.6
• 申請日: 2006-04-11
• 公開（公告）號: CN101160652A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 有田潔;中川顯
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/68
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 王瑋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片制造方法，用于形成在多個器件形成區(qū)中排列的半導(dǎo)體器件，通過在半導(dǎo)體晶片的第一表面上劃分區(qū)域并且沿劃分區(qū)域單獨地分離半導(dǎo)體晶片的器件形成區(qū)來限定所述多個器件形成區(qū)，從而制造包括個體化半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體芯片，本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體芯片。

背景技術(shù)

通常，作為通過這種半導(dǎo)體芯片的制造方法將半導(dǎo)體芯片劃分為單個半導(dǎo)體芯片的方法，已經(jīng)公知了各種方法。例如，用于通過稱為切片刀片的旋轉(zhuǎn)刀片機械地切割晶片來劃分半導(dǎo)體晶片的方法。

然而，近年來本發(fā)明晶片已經(jīng)越來越薄，并且易受外力的半導(dǎo)體晶片受到上述機械切片時，通常是剪切時損壞半導(dǎo)體晶片的情況。這導(dǎo)致不能避免處理產(chǎn)量減小的問題。例如作為這種損壞，由于銳利地剪切形狀導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片的角落部分(邊緣)變得有缺口的碎屑的出現(xiàn)。

近年來，使用等離子蝕刻的等離子體切片(plasma?dicing)已經(jīng)代替上述傳統(tǒng)機械切片吸引了大家的注意(例如，參考日本未審專利公開No.2004-172365A)。這里參考圖27A至27C和圖28A和圖28B所示的示意性示范圖描述通過傳統(tǒng)等離子體切片將半導(dǎo)體晶片劃分為單個半導(dǎo)體芯片的方法。

首先，如圖27A所示，使半導(dǎo)體晶片501進入這樣的狀態(tài)：通過在通過半導(dǎo)體晶片的電路形成面501a上劃分區(qū)域R2限定的各個器件形成區(qū)R1中形成半導(dǎo)體器件502。每一個半導(dǎo)體器件502包括諸如MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)晶體管之類的器件，所述MOS結(jié)構(gòu)晶體管由半導(dǎo)體晶片501(半導(dǎo)體)在電路形成面501a上直接形成的氧化硅551(氧化物)和在氧化硅551上形成的金屬膜(金屬)構(gòu)成。另外，半導(dǎo)體器件502還包括連接端子552(也稱為接合焊盤)，用于將器件與外部電子裝置電連接。此外，將表面保護膜553形成于半導(dǎo)體器件502的表面上，使得包括半導(dǎo)體器件502的表面。將連接端子552暴露在外，沒有用表面保護膜553覆蓋。在與電路形成面501a的劃分區(qū)R2相對應(yīng)的部分中既不形成氧化硅551也不形成表面保護膜553。

接下來，如圖27B所示，經(jīng)由粘附劑將保護片504可剝離粘附地粘到電路形成面501a，使得半導(dǎo)體晶片501的電路形成面501a不會受到損壞。隨后，將掩模(掩模圖案)505放置到待處理表面501b(即處理目標(biāo)面)或與電路形成面501a相對的表面上，使得對與劃分區(qū)R2相對應(yīng)的部分進行暴露。

接下來，通過在其上這樣形成掩模505的半導(dǎo)體晶片501上執(zhí)行等離子體刻蝕，對表面501b上沒有覆蓋掩模505的暴露表面進行刻蝕，去除了與劃分區(qū)R2相對應(yīng)的部分。通過如圖27C所示的該工藝，單獨地分離了器件形成區(qū)，形成了包括半導(dǎo)體器件502的半導(dǎo)體芯片510的單片。因此，將半導(dǎo)體晶片501劃分為沿劃分區(qū)R2包括各個半導(dǎo)體器件502的半導(dǎo)體芯片510的單片。

隨后，如圖28A所示，例如通過執(zhí)行灰化(ashing)工藝去除了仍然保持在已分離半導(dǎo)體芯片510的待處理表面501b上的掩模505。隨后如圖28B所示，將粘附帶(切片帶)506粘貼到半導(dǎo)體晶片501的待處理表面501b上，并且對已經(jīng)保護了半導(dǎo)體晶片501的電路形成面501a的保護片504進行剝離。結(jié)果，將半導(dǎo)體芯片510排列在粘附帶506上處于將半導(dǎo)體芯片分離為單片的狀態(tài)。

通過使用上述傳統(tǒng)等離子體切片劃分半導(dǎo)體晶片501，與前述機械切片相比，可以減小對于所制造的半導(dǎo)體芯片510的損壞。

發(fā)明內(nèi)容

然而，即使通過上述傳統(tǒng)等離子體切片劃分為單片的半導(dǎo)體芯片510也具有通過如圖27C、28A和28B所示的分離形成的銳利角落部分554(邊緣)。存在以下問題：當(dāng)如上所述在半導(dǎo)體芯片上形成銳利角落部分554時，不能避免碎屑(chipping)的產(chǎn)生。

具體地，上述傳統(tǒng)等離子體切片具有以下特征：等離子體中的離子當(dāng)越靠近底部部分時越難以到達刻蝕底部。因此有時存在這樣的情況：例如在圖29中所示的已刻蝕劃分區(qū)R2的部分放大示意圖中所示，在已分離的半導(dǎo)體芯片510的底部末端形成凸出形狀的角落部分554。在這種情況下存在以下問題：角落部分554變得更加易于切碎，并且減小了半導(dǎo)體芯片的橫向破裂強度。

另外，在如圖29所示的半導(dǎo)體芯片510中，結(jié)果不但在電路形成面501a上形成銳利的角落部分554，而且在待處理的表面501b上形成銳利的角落部分555，這導(dǎo)致以下問題：半導(dǎo)體芯片510的橫向破裂強度減小變得更加顯著。