[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片的制造方法和半導(dǎo)體芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680012436.6
• 申請(qǐng)日: 2006-04-11
• 公開（公告）號(hào): CN101160652A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 有田潔;中川顯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/78
• 分類號(hào): H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/68
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 王瑋

1.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，包括：

在具有第一表面和第二表面的半導(dǎo)體晶片的第二表面上執(zhí)行等離子體刻蝕，在所述第一表面上形成在通過劃分區(qū)限定的多個(gè)器件形成區(qū)中放置的半導(dǎo)體器件和在劃分區(qū)中放置的絕緣膜，以及在所述第二表面上放置了用于限定劃分區(qū)的掩模，所述第二表面與所述第一表面相對(duì)，從而去除了與劃分區(qū)相對(duì)應(yīng)的部分，并且將絕緣膜從刻蝕底部部分中暴露出來；

通過在以由于等離子體中的離子導(dǎo)致的電荷對(duì)絕緣膜的已暴露表面充電的狀態(tài)下執(zhí)行等離子體刻蝕，去除器件形成區(qū)中與絕緣膜接觸的第一表面一側(cè)上的角落部分；以及

隨后，去除已暴露的絕緣膜，使得將器件形成區(qū)分離為單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片，從而制造了每一個(gè)均包括個(gè)體化半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體芯片，

其中，從半導(dǎo)體晶片上的第二表面、或者具有從在暴露絕緣膜之前或之后的任意時(shí)間放置的掩模的單獨(dú)半導(dǎo)體芯片上另外執(zhí)行各向同性等離子體刻蝕，實(shí)現(xiàn)角落部分的去除或絕緣膜的去除。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中通過執(zhí)行各向同性等離子體刻蝕，在半導(dǎo)體晶片的器件形成區(qū)或半導(dǎo)體芯片中去除與在第二表面一側(cè)上放置的掩模相接觸的角落部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中：

通過在半導(dǎo)體晶片上執(zhí)行各向異性等離子體刻蝕來執(zhí)行絕緣膜的暴露；

通過連續(xù)地執(zhí)行各向異性刻蝕去除角落部分；

通過從各向異性刻蝕切換到各向同性刻蝕，通過執(zhí)行各向同性刻蝕去除與掩模相接觸的角落部分；以及

然后去除絕緣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中：

通過在用于各向異性刻蝕的等離子體條件和用于各向同性刻蝕的等離子體條件之間切換來執(zhí)行各向異性刻蝕和各向同性刻蝕間的切換，通過將包括等離子體發(fā)生氣體的壓力、氣體成分、高頻輸出或放電頻率在內(nèi)的一個(gè)參數(shù)或多個(gè)參數(shù)進(jìn)行組合來確定所述用于各向異性刻蝕的等離子體條件和所述用于各向同性刻蝕的等離子體條件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中，在從第二表面進(jìn)行的等離子體刻蝕中，將在半導(dǎo)體晶片的第一表面上由氧化硅(SiO₂)構(gòu)成的絕緣膜從刻蝕底部部分中暴露出來。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中，在從第二表面進(jìn)行的等離子體刻蝕中，將由聚酰亞胺(PI)構(gòu)成的表面保護(hù)膜作為絕緣膜從刻蝕底部部分中暴露出來，所述表面保護(hù)膜用于保護(hù)在半導(dǎo)體晶片的第一表面上形成的半導(dǎo)體器件的表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中，在去除絕緣膜之后，通過在半導(dǎo)體晶片的第二表面上執(zhí)行灰化來去除所述掩模。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中，從其上放置了掩模的半導(dǎo)體晶片的第二表面執(zhí)行等離子體刻蝕，所述掩模具有在與每一個(gè)器件形成區(qū)的角落部分相對(duì)應(yīng)的部分中形成的粗略彎曲的凸起部分，每一個(gè)器件形成區(qū)具有粗略的矩形區(qū)域。

9.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，包括：

在具有第一表面和第二表面的半導(dǎo)體晶片的第二表面上執(zhí)行等離子體刻蝕，在所述第一表面上形成在通過劃分區(qū)限定的多個(gè)器件形成區(qū)中放置的半導(dǎo)體器件和在劃分區(qū)中放置的絕緣膜，以及在所述第二表面上放置了用于限定劃分區(qū)的掩模，所述第二表面與所述第一表面相對(duì)，從而去除了與劃分區(qū)相對(duì)應(yīng)的部分，并且將絕緣膜從刻蝕底部部分中暴露出來；

通過在以由于等離子體中的離子導(dǎo)致的電荷對(duì)絕緣膜的已暴露表面充電的狀態(tài)下執(zhí)行等離子體刻蝕，在去除器件形成區(qū)中與絕緣膜接觸的第一表面一側(cè)上的角落部分的同時(shí)，去除已暴露的絕緣膜，從而將器件形成區(qū)分離為單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片，并且因此制造了每一個(gè)均包括個(gè)體化半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體芯片，

其中，從半導(dǎo)體晶片上的第二表面、或者具有從在暴露絕緣膜之前或之后的任意時(shí)間放置的掩模的單獨(dú)半導(dǎo)體芯片上另外執(zhí)行各向同性等離子體刻蝕，實(shí)現(xiàn)角落部分的去除或絕緣膜的去除。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體芯片的制造方法，其中通過執(zhí)行各向同性等離子體刻蝕，在半導(dǎo)體晶片的器件形成區(qū)或半導(dǎo)體芯片中去除與在第二表面一側(cè)上放置的掩模相接觸的角落部分。