[發明專利]曝光方法、曝光裝置、組件制造方法、以及膜的評估方法

無效

• 申請號: 200680010913.5
• 申請日: 2006-04-25
• 公開（公告）號: CN101156226A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發明（設計）人: 長坂博之
• 申請（專利權）人: 株式會社尼康
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/20
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種曝光方法，其特征在于，所述曝光方法具有：

于基板上形成液體的液浸區域的步驟；

根據在所述基板表面與所述液體之間作用的附著力來決定曝光條件的步驟；以及

根據所述曝光條件透過所述液浸區域的所述液體使所述基板曝光的步驟。

2.如權利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述附著力是根據所述液體于所述基板表面的靜態接觸角、以及所述液體于所述基板表面的滑落角來決定。

3.如權利要求1或2所述的曝光方法，其特征在于，所述附著力E為

E＝(m×g×sinα)/(2×π×R)

其中，

m：在基板上的液體的液滴質量

g：重力加速度

α：對水平面的滑落角

R：在基板上的液體的液滴半徑。

4.一種曝光方法，其特征在于，所述曝光方法具有：

于基板上形成液體的液浸區域的步驟；

根據所述液體于所述基板表面的靜態接觸角、與所述液體于所述基板表面的滑落角來決定曝光條件的步驟；以及

根據所述曝光條件透過所述液浸區域的所述液體使所述基板曝光的步驟。

5.如權利要求4所述的曝光方法，其特征在于，

所述曝光條件是根據式(θ-t×α)來決定；其中，

θ：所述液體于所述基板表面的靜態接觸角

α：所述液體于所述基板表面的滑落角

t：既定的常數。

6.如權利要求2至5中任一項所述的曝光方法，其特征在于，所述曝光條件的決定，包含：

對所述液體于所述基板表面的靜態接觸角進行測量的步驟；以及

對所述液體于所述基板表面的滑落角進行測量的步驟。

7.一種曝光方法，其特征在于，所述曝光方法具有：

于基板上形成液體的液浸區域的步驟；

根據所述基板傾斜時所述液體于所述基板表面的后退接觸角來決定曝光條件的步驟；以及

根據所述曝光條件透過所述液浸區域的所述液體使所述基板曝光的步驟。

8.如權利要求1至7中任一項所述的曝光方法，其特征在于，所述基板的所述曝光，具有一邊移動所述基板一邊透過所述液體對所述基板照射曝光用光的步驟；

所述曝光條件包含移動所述基板時的移動條件。

9.如權利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述移動條件包含所述基板的移動速度、以及加速度中至少一者。

10.如權利要求1至9中任一項所述的曝光方法，其特征在于，所述曝光條件包含形成所述液浸區域時的液浸條件。

11.如權利要求10所述的曝光方法，其特征在于，所述液浸條件包含對所述液浸區域供給所述液體的供給條件。

12.如權利要求11所述的曝光方法，其特征在于，所述供給條件包含每單位時間的液體供給量。

13.一種組件制造方法，其特征在于，所述方法使用權利要求1～12中任一項所述的曝光方法。

14.一種曝光裝置，該曝光裝置透過基板上形成的液浸區域的液體使所述基板曝光，其特征在于：

所述曝光裝置具備測量裝置，用以測量在所述基板表面與所述液體之間作用的附著力。

15.如權利要求14所述的曝光裝置，其特征在于，所述測量裝置具有：

第1測量器，用以測量所述液體于所述基板表面的靜態接觸角；以及

第2測量器，用以測量所述液體于所述基板表面的滑落角。

16.一種曝光裝置，該曝光裝置透過基板上形成的液浸區域的液體使所述基板曝光，其特征在于：

所述曝光裝置具備測量裝置，用以測量所述基板傾斜時所述液體于所述基板表面的后退接觸角。

17.如權利要求14或15所述的曝光裝置，其特征在于，所述曝光裝置進一步具備：

儲存裝置，供事先儲存與所述附著力對應的信息；以及

控制裝置，根據所述測量裝置的測量結果與所述儲存裝置的儲存信息來決定曝光條件。