[發(fā)明專利]曝光方法、曝光裝置、組件制造方法、以及膜的評估方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680010913.5
• 申請日: 2006-04-25
• 公開（公告）號: CN101156226A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 長坂博之
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社尼康
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G03F7/20
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 任默聞

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明有關(guān)于一種透過液體使基板曝光的曝光方法、曝光裝置、組件制造方法、以及膜的評估方法。

本案基于2005年4月27日所提出申請的日本特愿2005-129517號案、以及2005年7月21日所提出申請的日本特愿2005-211319號案主張優(yōu)先權(quán)，而將其內(nèi)容援用于本文中。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體組件或液晶顯示組件等微組件制造工藝之一的光刻步驟中，采用將掩膜上所形成的圖案投影曝光在感旋光性基板上的曝光裝置。此曝光裝置，具有用以保持掩膜的掩膜載臺、以及用以保持基板的基板載臺，一邊使掩膜載臺與基板載臺依序移動、一邊透過投影光學(xué)系統(tǒng)將掩膜圖案投影曝光在基板。在微組件的制造中，為了達(dá)成組件的高密度化，要求于基板上所形成的圖案的微細(xì)化。為了因應(yīng)此要求，故希望曝光裝置可更進(jìn)一步高分辨率化，用以實(shí)現(xiàn)該高分辨率化的方法之一，如下述專利文獻(xiàn)1所揭示的液浸曝光裝置，于基板上形成液體的液浸區(qū)域，透過該液浸區(qū)域的液體來使基板曝光。

[專利文獻(xiàn)1]國際公開第99/49504號說明書。

然而，為曝光對象的基板表面所設(shè)置的光刻膠膜、或是其上層所設(shè)置的覆涂膜等通常使用各種材料，但是作為與液浸區(qū)域液體的接觸面的膜種類變更時，依膜的種類，可能無法將曝光用光的光路上的液體維持在所希望狀態(tài)。此種情況下，會產(chǎn)生液浸曝光裝置的通用性顯著降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明鑒于上述問題所完成，其目的在于提供一種可對于設(shè)置不同種類膜的基板分別良好地進(jìn)行液浸曝光的曝光方法、曝光裝置、以及組件制造方法

為了解決上述課題，本發(fā)明采用與實(shí)施方式所示各圖相對應(yīng)的以下構(gòu)成。其中，附于各要件的帶括號符號僅為該要件的例示，而并非用來限定各要件者。

根據(jù)本發(fā)明的第1方案，提供一種曝光方法，于基板P上形成液體LQ的液浸區(qū)域LR，透過液浸區(qū)域LR的液體LQ將曝光用光EL照射于基板P上來使基板P曝光；并根據(jù)在基板P表面與液體LQ之間所作用的附著力來決定使基板P曝光時的曝光條件。

根據(jù)本發(fā)明的第1方案，由于根據(jù)在基板表面與液體之間所作用的附著力來決定使基板曝光時的曝光條件，故不論表面的膜種類為何都可對基板良好地進(jìn)行液浸曝光。

根據(jù)本發(fā)明的第2方案，提供一種曝光方法，于基板P上形成液體LQ的液浸區(qū)域LR，透過液浸區(qū)域LR的液體LQ將曝光用光EL照射于基板P上來使基板P曝光；并根據(jù)液體LQ于基板P表面的靜態(tài)接觸角及液體LQ于基板P表面的滑落角來決定使基板P曝光時的曝光條件。

根據(jù)本發(fā)明的第2方案，由于根據(jù)液體于基板表面的靜態(tài)接觸角與滑落角來決定使基板曝光時的曝光條件，故不論表面的膜種類為何都可對基板良好地進(jìn)行液浸曝光。

根據(jù)本發(fā)明的第3方案，提供一種曝光方法，于基板P上形成液體LQ的液浸區(qū)域LR，透過液浸區(qū)域LR的液體LQ將曝光用光EL照射于基板P上來使基板P曝光；并根據(jù)將基板P表面傾斜時的基板P表面與液體LQ的后退接觸角來決定使基板P曝光時的曝光條件。

根據(jù)本發(fā)明的第3方案，由于根據(jù)將基板表面傾斜時的基板表面與液體的后退接觸角來決定使基板曝光時的曝光條件，故不論表面的膜種類為何都可對基板良好地進(jìn)行液浸曝光。

根據(jù)本發(fā)明的第4方案，提供一種組件制造方法，該方法使用上述方案的曝光方法。

根據(jù)本發(fā)明的第4方案，不論表面的膜種類為何都可對基板良好地進(jìn)行液浸曝光，故可制造具有所欲性能的組件。

根據(jù)本發(fā)明的第5方案，提供一種曝光裝置EX，于基板P上形成液體LQ的液浸區(qū)域LR，透過液浸區(qū)域LR的液體LQ將曝光用光EL照射于基板P上來使基板P曝光，該曝光裝置EX具備測量裝置60，以測量在基板P表面與液體LQ之間所作用的附著力。

根據(jù)本發(fā)明的第5方案，由測量在基板表面與液體之間所作用的附著力，而可根據(jù)該測量結(jié)果，不論表面的膜種類為何都可對基板良好地進(jìn)行液浸曝光。

根據(jù)本發(fā)明的第6方案，提供一種曝光裝置EX，于基板P上形成液體LQ的液浸區(qū)域LR，透過液浸區(qū)域LR的液體LQ將曝光用光EL照射于基板P上來使基板P曝光；該曝光裝置(EX)具備測量裝置60，以測量將基板P表面傾斜時的基板P表面與液體LQ的后退接觸角。

根據(jù)本發(fā)明的第6方案，由測量將基板表面傾斜時的基板表面與液體的后退接觸角，而可根據(jù)該測量結(jié)果，不論表面的膜種類為何都可對基板良好地進(jìn)行液浸曝光。