[發(fā)明專利]正性光致抗蝕劑組合物、厚膜光致抗蝕劑層壓材料、用于制備厚膜抗蝕劑圖案的方法以及用于制備接線端子的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680009936.4
• 申請(qǐng)日: 2006-03-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101248390A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 三隅浩一;鷲尾泰史;先崎尊博;齋藤宏二
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F7/004
• 分類號(hào): G03F7/004;G03F7/039;H01L21/60
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 陳長(zhǎng)會(huì)

1.一種用于曝光到具有選自g-射線、h-射線和i-射線中的一種或多種波長(zhǎng)的光的正性光致抗蝕劑組合物，所述組合物包括：

(A)在活性射線或輻射的輻照下產(chǎn)生酸的化合物，和

(B)樹(shù)脂，所述的樹(shù)脂在堿中的溶解性通過(guò)酸的作用得到提高，其中

所述組分(A)包含在陽(yáng)離子部分具有萘環(huán)的鎓鹽(A1)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的正性光致抗蝕劑組合物，所述組合物用于厚膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的正性光致抗蝕劑組合物，所述組合物用于在其上形成有光致抗蝕劑層的表面中含有銅的基底。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的正性光致抗蝕劑組合物，其中所述組分(A1)的陽(yáng)離子部分由下列通式(A1)表示：

[化學(xué)式1]

其中，R⁴¹、R⁴²和R⁴³中的至少一個(gè)表示由下列通式(A1-0)表示的基團(tuán)并且其它表示具有1至4個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烷基、可以具有取代基的苯基、羥基或具有1至4個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烷氧基；或者R⁴¹、R⁴²和R⁴³中的至少一個(gè)表示下列通式(A1-0)表示的基團(tuán)，其它兩個(gè)取代基各自獨(dú)立地表示具有1至4個(gè)碳原子的直鏈或支鏈亞烷基，并且它們的末端可以結(jié)合形成環(huán)；

[化學(xué)式2]

其中，R⁵¹和R⁵²各自獨(dú)立地表示羥基、具有1至4個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烷氧基或具有1至4個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烷基；R⁵³表示單鍵或可以具有取代基的含1至4個(gè)碳原子的直鏈或支鏈亞烷基；而p和q各自獨(dú)立地表示0或1至2的整數(shù)，并且p+q為3或更小，還可以當(dāng)存在多個(gè)R⁵¹時(shí)彼此相同或不同，或者可以當(dāng)存在多個(gè)R⁵²時(shí)彼此相同或不同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正性光致抗蝕劑組合物，其中所述組分(A1)為锍鹽。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正性光致抗蝕劑組合物，還包括(C)堿溶性樹(shù)脂。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的正性光致抗蝕劑組合物，還包括(D)酸擴(kuò)散抑制劑。

8.一種厚膜光致抗蝕劑層壓材料，其包括基底和由根據(jù)權(quán)利要求1的所述正性光致抗蝕劑組合物制成的厚度為10至150μm的厚膜光致抗蝕劑層，所述基底和厚膜光致抗蝕劑層彼此層壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的厚膜光致抗蝕劑層壓材料，其中所述基底為在其上形成有所述光致抗蝕劑層的表面中含有銅的基底。

10.一種用于制備厚膜抗蝕劑圖案的方法，所述方法包括獲得根據(jù)權(quán)利要求8的厚膜光致抗蝕劑層壓材料的層壓步驟；將所述厚膜光致抗蝕劑層壓材料選擇性曝光到具有選自g-射線、h-射線和i-射線中的一種或多種波長(zhǎng)的光的曝光步驟；以及在曝光之后顯影以獲得厚膜抗蝕劑圖案的顯影步驟。

11.一種用于制備接線端子的方法，所述方法包括在厚膜抗蝕劑圖案的非抗蝕劑部分上形成由導(dǎo)體制成的接線端子的步驟，所述厚膜抗蝕劑圖案是由根據(jù)權(quán)利要求10的制備厚膜抗蝕劑圖案的方法獲得的。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于制備接線端子的方法，所述方法使用了在所述形成有光致抗蝕劑層的表面中含有銅的基底上形成的所述厚膜抗蝕劑圖案。