[發明專利]磁記錄介質的制造方法、磁記錄介質以及表面處理裝置

無效

• 申請號: 200680009909.7
• 申請日: 2006-01-27
• 公開（公告）號: CN101151663A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發明（設計）人: 大澤弘;黑川剛平
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B5/725;H01J37/31;H01J37/32;H05H1/24
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 楊曉光;李崢

相關申請的交叉參照

要求獲得2005年3月28日所申請的日本專利申請No.2005-091216的優先權。

技術領域

本發明涉及到用于磁盤驅動器或其它磁記錄裝置中的一種磁記錄介質，以及磁記錄介質的制造方法。

背景技術

硬盤驅動器是一種磁記錄裝置，在信息處理裝置中用作存儲裝置，它具有用于回放和記錄的磁頭以及以含有磁性層的磁盤的形式提供的磁記錄介質。磁盤中的所述磁性層通過用濺射、氣相沉積或化學鍍等等方法在非磁性基底上沉積鐵磁金屬或其合金來形成。通常，在硬盤驅動器中采用所謂的接觸啟停(contact?start?stop，CSS)方法來記錄和再現數據。在使用CSS方法的硬盤驅動器中，磁頭在開始工作時與磁性圓盤(也簡稱為磁盤)相接觸，當磁盤開始轉動時，磁頭在磁盤上滑動，當磁盤轉動速度增加時，磁頭便從磁盤上抬起來，在這種狀態下可以進行記錄和再現。當停止的時候，在磁盤的轉動速度降低時磁頭又開始在磁盤上滑動。

在磁盤中，為了防止磁盤的耐久性由于與磁頭滑動接觸所產生的摩擦損壞而退化，在磁性層上提供保護膜層和潤滑層來提高磁盤的抗磨損性以及減少磁頭和磁盤滑動接觸時的靜摩擦和動摩擦。通常使用碳膜、SiO₂、ZrO₂以及其它氧化物膜、氮化物膜和硼化物膜作為上述的保護膜層。另外，通常通過在磁盤表面涂一層諸如液體全氟聚醚化合物(perfluoropolyether)的潤滑劑來形成上述的潤滑劑層。

在磁盤中，潤滑劑層中自由移動的分子以及潤滑劑層中與保護膜層表面鍵合的分子的數目和特性對于抗磨損性有重要影響。例如，如果潤滑層中自由移動的分子的數量太多，磁盤的靜摩擦系數就會增加，導致磁頭和磁盤之間吸附現象(所謂的粘貼，stiction)的發生更加容易。如果數量太少，磁盤表面的滑動摩擦系數增加，導致潤滑性降低、使磁頭墜落的發生更加容易。

為了減小粘貼，通過使磁盤表面具有一定程度的被稱為紋理化的粗糙性，或者通過賦予用激光輻射形成被稱作激光紋理的小凸起，來減少磁頭和磁盤之間的接觸面積。然而最近，磁頭在磁盤表面的飛行高度變得非常低，為25nm或更低，以便獲得較高的記錄密度。因此，需要使磁盤表面盡可能光滑，并減小由激光紋理化形成的凸起的高度，以避免開始驅動時磁盤和磁頭間的接觸。然而，這樣做之后，粘貼性反而變壞。因為粘貼性不能只通過由激光紋理化形成的凸起來充分地減小，也需要控制潤滑劑層中自由移動分子和潤滑劑層中與保護膜層表面鍵合的分子的數目和特性，如前面所述。

隨著記錄密度的增加，要求潤滑劑層增強與保護膜層的鍵合強度。這種需求的原因如下所述。通過使用MR元件、GMR元件等等磁頭來提高記錄密度，硬盤驅動器正變得越來越緊湊和輕便，而且要求通過降低靜摩擦系數以便減少也構成磁頭負載的起始驅動力來改進啟動操作性能。為了減小靜摩擦系數，通過增加潤滑劑和保護膜層之間的鍵合強度來減少潤滑劑層中自由移動分子的數目是很有效的。

除了CSS(Contact?Start?Stop，接觸啟停)方法外，近年來在實際中也使用斜坡加載方法(ramp?load?method)。斜坡加載方法指這樣一種方法，它使用一種機構，通過這種機構，在磁盤的外周附近提供一個磁頭退出區，當磁盤轉動停止時，磁頭可以停泊在該退出區中。在這種方法中，因為磁盤靜止時磁頭不與磁盤接觸，據說不必如CSS方法那樣擔心粘貼問題。然而已經確定，在斜坡加載方法中也需要減小磁頭到磁盤的吸附，以便當磁頭和磁盤間不經意接觸時減少磁頭的行為變化。因此，即使使用斜坡加載方法，減少靜摩擦系數也是很重要的。

另外，為了增加記錄密度，在記錄和再現期間磁盤的轉動速度已經增加了。在增加轉動速度的情形中，會發生所謂的旋飛(spin-off)現象，其中由于離心力的作用潤滑劑向外飛濺。結果，潤滑劑層膜厚減小的問題就會發生。因此也希望增加與保護膜層的鍵合強度，以便防止旋飛現象，增強耐用性。此外，用鍵合比作為潤滑劑和保護膜層之間鍵合強度的指示。該值指示出在上面形成有潤滑劑層的磁盤用氟基溶劑(例如，Asahi?Glass?Co.，Ltd.生產的AS225)沖洗后殘留潤滑劑的比例(％)，并為潤滑劑與保護膜層間的鍵合強度提供一個一般的參考。