[發(fā)明專利]磁記錄介質(zhì)的制造方法、磁記錄介質(zhì)以及表面處理裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200680009909.7
• 申請(qǐng)日: 2006-01-27
• 公開（公告）號(hào): CN101151663A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大澤弘;黑川剛平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昭和電工株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B5/84
• 分類號(hào): G11B5/84;G11B5/725;H01J37/31;H01J37/32;H05H1/24
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所
• 代理人: 楊曉光;李崢

1.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法包括：

在非磁性基底上順序?qū)臃e至少磁性層、保護(hù)膜層和潤(rùn)滑劑層；以及

使用在接近大氣壓的氣壓下產(chǎn)生的等離子體所激活的氣體來對(duì)所述潤(rùn)滑劑層的表面進(jìn)行處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，進(jìn)行表面處理的所述壓強(qiáng)為從1.3×10⁴到13×10⁴Pa。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，進(jìn)行表面處理的所述壓強(qiáng)為從9.9×10⁴到10.3×10⁴Pa。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，所述等離子體為輝光放電等離子體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，所述氣體包含從由氮?dú)?、氧氣和氬氣?gòu)成的一組氣體中選出來的至少一種類型的氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，在接近大氣壓的氣壓下產(chǎn)生的所述等離子體是通過在相對(duì)的電極之間施加電場(chǎng)所產(chǎn)生的一種等離子體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，所述相對(duì)的電極被設(shè)置為從垂直于待處理基底的位置傾斜1度到45度，在所述待處理基底中，在所述非磁性基底上至少形成磁性層、保護(hù)膜層和潤(rùn)滑劑層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，所述相對(duì)的電極被形成為垂直于待處理基底，在所述待處理基底中，在所述非磁性基底上至少形成磁性層、保護(hù)膜層和潤(rùn)滑劑層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，通過將待處理基底放置在所述相對(duì)的電極之間來對(duì)所述保護(hù)膜層進(jìn)行表面處理，在所述待處理基底中，在所述非磁性基底上至少形成磁性層、保護(hù)膜層和潤(rùn)滑劑層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，使用被激活的氣體對(duì)待處理基底的兩面同時(shí)進(jìn)行表面處理，在所述待處理基底中，在所述非磁性基底上至少形成磁性層、保護(hù)膜層和潤(rùn)滑劑層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，所述非磁性基底是從玻璃基底和硅基底中選出來的一種基底。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，所述非磁性基底具有由NiP或NiP合金構(gòu)成的薄膜，該薄膜形成在從Al、Al合金、玻璃和硅中選出來的一種材料所構(gòu)成的基板的表面上。

13.一種磁記錄介質(zhì)，由根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法所制造。

14.一種磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備包括：

根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁記錄介質(zhì)；以及

在所述磁記錄介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的磁頭。

15.一種表面處理裝置包括：

第一器件，用于在接近大氣壓的氣壓下通過在相對(duì)的電極之間施加電場(chǎng)產(chǎn)生等離子體來形成被激活的氣體；以及

第二器件，用于使所述被激活的氣體輻射到待處理基底的表面上，在所述被處理基底中，在非磁性基底上至少形成磁性層、保護(hù)膜層和潤(rùn)滑劑層。